[发明专利]半导体电路器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 200710105459.8 申请日: 2003-10-24
公开(公告)号: CN101064242A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 阿部由之 申请(专利权)人: 株式会社瑞萨科技
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 电路 器件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种制造半导体器件的方法,包括如下步骤:

(a)提供在其上形成有多个半导体元件的晶片;

(b)将保护带粘贴到所述晶片的第一面;

(c)研磨与所述第一面相对的所述晶片的第二面;

(d)将管芯键合膜粘贴到所述晶片的所述第二面,其中通过从分离膜的背面按压所述管芯键合膜和所述分离膜的叠层膜,使得所述管芯键合膜面向所述晶片的所述第二面,从而粘贴所述管芯键合膜;

(e)将切割带粘贴在所述晶片的所述第二面上的所述管芯键合膜上方;

(f)将所述保护带从所述晶片的所述第一面剥离;以及

(g)切割所述晶片。

2.按照权利要求1的方法,

其中所述管芯键合膜包含一种热塑树脂材料。

3.按照权利要求1的方法,

其中所述晶片的所述第一面是在其上形成所述多个半导体元件的面。

4.按照权利要求1的方法,

其中在通过切割所述晶片获得管芯键合芯片的时候,所述管芯键合膜起一个粘合层的作用。

5.按照权利要求1的方法,还包括一个在所述步骤(e)之后并且在所述步骤(f)之前,加热所述管芯键合膜的步骤。

6.按照权利要求1的方法,还包括一个在所述步骤(f)之后并且在所述步骤(g)之前,加热所述管芯键合膜的步骤。

7.按照权利要求1的方法,还包括一个在所述步骤(e)之后并且在所述步骤(f)之前,加热所述管芯键合膜以改进所述管芯键合膜与所述晶片之间的粘合的步骤。

8.按照权利要求1的方法,还包括一个在所述步骤(f)之后并且在所述步骤(g)之前,加热所述管芯键合膜以改进所述管芯键合膜与所述晶片之间的粘合的步骤。

9.按照权利要求1的方法,还包括如下步骤:

在所述步骤(d)之后并且在所述步骤(e)之前,将所述管芯键合膜加热到第一温度;以及

在所述步骤(e)之后并且在所述步骤(f)之前,将所述管芯键合膜加热到比所述第一温度高的第二温度。

10.按照权利要求1的方法,还包括如下步骤:

在所述步骤(d)之后并且在所述步骤(e)之前,将所述管芯键合膜加热到第一温度;以及

在所述步骤(f)之后并且在所述步骤(g)之前,将所述管芯键合膜加热到比所述第一温度高的第二温度。

11.按照权利要求1的方法,

其中在所述步骤(e),所述切割带由一个安排在所述晶片周围的保持装置所保持,以及

其中在所述步骤(g),切割粘贴在由所述保持装置所保持的所述切割带上的所述晶片。

12.按照权利要求1的方法,

其中在所述步骤(c),将所述晶片研磨到一个不大于200μm的厚度。

13.按照权利要求1的方法,

其中在所述步骤(d),以所述管芯键合膜面向内的这样方式,将所述管芯键合膜和分离膜的叠层膜贴在所述晶片的所述第二面上;并且所述步骤(d)还包括:

剥离所述分离膜;以及

沿所述晶片的外围切割所述管芯键合膜。

14.按照权利要求1的方法,

其中在将所述切割带粘贴在所述晶片的所述第二面上的所述管芯键合膜上方之后,从所述晶片的所述第一面剥离所述保护带。

15.按照权利要求1的方法,

其中在将所述管芯键合膜粘贴到所述晶片的所述第二面之后,从所述晶片的所述第一面剥离所述保护带。

16.按照权利要求1的方法,

其中所述分离膜由聚酯制成。

17.按照权利要求16的方法,

其中所述聚酯为聚对苯二甲酸乙二醇酯。

18.按照权利要求16或17的方法,

其中所述管芯键合膜由热塑树脂材料制成。

19.按照权利要求13的方法,

其中在所述切割所述管芯键合膜之前剥离所述分离膜。

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