[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光(或有机电致发光)显示装置是平板显示装置的一种类型。更具体地讲，有机发光显示装置是一种电激发有机化合物以发光的发射显示装置。有机发光显示装置不需要液晶显示器(LCD)中使用的背光，所以可将有机发光显示装置制造为重量较轻、细小且具有较简单的结构。此外，可以在较低的温度下制造有机发光显示装置，有机发光显示装置具有诸如响应时间较短(1ms或更短)、功耗较低、视角较宽和对比度较高的特性。

有机发光显示装置包括在阳极和阴极之间的有机发射层，从阳极提供的空穴和从阴极提供的电子在有机发射层中结合，以形成激子，所述激子跃迁或衰变(例如，从激发态到基态)，从而发光。

根据有机发射层中产生的光的发射方向，有机发光显示装置可分为底部发射型和顶部发射型。如果包括像素驱动电路的有机发光显示装置是底部发射型，则因为像素驱动电路占据有机发光显示装置的大面积的基底，所以开口率受到限制。因此，引入顶部发射型有机发光显示装置，以提高开口率。

图1是示出传统的顶部发射型有机发光显示装置的结构的剖视图。参照图1，缓冲层110形成在由玻璃或塑料形成的基底100上。薄膜晶体管形成在缓冲层110上，并包括：半导体层120，具有源区120a、漏区120c以及源区120a与漏区120c之间的沟道区120b；栅极绝缘层130；栅电极140。

层间绝缘层150形成在基底100上，并形成在薄膜晶体管上。随后，暴露源区120a和漏区120c的部分的接触孔155形成在层间绝缘层150和栅极绝缘层130中。

形成源电极160a和漏电极160b，源电极160a和漏电极160b通过接触孔155与源区120a和漏区120c电连接，平坦化层170形成在基底100上，并形成在源电极160a和漏电极160b上。

暴露漏电极160b的部分的通孔175形成在平坦化层170中。通过通孔175与漏电极160b接触的第一电极180形成在基底100上，并形成在平坦化层170上。第一电极180可包括反射金属层180a和透明导电层180b(例如形成在反射金属层180a上的ITO层)。

另外，像素限定层190形成在第一电极180上。利用有机材料(只利用有机材料)使像素限定层190形成为大约0.5μm至1μm的厚度，随后将其图案化为包括暴露第一电极180的开口200。

有机层形成在开口200中。有机层至少包括有机发射层，并还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层中的至少一层。

第二电极形成在基底100上，并形成在有机层上，从而完成顶部发射型有机发光显示装置的形成。

制造有机层的一种方法是利用激光感应热成像(LITI)法。当由LITI法来形成有机层时，如果如上所述像素限定层形成为大约0.5μm至1μm的厚度，则在像素限定层和第一电极之间存在大的高度差，所以第一电极的开口和供体基底的转印层没有彼此紧密地接触。因此，转印能变高，从而会促进有机层的劣化；有机层不会适当地转印到开口的边缘部分上，从而会导致开裂缺陷(open defect)。因此，有必要减小像素限定层和第一电极之间的高度差。

图2是在利用有机材料使像素限定层形成为2000的厚度之后围绕通孔的区域的照片。

参照图2，为了提高利用LITI法来制造有机层的效率，利用有机材料(例如聚酰亚胺)使薄像素限定层形成为大约2000的厚度。如参考标记A所示的有机材料具有较好的填充通孔的能力。然而，为了薄薄地形成像素限定层，通过旋转涂覆来形成像素限定层，因此均匀性或分散性差。结果，会在通孔周围造成开裂缺陷，如参考标记B所示。另外，会不完全覆盖第一电极的凸出边缘，且会导致第一电极和第二电极之间的短路。此外，由于由有机材料形成的像素限定层不具有刚性层的特性，所以在有机层形成在第一电极的开口上之后，在供体基底的转印层的去除过程中会撕破像素限定层。因此，在第一电极和第二电极之间存在另外的短路的可能性。

图3是在利用无机材料使像素限定层形成为大约1000的厚度之后围环绕通孔的区域的照片。