[发明专利]金属互接件以及采用金属互接件的有源矩阵基底

权利要求书

1、在玻璃基底(11)上形成的金属互接件，该金属互接件包括一用于互接线的接地图案薄膜(12)和一通过在接地图案薄膜上有选择地进行喷镀而形成的喷镀膜(13)，其特征在于喷镀膜(13)两侧与玻璃基底(11)表面形成的锥角α的范围为0＜α≤90°。

2、如权利要求1所述的金属互接件，其特征在于接地图案薄膜(12)两侧与玻璃基底(11)表面形成的锥角β的范围为0＜β≤0°，在一不被接地图案薄膜(12)覆盖的区域内玻璃基底(11)的采挖量(digging quantity)Y的范围为0≤Y≤200，喷镀膜(13)的厚度X的范围为Y≤X≤8000。

3、如权利要求1所述的金属互接件，其特征在于接地图案薄膜(12)包括ITO或二氧化锡。

4、如权利要求1所述的金属互接件，其特征在于接地图案薄膜(12)包括聚酰亚胺。

5、如权利要求1所述的金属互接件，其特征在于喷镀膜(13)是一包括由铜、金、镍和银组成的一组材料中的任何一种金属的单层膜，或者是包括至少一单层膜的多层膜，该单层膜包括由铜、金、镍和银组成的一组材料中的任何一种金属。

6、如权利要求1所述的金属互接件，其特征在于喷镀是无电喷镀。

7、一种使用如权利要求1所述金属互接件的有源矩阵基底。

8、如权利要求7所述的有源矩阵基底，其特征在于喷镀膜(13)两侧与玻璃基底(11)表面形成的锥角α的范围为20°≤α≤75°。