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[外观设计]无线呼叫按钮（TC500）-CN201730218265.3有效
发明人：方许博 -专利权人：深圳西恩智能科技有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： 14-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称无线呼叫按钮（TC500）。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于进行远程的控制。3．本外观设计产品的设计要点无线呼叫按钮（TC500）的整体形状。
无线呼叫按钮 tc500

[外观设计]全接口探测器（DR-TC500）-CN201930457478.0有效
发明人：宋振 -专利权人：山东多瑞电子科技有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：全接口探测器（DR‑TC500）。;2.本外观设计产品的用途：用于检测环境中特定气体浓度并在浓度超出设定值时发出报警。;3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
全接口探测器（DR-TC500）

[外观设计]电竞椅椅座（TC500）-CN202330576492.9有效
发明人：徐鑫毅 -专利权人：湖州好乐德家居有限公司
申请日： 2023-09-06 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： 06-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电竞椅椅座（TC500）。2.本外观设计产品的用途：用作电竞椅椅座。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
电竞椅椅座 tc500

[发明专利]铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法-CN201110160797.8无效
发明人：石坚;熊涛涛 -专利权人：安阳市凤凰光伏科技有限公司;石坚
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铸造法生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定炉底的方法，涉及晶种稳定在炉底的方法，GT多晶铸锭炉或四面加热器加顶部加热器铸锭炉中：a铸锭炉升温熔化过程中，当TC1达到1420摄氏度及以上时，保持TC1稳定，通过打开隔热笼，控制TC2在1200～1350摄氏度，TC2的控制时间在20～500分钟；b第一步完成后，保持TC1稳定，通过控制隔热笼，将TC2提升到1350～1400摄氏度，第二步稳定20～500分钟；c下降TC1至1410～1450摄氏度，进入长晶阶段。
铸造生产类似单晶硅锭炉内融化后晶种稳定方法

[发明专利]高刚度TC4钛合金及其制备方法-CN202310567141.0在审
发明人：秦海旭;郑友平;彭力;王立亚 -专利权人：成都先进金属材料产业技术研究院股份有限公司
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高刚度TC4钛合金及其制备方法，所述高刚度TC4钛合金包括：TC4基体以及弥散分布在所述TC4基体中的Al2O3颗粒，所述Al2O3颗粒的粒度小于500nm，在所述高刚度TC4钛合金中，所述Al2O3颗粒的体积分数为0.9～1.2％，所述高刚度TC4钛合金的弹性模量为126～142GPa。本发明通过加入Al2O3颗粒，使其均匀分布在基体材料之中，达到弥散强化效果，从而提高TC4钛合金刚度。
刚度 tc4 钛合金及其制备方法

[外观设计]办公杯（TC-500G）-CN202230010928.3有效
发明人：陈醒宇 -专利权人：武义泰祺硕杯业有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：办公杯（TC‑500G）。2.本外观设计产品的用途：用于装液体的容器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
办公 tc 500

[发明专利]包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件-CN201710131889.0有效
发明人： R·西明耶科;D·彼得斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件(500)包括在得自碳化硅的半导体部分(100)中的晶体管单元(TC)，其中晶体管单元(TC)电连接到栅极金属化部(330)、源电极(310)和漏电极(320)。半导体器件(500)还包括在半导体部分(100)中的掺杂区域(180)。掺杂区域(180)电连接到源电极(310)。掺杂区域(180)的电阻具有负的温度系数。半导体部分(100)中的漏极结构(120)将晶体管单元(TC)与漏电极(320)电连接，并且与掺杂区域(180)形成pn结(pnx)。
包括晶体管单元补偿结构宽带半导体器件

[发明专利]一种提高TC21两相钛合金硬度的热处理方法-CN201811168592.2在审
发明人：周红伟;唐明星;白凤梅;叶昕;谭李雯;周佩剑;何宜柱 -专利权人：安徽工业大学
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明公开一种提高TC21两相钛合金硬度的热处理方法，属于钛合金热处理技术领域。改方法通过对经β锻造后TC21两相钛合金在相变点以上加热、保温和水淬，得到全斜方马氏体组织，对斜方马氏体组织在500～550℃进行回火处理，得到纳米级孪晶α相组织，与锻造组织相比较，该组织组织显著提高TC21由于TC21钛合金的淬透性好，容易得到全马氏体组织，本发明方法工艺参数少，可行性强，操作简单，性能稳定，有利于TC21工业化的生产。
两相钛合金马氏体组织钛合金热处理热处理技术领域锻造组织回火处理淬透性纳米级孪晶水淬加热保温锻造生产

[发明专利]一种软性压电陶瓷材料空气极化方法-CN202310920300.0在审
发明人：孙兆海;孙启波;曲昊晨 -专利权人：淄博宇海电子陶瓷有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N30/045 文献下载
摘要：本发明涉及一种软性压电陶瓷材料空气极化方法，属于空气极化技术领域；包括：预加温：在0.4Tc‑0.8Tc下经过20‑50min对产品进行预加温处理，Tc为居里温度；加温极化：在0.5Tc‑0.9Tc下加压400‑1300V/mm极化时长10‑20min对产品进行加温极化处理；室温极化：加压100‑500V/mm极化时长20‑50min对产品进行室温极化处理；放电完成，结束极化；生产的空气极化软性压电陶瓷材料产品具有性能参数一致性好
一种软性压电陶瓷材料空气极化方法

