[发明专利]正性光致抗蚀剂组合物、厚膜光致抗蚀剂层压材料、用于制备厚膜抗蚀剂图案的方法以及用于制备接线端子的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种正性光致抗蚀剂组合物、厚膜光致抗蚀剂层压材料、用于制备厚膜抗蚀剂图案的方法和用于制备接线端子的方法。

本申请要求在2005年3月30日提交的日本专利申请2005-099442的优先权，该申请的公开内容通过引用结合在此。

背景技术

随着电子装置的最近小型化，存在朝LSI的更高集成化的快速进展。为了在电子装置上安装LSI，使用了将由突起电极构成的接线端子安置在支持体比如基底上的多针(multipin)薄膜包装方法。在这种多针包装方法中，使用了由从支持体上突出的隆起构成的接线端子以及含有从支持体上突出的被称作金属柱的支柱和在其上形成的焊球的接线端子。

所述隆起或金属柱可以例如通过如下步骤形成：在具有在顶面上形成的由铜构成的部分的基底上，形成厚度为5μm或更大的厚膜抗蚀剂图案，所述顶面优选为其上形成有铜基底的光致抗蚀剂层的面(顶面)；将其曝光到穿过所需掩模图案的光；将其显影，以选择性除去(剥离)构成接线端子的部分；由此形成抗蚀剂图案；使用电镀技术将由铜、金、镍或焊料构成的导体埋入被除去的部分(非抗蚀剂部分)内，最后将在该部分周围的抗蚀剂图案除去。

作为高度敏感的光敏性树脂组合物，已知的是使用酸生成剂的化学放大型光致抗蚀剂组合物。在化学放大型光致抗蚀剂组合物中，酸是在辐射的辐照下由酸生成剂产生的。当在曝光之后进行热处理时，酸的生成被加速，因此在抗蚀剂组合物中的基本树脂(base resin)的碱溶性改变。在碱中不溶的变成在碱中溶解的抗蚀剂组合物被称作正性抗蚀剂组合物，反之，在碱中溶解的变成在碱中不溶的抗蚀剂组合物被称作负性抗蚀剂组合物。如上所述，在化学放大型光致抗蚀剂组合物中，相比于光反应效率(每一个光子的反应)小于1的常规抗蚀剂，实现了非常高的灵敏性，

然而，当使用化学放大型光致抗蚀剂组合物在含有铜的基底上形成光致抗蚀剂层时，引起的问题是，由于铜所施加的不良影响而导致不能获得高的精确度的抗蚀剂图案。

专利文献1(日本未审查专利申请，第一次公布2003-140347)提出了一种将基底和含有树脂和酸生成剂的厚膜光致抗蚀剂层通过由有机物质制成的层进行层压的技术，所述树脂通过酸的作用改变其碱溶性，所述由有机物质制成的层防止了在基底和厚膜光致抗蚀剂层之间的接触。

发明内容

在上述使用防护层的方法中，步骤的数量增加。该方法还具有比如成本增加的问题。

由于防护层的材料是有机物质，因此干燥条件根据基底下层的厚度、材料和结构而变化，由此导致了在制备时必需精确控制时间和温度的问题。

由有机物质制成的防护层可能在与光致抗蚀剂层的混合(mixing)上较差。混合指的是当将两层或更多层被层压时，相邻层在它们之间的界面上被溶解并且掺杂的现象。

在这些情况下，完成了本发明，并且本发明的一个目的是提供一种正性光致抗蚀剂组合物，该组合物即使在其上形成有光致抗蚀剂层的表面内含有铜的基底上，也能够形成抗蚀剂图案；厚膜光致抗蚀剂层压材料；制备厚膜抗蚀剂图案的方法和用于制备接线端子的方法。

为了实现上述目的，本发明使用下列组合物。

本发明的第一方面涉及一种正性光致抗蚀剂组合物，该组合物用于曝光到具有选自g-射线、h-射线和i-射线中的一种或多种波长的光，所述组合物包括：

(A)在活性射线或辐射的辐照下产生酸的化合物，和

(B)树脂，所述的树脂在碱中的溶解性受酸的作用而提高，其中

组分(A)包含在阳离子部分具有萘环的鎓盐(A1)。

本发明的第二方面涉及一种厚膜光致抗蚀剂层压材料，该厚膜光致抗蚀剂层压材料包括相互层压的基底和厚膜光致抗蚀剂层，所述厚膜光致抗蚀剂层具有10至150μm的厚度并且由本发明的正性光致抗蚀剂组合物制成。

本发明的第三方面是涉及一种用于制备厚膜抗蚀剂图案的方法，所述方法包括获得本发明的厚膜光致抗蚀剂层压材料的层压步骤；使厚膜光致抗蚀剂层压材料选择性曝光到具有选自g-射线、h-射线和i-射线中的一种或多种波长的光的曝光步骤；以及曝光步骤之后显影以获得厚膜抗蚀剂图案的显影步骤；

本发明的第四方面涉及一种用于制备接线端子的方法，该方法包括：在由本发明的用于制备厚膜抗蚀剂图案的方法获得的厚膜抗蚀剂图案的非抗蚀剂部分上，形成由导体制成的接线端子的步骤。