[发明专利]半导体衬底及其生产工艺

权利要求书

1．一种包含半导体层的半导体衬底，半导体层形成在支撑衬底上，半导体层和支撑衬底之间插入绝缘层，其中标记形成在半导体层表面区域以外的区域上。

2．根据权利要求1的半导体衬底，其中标记是从数字、字符、符号和条形码组成的组中选择的至少一个。

3．根据权利要求1的半导体衬底，其中将被标记的区域是不存在半导体层的支撑衬底的周边区域。

4．根据权利要求3的半导体衬底，其中周边区域的外部边界线是支撑衬底的外周边缘，周边区域的内部边界线在从支撑衬底外周边缘向内1mm或1mm以上的位置上。

5．根据权利要求1的半导体衬底，其中将被标记的区域是支撑衬底的内部区域，那里半导体层局部不存在。

6．根据权利要求1的半导体衬底，其中将被标记的区域在支撑衬底的背面侧。

7．根据权利要求1的半导体衬底，其中标记形成在槽口或定位平面附近。

8．根据权利要求1的半导体衬底，其中标记通过生成凹部和/或凸部形成。

9．根据权利要求1的半导体衬底，其中标记通过激光形成。

10．根据权利要求1的半导体衬底，其中标记通过雕刻表面形成。

11．根据权利要求1的半导体衬底，其中半导体衬底是SOI衬底。

12．根据权利要求11的半导体衬底，其中SOI衬底是键合SOI衬底。

13．根据权利要求12的半导体衬底，其中键合SOI衬底具有在通过注入氢和/或惰性气体形成的离子注入层处分离的半导体层。

14．根据权利要求12的半导体衬底，其中键合的SOI衬底具有通过将形成在多孔材料上的无孔半导体层转移到支撑衬底上形成的半导体层。

15．根据权利要求11的半导体衬底，其中SOI衬底具有通过注入氧和/或氮离子以及热处理而形成的绝缘层。

16．一种包含半导体层的半导体衬底生产工艺，半导体层形成在支撑衬底上，半导体层和支撑衬底之间插入绝缘层，所述工艺包括在半导体层表面区域以外的区域上形成标记的步骤。

17．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中从数字、字符、符号和条形码组成的组中选择至少一个作为标记。

18．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中将被标记的区域是不存在半导体层的支撑衬底的周边区域。

19．根据权利要求18的半导体衬底生产工艺，其中周边区域的外部边界线是支撑衬底的外周边缘，周边区域的内部边界线在从支撑衬底外周边缘向内1mm或1mm以上的位置上。

20．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中将被标记的区域是半导体层局部不存在的支撑衬底的内部区域。

21．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中将被标记的区域是支撑衬底的背面侧。

22．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中在槽口或定位平面附近形成标记。

23．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中通过生成凹部和凸部形成标记。

24．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中通过激光形成标记。

25．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中通过雕刻表面形成标记。

26．根据权利要求16的半导体衬底生产工艺，其中半导体衬底是SOI衬底。

27．根据权利要求26的半导体衬底生产工艺，其中SOI衬底是键合SOI衬底。

28．根据权利要求27的半导体衬底生产工艺，其中键合SOI衬底的形成是这样的：将氢和/或惰性气体离子注入第一衬底中，将第一衬底键合到作为支撑衬底的第二衬底上，在通过离子注入形成的分离层处从第二衬底上分离第一衬底。

29．根据权利要求28的半导体衬底生产工艺，其中第一衬底具有通过外延生长形成的半导体层。