[发明专利]采用粉末注射成型制备TC4钛合金零件的方法-CN202010002224.1有效
发明人：孙宏伟;李雪辰;郭方慧 -专利权人：沈阳中钛装备制造有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： B22F3/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用粉末注射成型制备TC4钛合金零件的方法，包括以下步骤：S1、将TC4钛合金粉末与粘结剂经过混练、制粒得到喂料；S2、将所述喂料注射成型，得到坯料；S3、将所述坯料浸入脱氧蒸馏水或乙醇中进行溶剂脱脂，得到溶剂脱脂坯；S4、将所述溶剂脱脂坯放入烧结炉内，并在其上方扣置罩状体，保持烧结炉内惰性气体流通，在500‑700℃下进行热脱脂得到热脱脂坯；S5关闭惰性气体流通，在一定真空下降温至400‑500℃本发明制备TC4钛合金零件的方法，能有效控制烧结段杂质气体残留，提升TC4钛合金制品的力学机械性能。
采用粉末注射成型制备 tc4 钛合金零件方法

[发明专利]一种TC4钛合金激光选区熔化增材制造及热处理方法-CN201510508138.7在审
发明人：肖美立;姜勇;李中权;袁勇;金诚;成群林;柯林达;董文倩 -专利权人：上海航天精密机械研究所
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：TC4钛合金激光选区熔化增材制造及热处理方法。所述TC4钛合金激光选区熔化工艺参数为：激光功率300～325W，光斑直径0.12～0.14mm，扫描速度500～1200mm/s，铺粉层厚0.03～0.04mm。成形构件热处理采用双重退火工艺，先将TC4钛合金构件置于温度为780～820℃的真空热处理炉中，保温1.5～2h后空冷至室温；然后重新置于温度为530～550℃的真空热处理中，保温2～3h后再空冷至室温经上述工艺处理后的TC4钛合金构件强度在超过1000MPa的同时延伸率达到不小于10％，可满足航空航天产品对TC4钛合金关键承力结构件强度及塑性的要求。
一种 tc4 钛合金激光选区熔化制造热处理方法

[发明专利]一种高断裂韧性的TC18钛合金热处理方法-CN202110999824.4在审
发明人：丁晨;孟庆通;朱峰;闵新华;洪凌翔 -专利权人：宝武特冶钛金科技有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高断裂韧性的TC18钛合金热处理方法，采用锻态TC18钛合金为原材料，所述锻态TC18钛合金显微组织由β相和等轴α相组成，以β相为基体；包括以下步骤：第一步：单相区加热：将锻态TC18钛合金加热至Tβ+20‑250℃保温0.5h‑6h；第二步：缓冷和时效：以1‑20℃/min的冷却速度冷却至500‑600℃保温3‑8h，冷却至室温。与传统热处理工艺相比，本发明能够通过控制原始β晶粒尺寸和粗针α和细针α的宽度，使TC18钛合金在满足强度要求的基础上获得超高的断裂韧性。
一种断裂韧性 tc18 钛合金热处理方法

[发明专利]USB-TC200总线转换器-CN201410203595.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：青岛鼎信通讯股份有限公司
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于TC-BUS总线系统的接口转换装置——USB-TC200总线转换器，能够实现PC机USB数据流到TC-BUS-IMT总线(Inter Message Transfer，内部数据传输总线采用标准USB接口与PC连接，带有1路机内总线接口，可挂接100个回路卡；USB接口对此设备供电，无需外接电源，机内总线接口电路输出5V电压，能够给外围设备提供最大500mA的电流，方便用户使用；还具有
usb tc200 总线转换器

[发明专利]半导体器件和绝缘栅双极晶体管-CN201510787726.9有效
发明人： A.里格勒 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-11-17 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L23/58 文献下载
摘要：半导体器件（500）的晶体管单元区域（610）包括电连接到第一负载电极（310）的晶体管单元（TC）。闲置区域（630）包括电连接到所述晶体管单元（TC）的栅极电极（150）的栅极布线结构（330）。所述传感器单元（SC）在所述晶体管单元（TC）的接通状态期间传递单极电流。
半导体器件绝缘双极晶体管

[发明专利]一种SiCf-CN202211370820.0在审
发明人：王玉敏;甘致聪;张旭;杨丽娜;杨锐 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： B22F3/15 文献下载
摘要：具体为一种连续SiC纤维增强Ti2AlNb(SiCf/Ti2AlNb)异质芯材增强TC17选用连续SiC纤维增强Ti2AlNb基复合材料为异质芯材，选用TC17合金为包套，通过异质芯材SiCf/Ti2AlNb复合材料增强TC17合金。:Sub>/Ti2AlNb/TC17复合材料室温强度可达1690MPa，450℃高温强度可达1850MPa。本发明有效的提高TC17和SiCf/TC17材料的高温强度，高温强度约提高500～1100MPa。
一种 sic base sub

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