[发明专利]微细图形形成方法和使用该方法的半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 01108949.0 | 申请日： | 2001-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN1332472A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | 石桥健夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微细 图形 形成 方法 使用 半导体 装置 制造 | ||
1.一种微细图形形成方法，其特征在于包括：
在衬底上形成被加工膜的工艺；
形成其刻蚀速度与上述被加工膜不同、刻蚀时成为被加工膜的掩模的硬掩模膜的工艺；
利用光刻法在该硬掩模膜上形成第一抗蚀剂图形的工艺；
对被该第一抗蚀剂图形覆盖的部分以外的部分进行刻蚀、直至上述被加工膜的上表面露出为止以形成硬掩模图形的工艺；
除去上述第一抗蚀剂图形的工艺；
利用光刻法在上述硬掩模图形上形成第二抗蚀剂图形的工艺；
对被该第二抗蚀剂图形覆盖的部分以外的部分进行各向同性刻蚀的工艺；
除去上述第二抗蚀剂图形的工艺；以及
将其一部分被各向同性刻蚀过的硬掩模图形作为掩模来刻蚀上述被加工膜的工艺。
2.根据权利要求1所述的微细图形形成方法，其特征在于：被加工膜由导电性膜构成，同时硬掩模膜由绝缘膜构成。
3.根据权利要求2所述的微细图形形成方法，其特征在于：导电性膜由多晶硅、硅化钨、铝及钨中的至少一种或其多层膜构成，同时绝缘膜由氧化硅膜及氮化硅膜中的任意一种或其双层膜构成。
4.根据权利要求1所述的微细图形形成方法，其特征在于：被加工膜由绝缘膜构成，同时硬掩模膜由导电性膜构成。
5.根据权利要求4所述的微细图形形成方法，其特征在于：绝缘膜由氧化硅膜及氮化硅膜中的任意一种或其双层膜构成，同时导电性膜由多晶硅、硅化钨、铝及钨中的至少一种或其多层膜构成。
6.根据权利要求1所述的微细图形形成方法，其特征在于：用湿刻蚀法进行各向同性刻蚀。
7.根据权利要求1所述的微细图形形成方法，其特征在于：在形成第一抗蚀剂图形的工艺之前，还有形成反射防止膜的工艺。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：采用了权利要求1所述的微细图形形成方法。
9.一种液晶装置的制造方法，其特征在于：采用了权利要求1所述的微细图形形成方法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
