[发明专利]非易失性存储装置以及对其中的多级单元进行编程的方法

权利要求书

1.一种非易失性存储装置，包括：

存储单元阵列，用于储存数据；

页面缓冲器，经由至少第一与第二位线而耦接至所述存储单元阵列；

其中所述页面缓冲器包括：

位线选择电路，配置成选择性耦接所述第一或第二位线至感测节点；

第一寄存器与第二寄存器，配置成储存给定的数据；

数据比较电路，配置成比较储存于所述第一寄存器中的数据与储存于所述第二寄存器中的数据，并传送比较结果至所述感测节点；

第一位线电压控制器，配置成依据储存于所述第一寄存器中的数据的电压电平施加第一电压至所选择的位线；以及

第二位线电压控制器，配置成依据储存于所述第二寄存器中的数据施加高于所述第一电压的第二电压至所选择的位线。

2.如权利要求1的非易失性存储装置，其中所述第一位线电压控制器包括：

第一晶体管，配置成响应储存于所述第一寄存器中的数据来提供接地电压至所述感测节点；以及

第二晶体管，提供于所述第一晶体管与所述感测节点之间，并配置成响应第一位线电压控制信号来提供所述接地电压至所述感测节点。

3.如权利要求1的非易失性存储装置，其中所述第二位线电压控制器包括：

第一晶体管，配置成响应储存于所述第二寄存器中的数据来提供电源电压至所述感测节点；以及

第二晶体管，提供于所述第一晶体管与所述感测节点之间，并配置成响应第二位线电压控制信号来提供所述电源电压至所述感测节点。

4.如权利要求2的非易失性存储装置，其中所述第一位线电压控制信号的电压电平高于所述第二晶体管的阈值电压。

5.如权利要求3的非易失性存储装置，其中当执行LSB(最低有效位)编程操作时，接地电压被提供为所述电源电压，并且当执行MSB编程操作时，高电压被提供为所述电源电压。

6.如权利要求5的非易失性存储装置，其中当LSB被编程时，所述第二位线电压控制信号的电压电平高于所述第二晶体管的阈值电压，并且当MSB(最高有效位)被编程时，所述第二位线电压控制信号的电压电平高于所述第二晶体管的阈值电压与所述第二电压的和。

7.如权利要求6的非易失性存储装置，其中所述第二电压的量值约为1.5V到2.0V。

8.如权利要求1的非易失性存储装置，其中所述数据比较电路响应MSB编程信号，传送储存于所述第一寄存器中的数据与储存于所述第二寄存器中的数据的逻辑乘积数据至所述感测节点。

9.如权利要求8的非易失性存储装置，其中如果储存于所述第一寄存器中的数据与储存于所述第二寄存器中的数据分别为′0′与′0′，则所述数据比较电路停止所述逻辑乘积数据的传送。

10.一种对非易失性存储装置中多级单元进行编程的方法，所述方法包括：

对所述存储装置中的单元的LSB(最低有效位)数据进行编程；

传送要作为所述单元的MSB(最高有效位)来编程的数据至页面缓冲器的第一寄存器；

读取依据LSB编程而储存于所述单元中的数据，并将读取的数据储存于所述页面缓冲器的第二寄存器中；

依据储存于所述第一寄存器中的数据，重置储存于所述第二寄存器中的数据，由此确定LSB与MSB要被编程的第一选择单元；

比较所述重置的数据与储存于所述第一寄存器中的数据，由此确定只有MSB要被编程的第二选择单元；

预充电与所述第一选择单元有关的位线至第一电压；

预充电与所述第二选择单元有关的位线至高于所述第一电压的第二电压；以及

执行初始电压比在LSB编程操作中高出某一电平的ISPP编程操作。

11.如权利要求10的方法，其中所述确定所述第一选择单元的步骤包括：

在所述第一寄存器中储存数据′0′；以及

在所述第二寄存器中储存数据′1′；

其中所述第一电压为低电压并且所述第二电压为高电压。

12.如权利要求10的方法，其中所述确定MSB要被编程的所述第二选择单元的步骤包括：

在所述第一寄存器中储存数据′1′；以及

在所述第二寄存器中储存数据′0′；

其中所述第一电压为低电压并且所述第二电压为高电压。