[发明专利]半导体器件特殊结构的制作方法

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，涉及半导体制造工艺，特别涉及一种半导体器件特殊结构的制作方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，特征尺寸越来越小，半导体器件的结构也在发生一定的变化，在制作过程中需要实现一些特殊的结构以满足器件的要求。例如，在硅衬底生成有一层二氧化硅，需要对该层二氧化硅进行刻蚀，形成如图2所示的一种特殊结构，除去硅衬底凸台的上面的二氧化硅及位于硅衬底凸台平面之下的侧面边沿的一部分二氧化硅，保留硅衬底凹槽底上的二氧化硅，由于生成的二氧化硅层在硅衬底表面呈均匀分布且厚度较薄，运用现有的普通光刻技术和刻蚀技术很难实现，因为普通曝光和刻蚀工艺只是把被光照到的区域完全刻蚀掉或完全不被刻蚀(刻蚀与否取决于用的是正光刻胶还是负光刻胶)，很难高精度的控制只除去硅衬底凸台的上面的二氧化硅及位于硅衬底凸台平面之下的侧面边沿的一部分二氧化硅而保留硅衬底凹槽底上的二氧化硅，实现该特殊结构。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种半导体器件特殊结构的制作方法，该方法能实现半导体器件特殊结构且工艺简单。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是，硅片制品上涂布光刻胶后，对有特殊结构需要的位置，根据特殊结构需要，控制曝光的焦深及焦平面的位置，使处于透镜焦深范围内的光刻胶被曝光，而焦深范围之外的光刻胶不被曝光，显影后焦深范围之外的光刻胶被保留下来作为后续刻蚀工艺的阻挡层，最终实现特殊结构的制作。

本发明的半导体器件特殊结构的制作方法，利用曝光的焦深(DOF)配以控制焦平面的位置来实现一定厚度的光刻胶被曝光，从而实现了半导体器件特殊结构，工艺简单。

附图说明

下面结合附图及具体实施方式对本发明作进一步详细说明。

图1是本发明的原理示意图；

图2是一种特殊结构的示意图；

图3是本发明的半导体器件特殊结构的制作方法的一实施方式示意图。

具体实施方式

本发明的半导体器件特殊结构的制作方法的原理如图1所示，利用曝光的焦深(DOF)配以控制焦平面的位置来实现一定厚度的光刻胶被曝光，也就是处于透镜焦深范围内的光刻胶被曝光，而焦深范围之外的光刻胶没能被曝光，这就实现了表面一定厚度(厚度小于焦深)的光刻胶被曝光，并通过显影被去除，而某些特殊具有一定厚度的光刻胶的下层光刻胶部分则没能被曝光，在显影后仍然被保留下来，作紧接下来的刻蚀工艺的阻挡层，最终实现特殊结构的制作。

本发明的半导体器件特殊结构的制作方法的一实施方式如图3所示，硅衬底经刻蚀形成硅槽；进行二氧化硅淀积在硅衬底表面生成一二氧化硅层；在淀积的二氧化硅层上涂布光刻胶；对光刻胶曝光，利用曝光的焦深(DOF)配以控制焦平面的位置使位于硅衬底凸台及凸台侧边二氧化硅层上面的光刻胶层处于透镜焦深范围内，完全被曝光，而凸台侧边二氧化硅层之外的硅槽上面的光刻胶只有一定厚度的光刻胶被曝光，处于透镜焦深范围内的光刻胶被曝光，而焦深范围之外的光刻胶没能被曝光；进行光刻胶显影，可见硅衬底凸台及凸台侧边二氧化硅层上面的光刻胶层被去除，而凸台侧边二氧化硅层之外的硅槽上面有一定厚度的下层光刻胶在显影后仍然被保留下来；进行二氧化硅刻蚀，硅衬底凸台上面的二氧化硅及凸台侧边低于硅衬底凸台平面一定高度的二氧化硅层被刻蚀掉，凸台侧边二氧化硅层之外的硅槽上面的二氧化硅层有一定厚度的下层光刻胶作阻挡层，没有被刻蚀；光刻胶去除，制成了如图2所示的一种半导体器件特殊结构。

本发明的半导体器件特殊结构的制作方法，利用曝光的焦深(DOF)配以控制焦平面的位置来实现一定厚度的光刻胶被曝光，从而实现了半导体器件特殊结构，工艺简单。