[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，

具有：绝缘衬底；形成在所述绝缘衬底上的多晶硅电极；形成在所述多晶硅电极上的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成在与所述多晶硅电极对置的位置上的栅极金属电极，

所述栅极金属电极以在上面图中覆盖所述多晶硅电极的边缘部的一部分或者全部的方式形成。

2.如权利要求1的显示装置，其特征在于，

将从所述多晶硅电极端部到所述栅极金属电极端部的距离设为Y、将多晶硅电极膜厚设为a、将栅极绝缘膜厚设为b、将栅极金属电极膜厚设为c时，满足Y≥(a+b+c)/2。

3.如权利要求2的显示装置，其特征在于，

将从所述多晶硅电极端部到所述栅极金属电极端部的距离设为Y、将多晶硅电极膜厚设为a、将栅极绝缘膜厚设为b、将栅极金属电极膜厚设为c时，满足c＞a、b。

4.如权利要求1的显示装置，其特征在于，

所述栅极金属电极覆盖所述多晶硅电极的引出布线部以外的边缘部。

5.如权利要求4的显示装置，其特征在于，

将从所述多晶硅电极端部到所述栅极金属电极端部的距离设为Y、将多晶硅电极膜厚设为a、将栅极绝缘膜厚设为b、将栅极金属电极膜厚设为c时，满足Y≥(a+b+c)/2。

6.如权利要求1的显示装置，其特征在于，

所述栅极金属电极覆盖所述多晶硅电极的边缘部的四角以外。

7.如权利要求6的显示装置，其特征在于，

将从所述多晶硅电极端部到所述栅极金属电极端部的距离设为Y、将多晶硅电极膜厚设为a、将栅极绝缘膜厚设为b、将栅极金属电极膜厚设为c时，满足Y≥(a+b+c)/2。

8.如权利要求1的显示装置，其特征在于，

所述栅极金属电极具有开口部，在所述开口部上形成连接所述多晶硅电极和布线层的接触孔。

9.如权利要求8的显示装置，其特征在于，

将从所述多晶硅电极端部到所述栅极金属电极端部的距离设为Y、将多晶硅电极膜厚设为a、将栅极绝缘膜厚设为b、将栅极金属电极膜厚设为c时，满足Y≥(a+b+c)/2。

10.如权利要求1至9的任意一项的显示装置，其特征在于，

在所述绝缘衬底与所述多晶硅电极之间具有基底膜。

11.一种显示装置的制造方法，其特征在于，

具有如下步骤：在衬底上形成多晶硅薄膜；在所述多晶硅薄膜上形成栅极绝缘膜；向所述多晶硅薄膜中注入杂质，形成多晶硅电极；在所述栅极绝缘膜上形成导电膜，进行构图，形成栅极金属电极，

在形成所述栅极金属电极的步骤中，以在上面图中所述栅极金属电极覆盖所述多晶硅电极的边缘部的一部分或者全部的方式形成。

12.如权利要求11的显示装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述栅极绝缘膜的步骤中，以覆盖所述多晶硅电极的引出布线部以外的边缘部的方式形成所述栅极金属电极。

13.如权利要求11或12的显示装置的制造方法，其特征在于，

在形成所述栅极绝缘膜的步骤中，以覆盖所述多晶硅电极的边缘部的四角以外的方式形成所述栅极金属电极。

14.如权利要求11的显示装置的制造方法，其特征在于，还具有如下步骤，

在所述栅极金属电极的一部分上形成开口部；

在所述开口部上形成连接所述栅极金属电极和所述多晶硅电极的接触孔。