[发明专利]透明电极基板及其制造方法和有机发光二极管无效
申请号: | 01117551.6 | 申请日: | 2001-06-29 |
公开(公告)号: | CN1393938A | 公开(公告)日: | 2003-01-29 |
发明(设计)人: | 黄明义;刘如熹;许良荣;林明发 | 申请(专利权)人: | 精碟科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 黄敏 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 电极 及其 制造 方法 有机 发光二极管 | ||
1.一种透明电极板,包含:
一基板;及
一透明电极层,形成在该基板上,其表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基。
2.如权利要求1所述的透明电极板,其中该基板由玻璃材料所构成。
3.如权利要求1所述的透明电极板,其中该基板由有机塑胶材料所构成。
4.一种透明电极基板的制造方法,包含以下步骤:
将含硅的烷氧型化合物溶于水中以形成一定浓度的含硅的烷氧型化合物水溶液;及
将一表面具有氢氧基的铟锡氧透明基板(ITO电极基板)浸泡于该含硅的烷氧基化合物水溶液中,经一定时间后,形成一表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基的透明电极基板。
5.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该透明电极基板制造方法的步骤还包含:
以一定的温度、时间将浸泡后的透明电极基板加以烘烤。
6.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该含硅的烷氧型化合物水溶液的浓度(V/V)为0.01~1%。
7.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该铟锡氧透明基板(ITO电极基板)的浸泡时间约为5分钟。
8.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该含硅的烷氧型化合物为3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷。
9.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该含硅的烷氧型化合物为γ-环氧丙氧基丙基二甲氧基硅烷。
10.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该含硅的烷氧型化合物为N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷。
11.如权利要求5所述的透明电极基板的制造方法,其中,该透明电极基板的烘烤温度为80~160℃、烘烤时间为30~90分钟。
12.一种有机发光二极管,包含:
一基板;
一透明电极层,形成在该基板上,用以与一外部电极连接,其表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基的键结者;
一发光部,形成在该透明电极层上,用以受激、发光;及
一金属电极层,形成在该发光部上,用以与一和该透明电极层所连接的电极相反的电极连接。
13.如权利要求12所述的有机发光二极管,其中该基板是由玻璃材料所构成。
14.如权利要求12所述的有机发光二极管,其中该基板是由有机塑胶材料所构成。
15.如权利要求12所述的有机发光二极管,其中该发光部是包含一高分子有机发光层,该分子有机发光层能与该透明电极层表面的铟锡-氧-硅-有机官能基结合。
16.如权利要求15所述的有机发光二极管,其中该高分子有机发光层是聚乙烯咔唑(PVK)掺杂有机染料的高分子有机发光层。
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