[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效
| 申请号: | 200710091521.2 | 申请日: | 2007-03-27 |
| 公开(公告)号: | CN101114668A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
| 发明(设计)人: | 任忠烈;俞庚辰;全雨植;权度县;姜泰旭 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/82;H05B33/12;H05B33/10;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;李友佳 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基底;
薄膜晶体管,设置在所述基底上,并包括半导体层、栅极绝缘层、栅电极、源电极和漏电极;
平坦化层,设置在所述基底上,并设置在所述源电极和所述漏电极上,所述平坦化层具有沟槽;
通孔,设置在所述沟槽中,用于穿过所述平坦化层暴露所述源电极或所述漏电极的部分;
第一电极,通过所述通孔与所述源电极或所述漏电极的部分连接,并具有设置在所述沟槽中的相对的端部;
像素限定层,设置在所述第一电极上,并具有用于暴露所述第一电极的开口;
有机层,设置在所述开口中,并至少包括有机发射层;
第二电极,设置在所述基底上,并设置在所述有机层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述沟槽的深度为所述第一电极的厚度的大约1/2至大约3/2。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述平坦化层是有机层。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,由从由聚酰亚胺、聚丙烯酸酯、苯并环丁烯系列树脂和它们的组合组成的组中选择的至少一种材料来形成所述有机层。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述平坦化层是无机层。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置,其中,由旋涂玻璃来形成所述平坦化层。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述像素限定层是有机层。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述像素限定层具有包括至少一对有机层和无机层的堆叠结构。
9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,所述像素限定层包括:
第一无机像素限定层;
第二有机像素限定层,设置在所述第一无机像素限定层上。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述第二有机像素限定层覆盖所述通孔,并设置在所述第一无机像素限定层上,以围绕所述通孔的周边和所述第一电极的边缘。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述第一无机像素限定层形成为大约500至大约1000的厚度。
12.根据权利要求9所述的有机发光显示装置,其中,所述第二有机像素限定层形成为大约1000至大约3000的厚度。
13.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,由从由氮化硅、氧化硅及它们的组合组成的组中选择的至少一种材料来形成所述无机层。
14.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述第一电极包括反射金属层和设置在所述反射金属层上面的透明导电层。
15.根据权利要求14所述的有机发光显示装置,其中,由从由Al、Al合金、Ag和Ag合金组成的组中选择的至少一种材料来形成所述反射金属层。
16.根据权利要求14所述的有机发光显示装置,其中,所述反射金属层形成为大约500至大约2000的厚度。
17.根据权利要求14所述的有机发光显示装置,其中,所述透明导电层形成为大约50至大约200的厚度。
18.根据权利要求14所述的有机发光显示装置,其中,由从由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟铈和ZnO组成的组中选择的至少一种材料来形成所述透明导电层。
19.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,由透明导电层形成所述第一电极。
20.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,由从由Mg、Ag、Al、Ca及它们的合金组成的组中选择的至少一种材料来形成所述第一电极。
21.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述有机层还包括从由空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层组成的组中选择的至少一层。
22.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,由从由Mg、Ag、Al、Ca及它们的合金组成的组中选择的至少一种材料来形成所述第二电极。
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