[发明专利]高散热效率发光二极管的封装方法及其结构

权利要求书

1.一种高散热效率发光二极管的封装方法，所述方法包括以下步骤：

(a)备有铜金属基板，并在其上形成多个凹穴；

(b)在所述铜金属基板表面及所述凹穴底部上形成绝缘层；

(c)在所述绝缘层上形成金属线路；

(d)在所述金属线路上无需进行电连接及未被包覆的表面上形成绝缘漆；

(e)在所述金属线路未涂覆绝缘漆的表面及所述凹穴的绝缘层表面上形成锡层；

(f)在所述凹穴的锡层上固定发光芯片组；

(g)在所述发光芯片组与所述金属线路之间电连接多条金线，使所述发光芯片组呈串联电连接；

(h)在所述铜金属基板的表面上形成中空环形物体，所述环形物体将所述发光芯片组、金线及金属线路包围在其内；

(i)在所述发光芯片组、金线及金属线路的锡层上点上荧光胶，从而形成荧光层；以及，

(k)在所述环形物体内部填入环氧树脂，并包覆所述荧光层，从而形成环氧树脂层。

2.如权利要求1所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，所述步骤(a)的铜金属基板为圆形，其上的所述凹穴外围具有多个定位孔，而在所述基板边缘上开设有开放性的U形缺口。

3.如权利要求1所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，所述步骤(c)的金属线路由多段线路组成。

4.如权利要求1所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，所述步骤(d)的绝缘漆为白色。

5.如权利要求1所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，所述步骤(e)的锡层厚度约为4～5μm。

6.如权利要求1所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，所述步骤(f)的发光芯片组由多个发光芯片组成。

7.如权利要求1所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，所述步骤(h)的环形物体由金属或塑料中的任一种材料制成。

8.如权利要求7所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，所述环形物体具有环体，所述环体底部具有定位部，所述环体内壁呈倾斜状，从而形成反射面。

9.如权利要求1所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，所述步骤(i)的荧光层为荧光胶。

10.如权利要求1所述的高散热效率发光二极管的封装方法，其中，在所述步骤(k)的环形物体内部填入环氧树脂，从而形成环氧树脂层。

11.一种高散热效率发光二极管的结构，所述结构包括：

铜金属基板，其上具有多个凹穴，而在所述铜金属基板表面及所述凹穴底部设置有绝缘层，在所述铜金属基板的绝缘层表面上设置有金属线路，在所述金属线路上的无需进行电连接及未被包覆处设置有绝缘漆，在所述金属线路没有绝缘漆之处及所述凹穴的绝缘层上设置有锡层；

发光芯片组，固定在所述凹穴的锡层上；

金线，电连接在所述金属线路与所述发光芯片组之间；

环形物体，设置在所述基板上，将所述金属线路、发光芯片组及金线围在其内；

荧光层，设置在所述环形物体内，并包覆在所述金属线路、发光芯片组及金线的表面上；以及，

环氧树脂层，设置在所述环形物体内，并包覆在所述荧光层的表面上。

12.如权利要求11所述的高散热效率发光二极管的结构，其中，所述铜金属基板呈圆形，在所述金属线路外围上具有多个定位孔，而在所述铜金属基板边缘上开设有开放性的U形缺口。

13.如权利要求12所述的高散热效率发光二极管的结构，其中，所述金属线路由多段线路组成。

14.如权利要求11所述的高散热效率发光二极管的结构，其中，所述发光芯片组由多个芯片组成。

15.如权利要求11所述的高散热效率发光二极管的结构，其中，所述绝缘漆为白色。

16.如权利要求11所述的高散热效率发光二极管的结构，其中，所述环形物体是由金属或塑料材料中的任一种制成的中空环体。

17.如权利要求16所述的高散热效率发光二极管的结构，其中，所述环体具有由其底部凸出并且定位在所述铜金属基板的定位孔处的定位部，所述环体内壁呈倾斜状，从而形成反射面。

18.如权利要求11所述的高散热效率发光二极管的结构，其中，所述锡层厚度约为4～5μm。