[发明专利]用激光束照射半导体层的激光加工装置无效
申请号: | 01104514.0 | 申请日: | 1993-06-26 |
公开(公告)号: | CN1350322A | 公开(公告)日: | 2002-05-22 |
发明(设计)人: | 山崎舜平;张宏勇;石原浩朗 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;G02F1/00;G02F1/35 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 叶恺东 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光束 照射 半导体 激光 加工 装置 | ||
1.一种用激光束照射半导体层的激光加工装置,其特征在于,它包括:
一个激光器,用于发射具有截面的激光束;
扩展器件,用于只在截面的长度方向扩展激光束,其中激光束在长度方向的光强分布同时为所述扩展器件所均匀化,所述扩展器件至少有一个柱面透镜阵列和一个只在长度方向会聚激光束的凸透镜;
支撑器件,用于支撑用扩展过的激光束处理的衬底;
移动器件,用于在扩展过的激光束截面的宽度方向移动所述衬底。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述衬底为具有半导体层的玻璃衬底。
3.如权利要求1所述的装置,其特征在于,扩展激光束的截面的长度至少为10厘米。
4.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述激光束为准分子激光。
5.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述柱面透镜阵列为蝇眼透镜。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,通过所述扩展器件将激光束在长度方向的光强分布从高斯分布转换成矩形分布。
7.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述柱面透镜阵列由多个沿所述长度方向排列的柱面透镜组成。
8.如权利要求1所述的装置,还具有一个衬底由所述支撑器件支撑着,其特征在于,扩展激光束的截面在所述衬底的长度大于所述衬底的宽度。
9.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述半导体层包括选自由硅、锗、碳化硅和硅锗合金组成的材料群的一种材料。
10.一种用激光束照射半导体层的激光加工装置,其特征在于,它包括:
一个激光器,用于发射具有一截面的激光束;
扩展器件,用于只在截面的长度方向扩展激光束,其中所述扩展器件使激光束在长度方向的光强分布均匀化,所述扩展器件有至少一个柱面透镜阵列和一个只在长度方向会聚激光束的凸透镜;
会聚器件,用于只在截面的宽度方向会聚扩展的激光束;
支撑器件,用于支撑衬底;
移动器件,用于在扩展激光束的截面的宽度方向移动所述衬底。
11.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述衬底为具有半导体层的玻璃衬底。
12.如权利要求10所述的装置,其特征在于,扩展激光束的截面的长度至少为10厘米。
13.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述激光束为准分子激光。
14.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述柱面透镜阵列为蝇眼透镜。
15.如权利要求10所述的装置,其特征在于,通过所述扩展器件将激光在长度方向的光强分布从高斯分布转换成矩形分布。
16.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述柱面透镜阵列由多个沿所述长度方向排列的柱面透镜组成。
17.如权利要求10所述的装置,其特征在于,还具有一个衬底由所述支撑器件支撑着,其中,扩展激光束在所述衬底的截面的长度大于所述衬底的宽度。
18.如权利要求10所述的装置,其特征在于,所述半导体层包括选自由硅、锗、碳化硅和硅锗合金组成的材料群的一种材料。
19.一种激光加工装置,其特征在于,它包括:
一个激光器,用于发射具有一截面的激光束;
扩展器件,用于只在截面的长度方向扩展激光束,其中所述扩展器件使激光束在长度方向的光强分布同时均匀化;
一个光学器件,用于使扩展激光束在传播过程中截面的长度恒定,所述长度至少为10厘米;
支撑器件,用于支撑待用扩展激光处理的衬底;
移动器件,用于在扩展激光束的截面的宽度方向移动所述衬底,从而使所述衬底的整个表面可用扩展激光束处理。
20.如权利要求19所述的装置,其特征在于,所述衬底是具有半导体层的玻璃衬底。
21.如权利要求19所述的装置,其特征在于,所述激光束为准分子激光。
22.如权利要求19所述的装置,其特征在于,所述扩展器件由一个蝇眼透镜组成。
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