[发明专利]半导体隔离结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200610029912.7 | 申请日： | 2006-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123205A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 叶好华;毛刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 隔离 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上形成多孔绝缘层；
在多孔绝缘层上形成绝缘阻挡层；
在绝缘阻挡层上形成光刻胶掩膜；
图案化光刻胶掩膜，从而在半导体衬底上定义有源区和隔离区；
刻蚀与有源区对应的绝缘阻挡层和多孔绝缘层形成隔离沟槽；
去除光刻胶；
在隔离沟槽内填充单晶硅；
平坦化所述单晶硅。
2.根据权利要求1所述的半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的多孔绝缘层为多孔二氧化硅或者多孔氮氧化硅。
3.根据权利要求2所述的半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的多孔绝缘层空隙率为30至60％。
4.根据权利要求2所述的半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的形成多孔二氧化硅的工艺为阳极氧化法。
5.根据权利要求1所述的半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的多孔绝缘层厚度为500nm至600nm。
6.根据权利要求1所述的半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的绝缘阻挡层为二氧化硅或者氮氧化硅。
7.根据权利要求1所述的半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的绝缘阻挡层厚度为100nm至200nm。
8.根据权利要求1所述的半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，所述的半导体衬底为硅。
9.根据权利要求1所述的半导体隔离结构的形成方法，其特征在于，在隔离沟槽内填充的单晶硅是在与有源区对应的半导体衬底上外延生长形成的。
10.一种半导体隔离结构，包括：半导体衬底，在半导体衬底上形成的隔离区，以及位于隔离区之间的有源区，其特征在于，所述的隔离区包括位于半导体衬底上的多孔绝缘层和位于多孔绝缘层上的绝缘阻挡层。
11.根据权利要求10所述的半导体隔离结构，其特征在于，所述的多孔绝缘层为多孔二氧化硅或者多孔氮氧化硅。
12.根据权利要求10所述的半导体隔离结构，其特征在于，所述的多孔绝缘层厚度为500nm至600nm。
13.根据权利要求10所述的半导体隔离结构，其特征在于，所述的绝缘阻挡层为二氧化硅或者氮氧化硅。
14.根据权利要求10所述的半导体隔离结构，其特征在于，所述的绝缘阻挡层厚度为100nm至200nm。
15.根据权利要求10所述的半导体隔离结构，其特征在于，所述的半导体衬底为硅。
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