[发明专利]氮化物半导体衬底及器件有效
| 申请号： | 200610099937.4 | 申请日： | 1998-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN1933195A | 公开（公告）日： | 2007-03-21 |
| 发明（设计）人： | 清久裕之;中村修二;小崎德也;岩佐成人;蝶蝶一幸 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00;C30B29/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谷惠敏;钟强 |
| 地址： | 日本德岛*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 衬底 器件 | ||
【说明书】：
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