[发明专利]金氧半导体晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：包括：

提供一基底，该基底上已形成有一栅极，且该栅极侧壁已形成有一间隙壁；

在该间隙壁侧边的该基底内形成一源/漏极区；

在该栅极与该源/漏极区暴露出的表面上形成复数个自行对准的金属硅化层；

去除部分该间隙壁，使其成为一锐角间隙壁；

对该基底进行一倾斜角离子植入，以在该栅极侧边与该锐角间隙壁下的该基底内形成一源/漏极延伸区。

2.根据权利要求1所述的金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：该锐角间隙壁的剖面大致呈三角形。

3.根据权利要求1所述的金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：在形成该源/漏极延伸区之后，还包括进行一热循环处理，以调整该源/漏极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。

4.根据权利要求1所述的金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：该间隙壁的材质包括氮化硅。

5.根据权利要求1所述的金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：形成该些自行对准的金属硅化层的步骤包括：

在该基底上形成一金属层并覆盖该栅极；

进行一热处理步骤，使该金属层与该栅极及该源/漏极区反应形成该些自行对准的金属硅化层；

去除剩余未反应的该金属层。

6.一种金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：包括：

提供一基底，该基底上已形成有一栅极；

在该栅极侧壁形成一间隙壁；

在该间隙壁侧边的该基底内形成一源/漏极区；

去除部分该间隙壁，以形成一锐角间隙壁；

对该基底进行一倾斜角离子植入，以在该栅极侧边与该锐角间隙壁下的该基底内形成一源/漏极延伸区。

7.根据权利要求6所述的金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：该锐角间隙壁的剖面大致呈三角形。

8.根据权利要求6所述的金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：形成该源/漏极区之后，还包括在该栅极与该源/漏极区暴露出的表面上形成复数个自行对准的金属硅化层。

9.根据权利要求8所述的金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：形成该些自行对准的金属硅化层的步骤包括：

在该基底上形成一金属层并覆盖该栅极；

进行一热处理步骤，使该金属层与该栅极及该源/漏极区反应形成该些自行对准的金属硅化层；

去除剩余未反应的该金属层。

10.根据权利要求6所述的金氧半导体晶体管的制造方法，其特征在于：在形成该源/漏极延伸区之后，还包括进行一热循环处理，以调整该源/漏极延伸区的接合深度与掺杂轮廓。