[发明专利]预成型料、预成型料的制造方法、基板及半导体装置有效
| 申请号: | 200680045072.1 | 申请日: | 2006-11-30 |
| 公开(公告)号: | CN101321813A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
| 发明(设计)人: | 八月朔日猛;汤浅圆;滨谷和也;马场孝幸 | 申请(专利权)人: | 住友电木株式会社 |
| 主分类号: | C08J5/24 | 分类号: | C08J5/24;B32B27/04;H01L23/14;H05K1/03 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 成型 制造 方法 半导体 装置 | ||
1.一种预成型料,其特征在于,具有:
芯层,其含有作为玻璃纤维基材的片状基材;
第一树脂层,其设置在该芯层的一侧面上,并由第一树脂组合物构成;
第二树脂层,其设置在该芯层的另一侧面上,并由第二树脂组合物构成,
而且,在上述第二树脂层上形成具有布线的电路布线部时,上述第二树 脂组合物的一部分埋入上述电路布线部的上述布线彼此之间的空隙部,
上述第二树脂组合物的一部分埋入上述空隙部时埋入部分的上述第二 树脂层的厚度由下式1)表示,
上述第一树脂层的厚度与上述第二树脂层的上述厚度以及上述第一树 脂组合物与上述第二树脂组合物的组成中的至少一种为不相同,
B1=t1×(1-S/100)+t2 式1)
式中,B1表示上述第二树脂层的上述厚度,单位为μm;t1表示上述电 路布线部的厚度,单位为μm;S表示上述电路布线部的残铜率%;t2表示从 上述电路布线部的上面至上述第二树脂层的上面的厚度,单位为μm。
2.按照权利要求1所述的预成型料,其特征在于,上述第一树脂组合 物与上述第二树脂组合物的组成不同,在上述第一树脂层上形成导体层而使 用。
3.按照权利要求1所述的预成型料,其特征在于,上述第一树脂组合 物与上述第二树脂组合物的组成相同,并且上述第一树脂层的厚度与上述第 二树脂层的上述厚度不同,上述片状基材的厚度为25μm以下。
4.按照权利要求2所述的预成型料,其特征在于,将上述导体层接合 在上述第一树脂层时,上述第一树脂层与上述导体层的剥离强度为0.5kN/m 以上。
5.按照权利要求2所述的预成型料,其特征在于,上述第一树脂层的 上述厚度为3~15μm。
6.按照权利要求2所述的预成型料,其特征在于,上述第一树脂组合 物含固化性树脂。
7.按照权利要求6所述的预成型料,其特征在于,上述固化性树脂含 氰酸酯树脂。
8.按照权利要求7所述的预成型料,其特征在于,上述氰酸酯树脂含 酚醛清漆型氰酸酯树脂。
9.按照权利要求2所述的预成型料,其特征在于,上述第一树脂组合 物还含有固化剂。
10.按照权利要求9所述的预成型料,其特征在于,上述固化剂含咪唑 类化合物。
11.按照权利要求2所述的预成型料,其特征在于,上述第一树脂组合 物还含有与上述固化性树脂种类不同的第二树脂。
12.按照权利要求11所述的预成型料,其特征在于,上述第二树脂含 有苯氧基类树脂。
13.按照权利要求2所述的预成型料,其特征在于,上述第一树脂层的 厚度比上述第二树脂层的厚度薄。
14.按照权利要求3所述的预成型料,其特征在于,上述预成型料的厚 度为35μm以下。
15.按照权利要求3所述的预成型料,其特征在于,上述树脂组合物含 有固化性树脂。
16.按照权利要求15所述的预成型料,其特征在于,上述固化性树脂 含氰酸酯树脂。
17.按照权利要求3所述的预成型料,其特征在于,上述树脂组合物还 含有无机填充材料。
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