[发明专利]一次可编程非挥发性存储器芯片单元及其制备方法

权利要求书

1.一种一次可编程非挥发性存储器芯片单元，其包括一个电容耦合半 导体场效应晶体管和一个电容，其特征在于：所述电容为沟槽型电容；深 沟槽电容上电极与场效应晶体管共用多晶硅层；电容下电极为硅衬底的沟 槽表面。

2.如权利要求1所述的一次可编程非挥发性存储器芯片单元，其特征 在于：所述一次可编程非挥发性存储器芯片单元包括一个电容耦合半导体 场效应晶体管和一个电容，所述电容采用沟槽填充的方法制备而成。

3.按照权利要求2所述一次可编程非挥发性存储器芯片单元的制备方 法，其特征在于，所述电容的制备方法为：

(1)在衬底的电容区域刻蚀沟槽；

(2)在所述沟槽内侧淀积介质层；

(3)淀积多晶硅填充所述沟槽。