[发明专利]氮化镓类化合物半导体发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓类化合物半导体发光元件，其中，在基板上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层、发光层、p型半导体层的顺序将它们层叠，在该p型半导体层上层叠有透光性正极，并在该透光性正极上设置有正极接合垫，在前述n型半导体层上设置有负极接合垫；其特征在于：

在前述透光性正极表面的至少一部分形成有无序的凹凸面。

2.按照权利要求1所述的氮化镓类化合物半导体发光元件，其特征在于：

形成于前述透光性正极表面的无序的凹凸面中的凸部间的平均距离，按凸部中心间距离为0.01μm～3μm。

3.按照权利要求1所述的氮化镓类化合物半导体发光元件，其特征在于：

形成于前述透光性正极表面的无序的凹凸面中的凸部间的平均距离，按凸部中心间距离为0.05μm～1.5μm。

4.按照权利要求2或3所述的氮化镓类化合物半导体发光元件，其特征在于：

各凸部间距离相对于前述凸部间的平均距离的标准偏差为10％～80％。

5.按照权利要求1～3中的任何一项所述的氮化镓类化合物半导体发光元件，其特征在于：

前述透光性正极包含导电性氧化物。

6.按照权利要求1～3中的任何一项所述的氮化镓类化合物半导体发光元件，其特征在于：

前述透光性正极，含有选自ITO(In₂O₃-SnO₂)、AZO(ZnO-Al₂O₃)、IZO(In₂O₃-ZnO)、GZO(ZnO-GeO₂)中的至少一种材料。

7.一种氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于，包括下述(1)～(3)的工序：

(1)在基板上，按包含氮化镓类化合物半导体的n型半导体层、发 光层、p型半导体层、透光性正极的顺序将它们层叠的工序，

(2)在透光性正极表面上形成包含金属微粒的掩模的工序，和

(3)从该掩模上对透光性正极进行干蚀刻的工序。

8.按照权利要求7所述的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于：

前述工序(2)，包括在前述透光性正极表面形成金属薄膜的工序及该金属薄膜形成后的热处理工序。

9.按照权利要求7或8所述的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于：

形成前述掩模的金属微粒，为Ni或Ni合金。

10.按照权利要求7或8中的任何一项所述的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于：

形成前述掩模的金属微粒，为在100℃～450℃的温度范围具有熔点的低熔点金属或低熔点合金。

11.按照权利要求7或8中的任何一项所述的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于：

形成前述掩模的金属微粒，为选自Ni、Au、Sn、Ge、Pb、Sb、Bi、Cd、In中的低熔点金属中的至少一种或至少包含这些金属中的一种的低熔点合金。

12.按照权利要求7或8中的任何一项所述的氮化镓类化合物半导体发光元件的制造方法，其特征在于：

形成于前述透光性正极表面的至少一部分的凹凸面，通过湿蚀刻工序所形成。

13.一种灯，其特征在于：

包括权利要求1～6中的任何一项所述的氮化镓类化合物半导体发光元件。

14.一种灯，其特征在于：

包括通过权利要求7～12中的任何一项所述的制造方法所得到的氮化镓类化合物半导体发光元件。