[发明专利]防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法

权利要求书

1.一种防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，包括：

提供待清洗的一晶片，该晶片上已形成有一金属层；

将该晶片置入一第一化学清洗装置中，以一第一化学清洗液清洗该晶片，并以阴极保护法保护该金属层；

洗净该晶片上的该第一化学清洗液；

干燥该晶片。

2.根据权利要求1所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：提供阴极保护的该第一化学清洗装置包括：

一化学清洗槽，内置该第一化学清洗液，而该晶片置于该第一化学清洗液中；

一隔离槽，内置一电解质溶液，且该隔离槽与该化学清洗槽之间以一盐桥相连；

一牺牲阳极，置于该电解质溶液中；

一电源供应装置，与该牺牲阳极与该晶片与电性连接，且该电源供应装置所提供的电压足以使该牺牲阳极上产生氧化反应，并提供电子给该晶片以产生阴极保护效果。

3.根据权利要求1所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗法，其中该第一化学清洗液包括组成为NH4OH/H2O2/H2O＝1∶1∶5的SC1清洗液。

4.根据权利要求1所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：在该干燥该晶片的步骤之前还包括：

将该晶片置入一第二化学清洗装置中，使用一第二化学清洗液清洗该晶片以洗去该第一化学清洗液所无法去除的至少一污染物，其中并以阴极保护法保护该金属层；

洗净该晶片上的该第二化学清洗液。

5.根据权利要求4所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：提供阴极保护的该第二化学清洗装置包括：

一化学清洗槽，内置该第二化学清洗液，而该晶片是置于该第二化学清洗液中；

一隔离槽，内置一电解质溶液，且该隔离槽与该化学清洗槽之间以一盐桥相连；

一牺牲阳极，置于该电解质溶液中；

一电源供应装置，与该牺牲阳极与该晶片电性连接，且该电源供应装置所提供的电压足以使该牺牲阳极上产生氧化反应，并提供电子给该晶片以产生阴极保护效果。

6.根据权利要求5所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：该第二化学清洗液包括组成为HCl/H2O2/H2O＝1∶1∶6的SC2清洗液。

7.一种防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：包括：

提供待清洗的一晶片，该晶片上已形成有一金属层；

将该晶片置入一第一化学清洗装置中，以一第一化学清洗液清洗该晶片，其中并以阴极保护法保护该金属层；

洗净该晶片上的该第一化学清洗液；

将该晶片置入一第二化学清洗装置中，使用一第二化学清洗液清洗该晶片以除去该第一化学清洗液所无法除去的至少一污染物，其中并以阴极保护法保护该金属层；

洗净该晶片上的该第二化学清洗液；

干燥该晶片。

8.根据权利要求7所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：提供阴极保护的该第一化学清洗装置包括：

一化学清洗槽，内置该第一化学清洗液，而该晶片是置于该第一化学清洗液中；

一隔离槽，内置一电解质溶液，且该隔离槽与该化学清洗槽之间以一盐桥相连；

一牺牲阳极，置于该电解质溶液中；

一电源供应装置，与该牺牲阳极与该晶片电性连接，且该电源供应装置所提供的电压足以使该牺牲阳极上产生氧化反应，并提供电子给该晶片以产生阴极保护效果。

9.根据权利要求7所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：该第一化学清洗液包括组成为NH4OH/H2O2/H2O＝1∶1∶5的SC1清洗液。

10.根据权利要求7所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：提供阴极保护的该第二化学清洗装置包括：

一化学清洗槽，内置该第二化学清洗液，而该晶片是置于该第二化学清洗液中；

一隔离槽，内置一电解质溶液，且该隔离槽与该化学清洗槽之间以一盐桥相连；

一牺牲阳极，置于该电解质溶液中；

一电源供应装置，与该牺牲阳极与该晶片电性连接，且该电源供应装置所提供的电压足以使该牺牲阳极上产生氧化反应，并提供电子给该晶片以产生阴极保护效果。

11.根据权利要求7所述的防止金属腐蚀的半导体工艺的清洗方法，其特征在于：该第二化学清洗液包括组成为HCl/H2O2/H2O＝1∶1∶6的SC2清洗液。