[发明专利]SONOS快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种SONOS快闪存储器的制作方法，包括如下步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅栅极结构、位于多晶硅栅极结构之间的介电层以及半导体衬底内位于栅极结构两侧的源极和漏极，所述多晶硅栅极结构具有作为栅极的第一多晶硅层；

在多晶硅栅极结构以及介电层表面形成第二多晶硅层；

刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层形成字线；

采用湿法刻蚀工艺刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层的步骤。

2.根据权利要求1所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层的刻蚀剂包括NH₄OH，H₂O₂和H₂O。

3.根据权利要求2所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，H₂O₂与NH₄OH的体积比为1～10；H₂O与NH₄OH的体积比为10～250。

4.根据权利要求1所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，湿法刻蚀工艺刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层的刻蚀温度为40℃至90℃，刻蚀时间为3至10分钟。

5.根据权利要求1所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，刻蚀第二多晶硅层和第一多晶硅层形成字线的工艺步骤为：在第二多晶硅层上形成第二腐蚀阻挡层以及在存储器字线方向具有开口的掩膜；刻蚀第二腐蚀阻挡层以及第二多晶硅层和第一多晶硅层；去除第二腐蚀阻挡层。

6.根据权利要求5所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，刻蚀第二腐蚀阻挡层以及第二多晶硅层和第一多晶硅层的刻蚀工艺为干法刻蚀。

7.根据权利要求1所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述的栅极结构还具有位于半导体衬底和第一多晶硅层之间的介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构。

8.根据权利要求1所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述介质层-捕获电荷层-介质层的三层堆叠结构为氧化硅-氮化硅-氧化硅层。

9.根据权利要求1所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第一腐蚀阻挡层和第二腐蚀阻挡层材料为氮化硅层。

10.根据权利要求1所述SONOS快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述介电层材料为氧化硅。