[发明专利]元件基板、检查方法及半导体装置制造方法有效

专利信息
申请号: 200680007477.6 申请日: 2006-03-02
公开(公告)号: CN101137912A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 加藤清;泉小波;早川昌彦;镰田康一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: G01R31/308 分类号: G01R31/308;H01L21/822;H01L27/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;刘宗杰
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 元件 检查 方法 半导体 装置 制造
【说明书】:

技术领域

本发明涉及元件基板、检查方法以及使用该检查方法的半导体装置制造方法。

背景技术

近年来,用于无线地发送/接收数据的半导体装置(称为无线芯片、RFID标签等)的发展有所进步。

通常,对于制造LSI芯片的情形,用于评价特性的元件或电路形成于用于形成该LSI芯片的基板上,其中该元件或电路称为TEG(测试基本组)。通过评价该TEG,可以测试LSI芯片的制造工艺或用于设计LSI的参数。无线芯片也由LSI芯片形成,且TEG提供于用于形成LSI芯片的基板上,从而测试制造工艺等。

此外,在半导体装置的检查工艺中,建议了一种无接触检查工艺(见专利文献1)。

[专利文献1]日本专利公报No.2003-31814

发明内容

尽管形成于硅晶片上的LSI芯片已知在目前作为用于形成无线芯片的LSI芯片,提供于柔性基板上的芯片(下文中称为柔性芯片)的发展已经有所进步。柔性芯片由于非常薄且是柔性的,因此可以用于各种应用。

通常将称为探针器(prober)的引脚接触其上形成有TEG的基板来测量电学特性,由此评价该芯片。然而,难以通过接触引脚来自动地测量柔性芯片,因为存在损伤薄半导体层的高风险。因此,为了通过接触来测量,要求手动地将引脚精确地与芯片接触或者使用各向异性导电膜,这要耗费大量的时间和精力。

因此,难以高效地且高可靠度地测量柔性芯片。

此外,TEG遭受通过电极焊盘(pad)而静电击穿的危险。这种问题是由于暴露电极导致的。因此,为了改善TEG评价的可靠性而言,包含尽可能少的电极焊盘或不包含电极焊盘的TEG以及用于评价这种TEG的方法是有效的。

因此,本发明提供了一种TEG,通过使用无线技术其能够评价半导体元件的特性而尽可能不接触电极或根本不接触电极,并且提供了其上形成有该TEG的元件基板及其测量方法。

在本发明中采用了下述手段来解决这些问题。

本发明提供了一种设有测试基本组(TEG)的元件基板,该TEG包括其中天线线圈和半导体元件串联连接的闭环电路,其中其上形成有该闭环电路的区域的表面覆盖有绝缘膜。可以使用该元件基板来评价半导体元件的特性。

本发明的另一个模式提供了一种设有TEG的柔性元件基板,其中该TEG包括其中天线线圈和半导体元件串联连接的闭环电路。使用该柔性元件基板可以评价半导体元件的特性。

本发明的另一个模式提供了一种设有TEG的元件基板,该TEG包括其中天线线圈、电容器和半导体元件串联连接的闭环电路,其中其上形成有该闭环电路的区域的表面覆盖有绝缘膜。可以使用该元件基板来评价半导体元件的特性。

本发明的另一个模式提供了一种设有TEG的柔性元件基板,其中该TEG包括其中天线线圈、电容器和半导体元件串联连接的闭环电路。使用该柔性元件基板可以评价半导体元件的特性。

本发明的另一个模式提供了一种设有TEG的元件基板,该TEG包括天线线圈、电源电路、环形振荡器和晶体管,其中该电源电路将电源电压提供给环形振荡器,该天线线圈连接到以该环形振荡器的振荡频率在其中进行负载调制的电路,且其上形成有该电源电路、环形振荡器和晶体管的区域的表面覆盖有绝缘膜。可以使用该元件基板来评价半导体元件的特性。

本发明的另一个模式提供了一种设有TEG的柔性元件基板,该TEG包括天线线圈、电源电路、环形振荡器和晶体管,其中该电源电路将电源电压提供给环形振荡器,且该天线线圈连接到以该环形振荡器的振荡频率在其中进行负载调制的电路。使用该柔性元件基板可以评价半导体元件的特性。

本发明的另一个模式提供了一种设有TEG的元件基板,该TEG包括天线线圈、环形振荡器、晶体管和用于提供电源电压至该环形振荡器的电极焊盘,其中该天线线圈连接到以该环形振荡器的振荡频率在其中进行负载调制的电路,且其中提供该电源电路、环形振荡器和晶体管的区域的表面由该电极焊盘或绝缘膜形成。可以使用该元件基板来评价半导体元件的特性。

本发明的另一个模式提供了一种设有TEG的柔性元件基板,该TEG包括天线线圈、环形振荡器、晶体管和用于提供电源电压至该环形振荡器的电极焊盘,其中该天线线圈连接到以该环形振荡器的振荡频率在其中进行负载调制的电路。使用该柔性元件基板可以评价半导体元件的特性。

根据本发明的检查方法,通过施加电磁波到任意前述元件基板并测量该元件基板所吸收的功率来评价半导体元件的特性。

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