[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，包含：

第一氮化物半导体层；

在所述第一氮化物半导体层上形成的有源层；和

在所述有源层上形成的“C(碳)”掺杂的第二氮化物半导体层；

其中所述“C”掺杂的第二氮化物半导体层是通过δ掺杂形成的。

2.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述第一氮化物半导体层是第一电极接触层。

3.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述“C”掺杂的第二氮化物半导体层是第二电极接触层。

4.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，还包含：

衬底；

在所述衬底上形成的缓冲层；和

在所述缓冲层上形成铟掺杂的氮化物半导体层，其中在所述第一氮化物半导体层下顺序形成所述衬底、所述缓冲层和所述铟掺杂的氮化物半导体层。

5.根据权利要求4的氮化物半导体发光器件，其中所述缓冲层具有选自AlInN/GaN的堆叠结构、InGaN/GaN的超晶格结构、In_xGa_1-xN/GaN的堆叠结构、和Al_xIn_yGa_1-(x+y)N/In_xGa_1-xN/GaN的堆叠结构的结构。

6.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述第一氮化物半导体层形成为AlGaN/n-GaN的超晶格结构或Si和In掺杂的n-GaN层并堆叠至少一次。

7.根据权利要求6的氮化物半导体发光器件，其中所述AlGaN/n-GaN的超晶格结构具有260～的一个周期性厚度。

8.根据权利要求6的氮化物半导体发光器件，其中构成所述第一氮化物半导体层的所述AlGaN层是未掺杂层并且形成10～的厚度，并且具有5％～30％的Al组分。

9.根据权利要求6的氮化物半导体发光器件，其中所述Si和In掺杂的n-GaN层具有1～4μm的厚度。

10.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述“C”掺杂的第二氮化物半导体层包含未掺杂的GaN层和通过δ掺杂形成的“C ”掺杂的p-GaN层，TMGa MO源的剂量是变化的，一对所述未掺杂的GaN层和所述“C”掺杂的p-GaN层形成一个周期，并且所述“C ”掺杂的第二氮化物半导体层重复生长至少一个周期。

11.根据权利要求10的氮化物半导体发光器件，其中当所述“C”掺杂的p-GaN层生长时，所述TMGa MO源的剂量增加超过两倍。

12.根据权利要求10的氮化物半导体发光器件，其中当引入所述“C”掺杂的第二氮化物半导体层的源时，进一步引入NH₃。

13.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述“C”掺杂的第二氮化物半导体层包含“C”掺杂的p-GaN层，其中至少改变TMGa MO源的剂量。

14.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中通过TMGa MO源的热离解产生掺杂到所述“C”掺杂的第二氮化物半导体层中的碳。

15.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述“C ”掺杂的第二氮化物半导体层总厚度为50～

16.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，还包含在所述第一氮化物半导体层和所述有源层之间形成并且具有小于5％铟含量的低摩尔氮化物半导体层。

17.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，其中所述有源层形成为由阱层和势垒层组成的单量子阱层或者多量子阱层，并且在所述阱层和所述势垒层之间还形成SiN_x簇层。

18.根据权利要求1的氮化物半导体发光器件，还包含在所述“C”掺杂的第二氮化物半导体层上形成用作第二电极接触层的第三氮化物半导体层。

19.根据权利要求18的氮化物半导体发光器件，其中所述第三氮化物半导体层由具有SG(超梯度)结构的n-InGaN层形成，在所述SG结构中铟含量逐渐变化。