[发明专利]改进的分割系统和方法无效
申请号: | 200680048363.6 | 申请日: | 2006-12-20 |
公开(公告)号: | CN101341575A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 林仲振;白承昊;钟中杰;辛彦顺;盛奎方;林镍盛;安松隆 | 申请(专利权)人: | 洛克系统私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/304;H01L21/67;H01L21/784;B81C1/00;B28D5/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 分割 系统 方法 | ||
1.一种系统,所述系统用于从基片上分割IC单元,所述IC单元具有线性外边缘和非线性外边缘的组合,所述系统包括:轮廓切割装置,所述轮廓分割装置用于切割IC单元的非线性部分;纵向切割装置,所述纵向切割装置用于切割IC单元的线性部分,所述切割装置位于分割区域内。
2.根据权利要求1所述的系统,还包括分类装置,所述分类装置用于对已分割的IC单元进行分类,所述分类包含以下一种或多种的组合:通过、丢弃和重新加工。
3.根据权利要求1或2所述的系统,还包含装载装置,所述装载装置用于把基片装载到分割区域。
4.根据前述任一权利要求所述的系统,还包含卸载装置,所述卸载装置用于将已分割的IC单元从分割区域移除。
5.根据前述任一权利要求所述的系统,其中所述轮廓切割装置包括下列的任何一个或几个的组合:水喷射切割器,空气喷射切割器和激光切割器。
6.根据前述任一个权利要求所述的系统,其中所述纵向切割装置包括具有一个或两个锯片的切割锯。
7.一种方法,所述方法用于从基片上分割IC单元,所述IC单元具有线性外边缘和非线性外边缘的组合,所述方法包含以下步骤:
利用轮廓切割装置对IC单元的非线性部分进行轮廓切割,以及
利用纵向切割装置对IC单元的线性部分进行纵向切割,所述切割步骤在分割区域内进行。
8.根据权利要求7所述的方法,还包括将已分割的IC单元进行分类的步骤,所述分类包含以下的一种或多种的组合:通过,丢弃和重新加工。
9.根据权利要求7或8所述的方法,还包括将基片装载到分割区域的步骤。
10.根据权利要求7到9中任意一项所述的方法,还包含将已分割的IC单元从分割区域移除的步骤。
11.一种用于从第一基片分割多个IC单元的方法,所述方法包含以下步骤:
当所述台位于第一位置时,将第一基片装载到分割台上的第一位置;
进行第一基片的第一部分的第一预定切割;
从分割台抬升第一基片;
将分割台从第一位置转动到第二位置;
将第一基片更换到分割台上的第二位置;
进行第一基片的第二部分的预定切割以从第一基片上分割多个IC单元。
12.根据权利要求11所述的方法,还包括以下步骤:
当所述分割台位于第一位置时,将第二基片装载到分割台上与第一基片相邻的第二位置;
在第二基片的第二部分进行第二预定切割;
在第一基片的第一预定切割和第二基片的第二预定切割之后从分割台抬升第二基片;
在将分割台从第一位置转动到第二位置后,将第二基片更换到所述台上的第一位置;
进行第二基片的第一部分的第一预定切割,以从第二基片上分割多个IC单元。
13.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一和第二预定切割是沿着由基片限定的平面内的垂直轴的线性切割。
14.根据权利要求11所述的方法,其中所述第一预定切割是线性切割,第二预定切割是轮廓切割。
15.根据权利要求13或14所述的方法,其中每一线性切割都由切割锯完成。
16.根据权利要求14所述的方法,其中所述轮廓切割是由水喷射切割器、激光切割器和空气喷射切割器中任一个或几个的组合完成。
17.根据权利要求11到16中任意一项所述的方法,在分割多个IC单元后,所述IC单元从分割台上被卸载。
18.根据权利要求17所述的方法,还包括将所述台转回到第一位置的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于洛克系统私人有限公司,未经洛克系统私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200680048363.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:散热器支架结构改良
- 下一篇:一种盐酸可乐定眼用即型凝胶
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造