[发明专利]相变存储装置及其制造方法和操作方法

权利要求书

1.一种相变存储装置，包括：

开关装置，和

与该开关装置连接的存储节点；其中

该存储节点包括：

底部叠层，

设置在底部叠层上的相变层，和

设置在相变层上的顶部叠层，其中

该相变层包括电流通路增加单元，其配置用于增加流经相变层的电流的通路。

2.根据权利要求1的相变存储装置，其中设置在底部叠层上的电流通路增加单元的表面面积大于或等于与相变层的表面接触的底部叠层的表面面积。

3.根据权利要求2的相变存储装置，其中所述电流通路增加单元是具有比相变层的非晶区域更低导电率的材料层。

4.根据权利要求3的相变存储装置，其中所述材料层是绝缘层和导电层的其中一个。

5.根据权利要求3的相变存储装置，其中所述材料层包括垂直堆积并且彼此分隔的多个材料层。

6.根据权利要求5的相变存储装置，其中至少一部分所述材料层的宽度是不同的。

7.根据权利要求5的相变存储装置，进一步包括，

至少两个材料层，所述至少两个材料层的每个材料层具有比相变层的非晶区域低的导电率，其中

所述至少两个材料层被设置在一个平面上并且在下面的材料层上方分隔开。

8.根据权利要求1的相变存储装置，其中所述顶部叠层包括顺序堆叠的粘合层和顶部电极。

9.根据权利要求1的相变存储装置，其中配置在所述底部叠层上的相变层包括沟槽，该相变存储装置进一步包括，

形成在沟槽中的材料层，其中

所述顶部叠层设置在相变层和材料层上，

所述材料层具有的面积大于或等于与相变层接触的底部叠层表面的面积，和

所述材料层具有比相变层的非晶区域低的导电率。

10.根据权利要求9的相变存储装置，其中所述材料层是绝缘层或导电层。

11.根据权利要求9的相变存储装置，进一步包括，与材料层分隔设置的圆柱形材料层，所述圆柱形材料层围绕所述底部叠层和所述材料层的表面，所述圆柱形材料层具有比相变层的非晶区域低的导电率。

12.根据权利要求11的相变存储装置，其中形成在所述沟槽中的材料层延伸超出所述圆柱形材料层。

13.根据权利要求11的相变存储装置，其中所述圆柱形材料层具有和形成在所述沟槽中的材料层不同的导电率。

14.根据权利要求11的相变存储装置，其中所述材料层是绝缘层或导电层。

15.一种用于制造相变存储装置的方法，该方法包括：

形成连接开关装置的存储节点，该存储节点的形成包括，

在绝缘夹层上形成第一相变层，所述第一相变层形成来覆盖底部电极接触层的暴露表面，

在第一相变层的第一区域上形成第一材料层，所述第一材料层形成来覆盖所述底部电极接触层的暴露表面，第一材料层具有比第一相变层的非晶区域低的导电率，及

在第一相变层上形成第二相变层，所述第二相变层形成为覆盖第一材料层。

16.根据权利要求15的方法，其中第一材料层是绝缘层或导电层。

17.根据权利要求15的方法，进一步包括，

在第二相变层上形成第二材料层，和

在第二相变层上形成第三相变层，第三相变层覆盖第二材料层，其中

第二材料层具有的导电率低于第一、第二和第三相变层的每一个。

18.根据权利要求17的方法，其中第二材料层形成为包括至少两个部分，所述至少两个部分形成为彼此分隔，在第一材料层上的至少两个部分之间留下间隔。

19.根据权利要求17的方法，其中第二材料层形成为具有的面积大于或等于第一材料层的面积。

20.根据权利要求17的方法，其中第一和第二材料层具有相同的导电率。

21.根据权利要求17的方法，其中第二材料层是绝缘层或导电层。