[发明专利]双镶嵌结构的制作方法有效
| 申请号： | 200710040380.1 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101295669A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 梁昆约;熊涛;朱宝富 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上依次形成覆盖层、内层介质层和阻挡层；
刻蚀内层介质层和阻挡层形成连接孔，所述连接孔暴露出覆盖层；
在连接孔内以及阻挡层上形成第一底部抗反射层；
刻蚀并完全去除阻挡层上的第一底部抗反射层；
在连接孔内以及阻挡层上形成第二底部抗反射层；
刻蚀第二底部抗反射层，形成第三底部抗反射层，所述第三底部抗反射层位于连接孔内；
刻蚀阻挡层和内层介质层形成沟槽，沟槽的位置与连接孔的位置对应并与连接孔连接；
去除阻挡层和第三底部抗反射层，并去除连接孔内的覆盖层直至暴露半导体衬底，形成双镶嵌结构；
在双镶嵌结构内填充金属材料。
2.根据权利要求1所述双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，所述连接孔的间距大小不同。
3.根据权利要求2所述双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，所述连接孔呈网格状衬垫分布。
4.根据权利要求1所述双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，刻蚀阻挡层和内层介质层形成沟槽后，第三底部抗反射层的厚度大于等于0。
5.根据权利要求4所述双镶嵌结构的制作方法，其特征在于，第三底部抗反射层的厚度为500～
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
