[发明专利]焊接方法和半导体模块的制造方法无效
| 申请号: | 200680049685.2 | 申请日: | 2006-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN101351874A | 公开(公告)日: | 2009-01-21 |
| 发明(设计)人: | 金原雅彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社丰田自动织机 |
| 主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;B23K1/00;B23K3/00;H01L25/07;H01L25/18;H05K3/34 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;刘宗杰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 焊接 方法 半导体 模块 制造 | ||
1.一种焊接方法,将半导体元件分别焊接到接合部上,该接合部设置在电路基板上的多处,其中,具备:
在上述电路基板上的至少三处,以不在一条直线上的配置来设置上述接合部;
将上述半导体元件经由焊料载置到上述接合部上;
在不在一条直线上的至少三个半导体元件上,以跨这些半导体元件的状态载置压块;以及
利用上述压块对上述半导体元件加压并同时使上述焊料熔融,由此将半导体元件焊接到上述接合部上。
2.根据权利要求1所述的焊接方法,其中,还具备:以使上述熔融的焊料遍布到上述半导体元件的与上述接合部相向的整个面上的方式,进行焊接。
3.根据权利要求1或2所述的焊接方法,其中,上述电路基板是通过将在表面具有金属电路的陶瓷绝缘体固定在具备制冷剂流路的金属制的散热器上而形成的。
4.根据权利要求1或2所述的焊接方法,其中,上述电路基板是通过将在表面具有金属电路的多个陶瓷绝缘体固定在具备制冷剂流路的金属制的散热器上而形成的。
5.根据权利要求3或4所述的焊接方法,其中,上述散热器为铝制或者铜制。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的焊接方法,其中,
上述压块具备通路,该通路在能够与至少三个半导体元件抵接的压块的加压面上,具有与这些半导体元件分别对应的开口,能够将上述通路连接于负压源上的连接部设置在上述加压面以外的压块的部位上,上述方法还具备:
通过使由上述负压源产生的负压对上述通路发生作用,从而将至少三个半导体元件吸附到上述压块的加压面上;以及
以将上述半导体元件吸附在加压面上的状态,使该半导体元件移动至不在一条直线上的至少三处接合部。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的焊接方法,其中,
上述焊接在具有主体和盖体的能密闭的容器内使用多个上述压块来进行,具有与上述压块对应的多个孔的支撑板安装在上述盖体上,上述方法还具备:以将上述压块插通在对应的孔中而且将设置在该压块上的卡定部卡定在上述支撑板的上表面的状态,使压块与上述盖体一起移动至上述主体,将盖体安装到主体上,
在盖体被安装到主体上时,各压块以卡定部从支撑板的上表面离开的状态,载置到对应的至少三个半导体元件上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的焊接方法,其中,还具备:利用电磁感应作用使上述压块发热,由此使上述焊料熔融。
9.一种半导体模块的制造方法,该半导体模块具备:电路基板;以及分别焊接于接合部上的半导体元件,该接合部设置在该电路基板上的多处,其中,该方法包括:
在上述电路基板上的至少三处,以不在一条直线上的配置来设置上述接合部;
将上述半导体元件经由焊料载置到上述接合部上;
在不在一条直线上的至少三个半导体元件上,以跨这些半导体元件的状态载置压块;以及
利用上述压块对上述半导体元件加压并同时使上述焊料熔融,由此将半导体元件焊接到上述接合部上。
10.根据权利要求9所述的制造方法,其中,还具备:以使上述熔融的焊料遍布到上述半导体元件的与上述接合部相向的整个面上的方式,进行焊接。
11.根据权利要求9或10所述的制造方法,其中,还具备:通过将在表面具有金属电路的陶瓷绝缘体固定在具备制冷剂流路的金属制的散热器上,从而形成上述电路基板。
12.根据权利要求9或10所述的制造方法,其中,还具备:通过将在表面具有金属电路的多个陶瓷绝缘体固定在具备制冷剂流路的金属制的散热器上,从而形成上述电路基板。
13.根据权利要求11或12所述的制造方法,其中,还具备:通过铝或铜形成上述散热器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





