[发明专利]包括硅化物纵梁移除工艺的半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，包括：

形成覆盖栅介电层的栅电极，其中栅介电层覆盖晶片衬底；

形成衬垫介电层，其包括邻接栅电极侧壁的垂直部分和覆盖半导体衬底上表面的水平部分；

形成延伸间隙壁，其邻接衬垫介电层的垂直部分，并且覆盖衬垫介电层的水平部分；

在所述延伸间隙壁形成之后，移除衬垫介电层的暴露部分，以形成由延伸间隙壁覆盖的衬垫介电结构，并暴露衬底的一部分；

回蚀延伸间隙壁，从而显现该衬垫介电结构的末端；

在所述回蚀之后，移除衬垫介电结构的暴露末端的至少一部分；以及

在衬底的暴露部分上形成硅化物。

2.如权利要求1的方法，其中形成该衬垫介电层包括在晶片上沉积保形的氧化物。

3.如权利要求2的方法，其中形成延伸间隙壁包括在衬垫介电层上沉积氮化硅层，以及各向异性地蚀刻该氮化硅层。

4.如权利要求3的方法，进一步包括，在所述回蚀之前，在晶片上非选择性地沉积金属层。

5.如权利要求4的方法，其中沉积金属层包括溅射沉积该金属层。

6.如权利要求1的方法，其中所述移除暴露末端的至少一部分包括溅射清洗所述晶片。

7.如权利要求6的方法，其中所述溅射清洗包括利用氩离子的射频溅射。

8.一种半导体制造方法，包括：

在邻接于导电电极的衬垫介电层上形成间隙壁；

移除衬垫介电层的暴露部分以形成衬垫介电结构；

沉积金属层；

在所述金属层与半导体接触处选择性地形成硅化物，并移除该金属层的其它部分；

回蚀间隙壁以暴露所述衬垫介电结构的末端；以及

移除该衬垫介电结构的暴露末端。

9.如权利要求8的方法，其中所述间隙壁的形成包括在氧化物衬垫层上形成氮化硅间隙壁。

10.如权利要求8的方法，其中移除衬垫介电层的暴露部分包括在HF溶液中湿法蚀刻暴露部分。

11.如权利要求8的方法，其中沉积金属层包括溅射沉积选自由钛、钴、镍、钯、铂和它们的合金构成的组中的金属。

12.如权利要求8的方法，进一步包括，在所述回蚀之后，在食人鱼溶液中清洗晶片。

13.如权利要求8的方法，其中回蚀间隙壁包括干法蚀刻该间隙壁。

14.如权利要求13的方法，其中所述移除暴露末端包括溅射清洗晶片。

15.如权利要求14的方法，其中所述溅射清洗包括利用氩离子的射频溅射。

16.一种半导体制造方法，包括：

在邻接栅电极侧壁的衬垫介电层上形成间隙壁，所述栅电极位于晶片衬底上；

以湿法蚀刻移除衬垫介电层的暴露部分，其中湿法蚀刻在介电层的末端部分产生凹陷的凹口；

溅射沉积金属层；

回蚀间隙壁以暴露介电层的末端部分；以及

移除该介电层的暴露的末端部分。

17.如权利要求16的方法，其中回蚀间隙壁包括干法蚀刻该间隙壁。

18.如权利要求17的方法，其中移除介电层的暴露末端部分包括溅射蚀刻该介电层的暴露部分。

19.如权利要求18的方法，其中溅射沉积进一步包括预清洗，其中所述预清洗包括溅射蚀刻。

20.如权利要求16的方法，进一步包括：

退火晶片以使与硅接触的金属层发生反应。