[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680041872.6 | 申请日： | 2006-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101305465A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 楠本直人;大泽信晴;汤川干央;道前芳隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/10;H01L27/28;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/786;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 段晓玲;孙秀武 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.半导体器件制造方法，包括：
在第一衬底上形成第一导电层；
对第一导电层的表面进行氧化处理；
在经过氧化处理的第一导电层上形成有机化合物层；
在有机化合物层上形成第二导电层以制造存储元件；
将具有挠性的第二衬底粘贴到第二导电层上；
从第一衬底上剥离存储元件；和
将该存储元件用粘合层粘贴到第三衬底上，
其中第二导电层包含铟、锡、铅、铋、钙、锰和锌中的一种或多种。
2.半导体器件，包括：
存储元件，该存储元件在第一导电层和第二导电层之间包含有机化合物层，
其中第一导电层和第二导电层中的至少一层包含铟、锡、铅、铋、钙、锰和锌中的一种或多种。
3.半导体器件，包括：
存储元件，该存储元件在第一导电层和第二导电层之间包含有机化合物层，
其中第一导电层和第二导电层中的至少一层经由含氧化物的薄膜与有机化合物层接触。
4.半导体器件，包括：
存储元件，该存储元件在第一导电层和第二导电层之间包含有机化合物层，
其中第一导电层经由含氧化物的薄膜与有机化合物层接触，且
其中第二导电层包含铟、锡、铅、铋、钙、锰和锌中的一种或多种。
5.根据权利要求2至4任一项的半导体器件，
其中第一导电层含有钛，且通过对第一导电层的表面的氧化处理提供含氧化钛的薄膜。
6.根据权利要求2至4任一项的半导体器件，
其中在具有挠性的衬底上提供第一导电层、有机化合物层和第二导电层。
7.根据权利要求6的半导体器件，
其中在具有挠性的衬底上用粘合层提供第一导电层、有机化合物层和第二导电层。
8.根据权利要求2至4任一项的半导体器件，
其中在通过施加电作用来写入存储元件后，第一导电层和第二导电层彼此部分接触。
9.根据权利要求2至4任一项的半导体器件，
其中在通过施加电作用来写入存储元件后，有机化合物层的厚度改变。
10.半导体器件制造方法，包括：
形成第一导电层；
在第一导电层上形成有机化合物层；和
在有机化合物层上形成第二导电层以制造存储元件，
其中第一导电层和第二导电层中的至少一层包含铟、锡、铅、铋、钙、锰和锌中的一种或多种。
11.半导体器件制造方法，包括：
形成第一导电层；
对第一导电层的表面进行氧化处理；
在经过氧化处理的第一导电层上形成有机化合物层；和
在有机化合物层上形成第二导电层以制造存储元件。
12.半导体器件制造方法，包括：
形成第一导电层；
对第一导电层的表面进行氧化处理；
在经过氧化处理的第一导电层上形成有机化合物层；和
在有机化合物层上形成第二导电层以制造存储元件，
其中第二导电层包含铟、锡、铅、铋、钙、锰和锌中的一种或多种。
13.半导体器件制造方法，包括：
在第一衬底上形成第一导电层；
在第一导电层上形成有机化合物层；
在有机化合物层上形成第二导电层以制造存储元件；
将具有挠性的第二衬底粘贴到第二导电层上；
将存储元件从第一衬底上剥离；和
将该存储元件用粘合层粘贴到第三衬底上，
其中第一导电层和第二导电层中的至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰和锌中的一种或多种。
14.半导体器件制造方法，包括：
在第一衬底上形成第一导电层；
对第一导电层的表面进行氧化处理；
在经过氧化处理的第一导电层上形成有机化合物层；
在有机化合物层上形成第二导电层以制造存储元件；
将具有挠性的第二衬底粘贴到第二导电层上；
将存储元件从第一衬底上剥离；和
将该存储元件用粘合层粘贴到第三衬底上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
