[发明专利]透明电极基板及其制造方法和有机发光二极管

说明书

本发明涉及一种透明电极基板及其制造方法，特别涉及一种可增加无机物型的透明电极板与有机共轭高分子界面结合紧密性的透明电极基板及其制造方法。另外，本发明涉及一种有机发光二极管，特别涉及一种可加速空穴传递、提高二极管元件寿命与发光效能的高分子有机发光二极管。

1990年，英国剑桥大学的研究群，发现聚对亚苯乙烯[poly(p-phenylenevinylene；PPV)]的高分子材料可做为发光二极管的发光层材料，造成全世界研究有机电激发光显示技术的热潮。由于有机电激发光显示技术，除具有现代液晶显示器的轻薄、低耗电量与高解析度外，其本质拥有更优越的广视角特性、高应答速度与高明暗对比，并具有制造简单与成本低的优点。而且利用高分子的优异超薄成膜的特性，可制造非常薄且柔软的发光元件。相信未来必能实现可卷曲显示器的梦想。

高分子发光二极管是以高分子为其发光层(发光部)的材料，一般通称为聚合物发光二极管(polymer light emitting diode；PLED)，公知的高分子发光二极管(有机发光二极管)主要包含一基板、一透明电极层、一发光部及一金属电极层，其中该透明电极层、发光部及金属电极层是依序形成在该基板之上。一般而言，该透明电极层是由铟锡氧(ITO)电极层所构成，ITO为一半透光性且具有高功函数的空穴注入(hole-injection)正极材料，属于无机型材料，而主要发光部主要由一有机共轭高分子所形成的发光层。

承上所述，一般无机化合物与有机化合物的互溶性差。因此在ITO电极基板与有机共轭高分子层接合面上至今存在着不易互溶的问题，此易造成发光特性不佳。是以如何发展新技术来改善接合面的问题，则为重要的课题。

为解决无机物型的ITO电极基板与发光部的有机物型共轭高分子的界面的问题。一般采用游离能(ionization potential；IP)较低的导电高分子当作空穴传导层，以降低两层的界面能障，藉以改进元件的稳定度与发光效率。然而，此方法仍有下列缺点：

1.基本的有机-无机界面问题未能解决，因为新加入的高分子依然属于有机型物质与无机型ITO基板间仍存在界面接合问题。

2.有机高分子利用旋转涂布法成膜于ITO电极基板上时，因有机-无机界面问题，将导致有机高分子仅以微弱的静电吸引力附着于ITO电极基板上，进而使大部分高分子原料在旋转涂布时浪费。

本发明的主要目的在于提供一种可有效解决有机与无机界面接合问题的透明电极基板及其制造方法。

本发明的主要目的在于提供一种可加速空穴传递、提高发光二极管寿命与发光效能的有机发光二极管。

本发明的一特征是在于提供一种表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基的透明电极基板及其制造方法。

本发明的另一特征是在于提供一种包含有一表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基的透明电极基板的有机发光二极管。

为实现本发明的目的，本发明提供一种透明电极板，包含：一基板；及一透明电极层，形成在该基板上，其表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基。

本发明还提供一种透明电极基板的制造方法，包含以下步骤：将含硅的烷氧型化合物溶于水中以形成一定浓度的含硅的烷氧型化合物水溶液；及将一表面具有氢氧基的铟锡氧透明基板(ITO电极基板)浸泡于该含硅的烷氧基化合物水溶液中，经一定时间后，形成一表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基的透明电极基板。

本发明也提供一种有机发光二极管，包含：一基板；一透明电极层，形成在该基板上，用以与一外部电极连接，其表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基的键结者；一发光部，形成在该透明电极层上，用以受激、发光；及一金属电极层，形成在该发光部上，用以与一和该透明电极层所连接的电极相反的电极连接。

图1是本发明较佳实施例的具有铟锡-氧-硅-有机官能基的透明电极基板形成的示意图。

图2是本发明较佳实施例的有机发光二极管的构成示意图。

图3是改质后的ITO电极基板(APTMS，silane-1及silane-2)与未经改质的ITO电极基板(PVK+PBD+C₆)，利用旋转涂布法将主要发光层成膜于其上，并测其光激发光光谱，且将强度归一化后的光谱图。

图4是改质后的ITO电极基板(APTMS，silane-1及silane-2)与未经改质的ITO基板(PVK+PBD+C₆)，利用旋转涂布法将主要发光层成膜在其上，并测其光激发光光谱的光谱图。