[发明专利]正性光致抗蚀剂组合物、厚膜光致抗蚀剂层压材料、用于制备厚膜抗蚀剂图案的方法以及用于制备接线端子的方法

权利要求书

1.一种用于曝光到具有选自g-射线、h-射线和i-射线中的一种或多种波长的光的正性光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：

(A)在活性射线或辐射的辐照下产生酸的化合物，和

(B)树脂，所述的树脂在碱中的溶解性通过酸的作用得到提高，其中

所述组分(A)包含在阳离子部分具有萘环的鎓盐(A1)。

2.根据权利要求1的正性光致抗蚀剂组合物，所述组合物用于厚膜。

3.根据权利要求1的正性光致抗蚀剂组合物，所述组合物用于在其上形成有光致抗蚀剂层的表面中含有铜的基底。

4.根据权利要求1的正性光致抗蚀剂组合物，其中所述组分(A1)的阳离子部分由下列通式(A1)表示：

[化学式1]

其中，R⁴¹、R⁴²和R⁴³中的至少一个表示由下列通式(A1-0)表示的基团并且其它表示具有1至4个碳原子的直链或支链烷基、可以具有取代基的苯基、羟基或具有1至4个碳原子的直链或支链烷氧基；或者R⁴¹、R⁴²和R⁴³中的至少一个表示下列通式(A1-0)表示的基团，其它两个取代基各自独立地表示具有1至4个碳原子的直链或支链亚烷基，并且它们的末端可以结合形成环；

[化学式2]

其中，R⁵¹和R⁵²各自独立地表示羟基、具有1至4个碳原子的直链或支链烷氧基或具有1至4个碳原子的直链或支链烷基；R⁵³表示单键或可以具有取代基的含1至4个碳原子的直链或支链亚烷基；而p和q各自独立地表示0或1至2的整数，并且p+q为3或更小，还可以当存在多个R⁵¹时彼此相同或不同，或者可以当存在多个R⁵²时彼此相同或不同。

5.根据权利要求1所述的正性光致抗蚀剂组合物，其中所述组分(A1)为锍盐。

6.根据权利要求1所述的正性光致抗蚀剂组合物，还包括(C)碱溶性树脂。

7.根据权利要求1所述的正性光致抗蚀剂组合物，还包括(D)酸扩散抑制剂。

8.一种厚膜光致抗蚀剂层压材料，其包括基底和由根据权利要求1的所述正性光致抗蚀剂组合物制成的厚度为10至150μm的厚膜光致抗蚀剂层，所述基底和厚膜光致抗蚀剂层彼此层压。

9.根据权利要求8所述的厚膜光致抗蚀剂层压材料，其中所述基底为在其上形成有所述光致抗蚀剂层的表面中含有铜的基底。

10.一种用于制备厚膜抗蚀剂图案的方法，所述方法包括获得根据权利要求8的厚膜光致抗蚀剂层压材料的层压步骤；将所述厚膜光致抗蚀剂层压材料选择性曝光到具有选自g-射线、h-射线和i-射线中的一种或多种波长的光的曝光步骤；以及在曝光之后显影以获得厚膜抗蚀剂图案的显影步骤。

11.一种用于制备接线端子的方法，所述方法包括在厚膜抗蚀剂图案的非抗蚀剂部分上形成由导体制成的接线端子的步骤，所述厚膜抗蚀剂图案是由根据权利要求10的制备厚膜抗蚀剂图案的方法获得的。

12.根据权利要求11所述的用于制备接线端子的方法，所述方法使用了在所述形成有光致抗蚀剂层的表面中含有铜的基底上形成的所述厚膜抗蚀剂图案。