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[发明专利]一种用于相变存储器的硅-硒化锡纳米多层复合相变薄膜材料-CN201210158661.8有效
发明人：沈波;孙明成;翟继卫 -专利权人：同济大学
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于低操作电流相变存储器的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料。本发明的Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料中单层Si薄膜和单层SnSe2薄膜交替排列成多层膜结构，且单层Si薄膜的厚度为3~40nm，单层SnSe2薄膜的厚度为4~10nm；所述Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的总厚度为基于本发明Si/SnSe2纳米多层复合相变薄膜材料的相变存储器具有操作电流极低的优势，同时对数据的保持能力较强，可用于低操作电流相变存储器。
一种用于相变存储器硒化锡纳米多层复合薄膜材料

[发明专利]一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法-CN201510437401.8有效
发明人：张骐;周兴;甘霖;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的SnSe2晶体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中心温区以及下游低温区，所述单质硒和卤化锡分别独立但紧靠放置于上游低温区，所述衬底放置于下游低温区；利用不同温区的温度差，单质硒蒸汽和卤化锡蒸汽形成于上游低温区；两者反应生成SnSe2，并通过沉积载气带入下游温区，在衬底上沉积成为二维纳米SnSe2晶体材料。利用本发明方法，制备出了厚度均匀形态一致的二维纳米SnSe2晶体材料，厚度为3～10个原子层(1～3层SnSe2的厚度)，在电子器件的应用中具有广阔前景。
一种二维纳米 snse sub 晶体材料制备方法

[发明专利]一种SnSe2晶体化合物及其制备方法和应用-CN201710617019.4在审
发明人：唐新峰;舒月姣;郑刚;柳伟;鄢永高 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SnSe2晶体化合物的制备方法，首先以Sn颗粒、Se颗粒和SnCl2粉为原料，进行加热熔融、冷却得锭体材料；然后置于区熔炉中，采用区熔工艺进行定向生长，得所述SnSe2晶体化合物。本发明首次提出采用熔融结合区熔工艺制备SnSe2化合物准单晶材料，所得产物具有较好的单相性、致密性，并具有较好的准单晶结构；对SnSe2基材料进行掺杂改进，可大幅度提升所得掺杂样品的热电性能；此外，本发明涉及的制备时间短
一种 snse2 晶体化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法-CN201611180177.X在审
发明人：黄剑锋;程娅伊;李嘉胤;曹丽云;欧阳海波;席乔;齐慧 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开一种钠离子电池负极用三维花状SnSe2纳米晶的制备方法，以乙二醇作为溶剂，SnCl2·2H2O作为锡源，NaSeO3·5H2O作为硒源，水合肼作为还原剂，采用简单的一步溶剂热法制备了纯相的SnSe2三维花球，SnSe2花球由纳米薄片组装而成，花的尺寸约为1～2μm，薄片的厚度约为10nm，片与片之间有一定的孔隙，有利于钠离子的迁移，该三维花球状SnSe2作为钠离子电池具有较好的倍率性能。
一种钠离子电池负极三维 snse2 纳米制备方法

[发明专利]一种类超晶格锡硒/锑纳米相变薄膜及其制备与应用-CN201610133153.2有效
发明人：翟继卫;吴卫华;何子芳;陈施谕 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种类超晶格锡硒/锑纳米相变薄膜，该相变薄膜包括SnSe2材料和单质Sb材料，两种材料通过交替叠加形成类超晶格结构，所述相变薄膜的结构通式为[SnSe2(a)/Sb(b)]x，类超晶格相变薄膜的总厚度为40～60nm，其中，a为每层相变薄膜中SnSe2材料的厚度，a为8～12nm，b为每层相变薄膜中单质Sb材料的厚度，b为1.5～3nm，x为类超晶格相变薄膜结构的周期数，x为4或5；该相变薄膜通过磁控溅射的方法制得
相变薄膜超晶格单质超晶格结构材料通过磁控溅射交替叠加结构通式热稳定性体积变化综合性能周期数功耗制备应用

[发明专利]多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用-CN201510413910.7有效
发明人：翟继卫;刘瑞蕊;沈波;何子芳 -专利权人：同济大学
申请日： 2015-07-15 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及多级相变存储用低功耗相变薄膜材料及其制备方法和应用，薄膜材料的化学组成为InTe(a)‑X(a)，其中a为单层InTe薄膜和单层X薄膜的厚度，在SiO2/Si(100)衬底上，以InTe和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5为靶材，以氩气为辉光气体，交替沉积InTe和Ga3Sb7、SnSe2或Ge2Sb2Te5薄膜，制备得到多级相变存储用低功耗相变薄膜材料。
相变薄膜材料多级相变低功耗薄膜制备方法和应用存储单层半导体材料稳定非晶态氩气薄膜材料高低电阻化学组成交替沉积相变存储传统的靶材衬底电阻辉光制备

[发明专利]一种锂离子电池负极用薄片状SnSe2纳米晶的制备方法-CN201611180184.X在审
发明人：李嘉胤;程娅伊;黄剑锋;曹丽云;费杰;郭玲;李文斌;齐慧 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01M4/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种锂离子电池负极用薄片状SnSe2纳米晶的制备方法，本方法将一定量SnCl2·2H2O加入到去离子水中，搅拌至完全溶解形成溶液A；再称取一定量硒粉，加入到水合肼中，搅拌至形成酒红色溶液B；再将溶液B逐滴加入到溶液A中形成混合溶液，然后将混合溶液转移至高压水热釜中在200～240℃下保温2～12h，最终收集沉淀离心水和乙醇反复洗涤得到纯相的薄片状结构的SnSe2纳米晶，以其作为锂离子电池负极材料表现出了较高的充放电容量和较好的循环稳定性
一种锂离子电池负极薄片 snse2 纳米制备方法

[发明专利]太阳能电池的光吸收层的制备方法-CN201310277578.7有效
发明人：杨春雷;鲍浪;程冠铭;冯叶;肖旭东;顾光一;于冰;郭延璐;徐苗苗 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-07-03 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：锡覆盖层能够阻止在高温退火中金属薄膜前驱体内SnS2或SnSe2的挥发，退火后，锡覆盖层中的Sn形成SnS2或SnSe2并脱离晶体，有效抑制Sn的流失。
太阳能电池光吸收制备方法

[发明专利]一种基于SnSe2-CN202110436121.0在审
发明人：陈志勇;马庆;罗向东;余洋;陈明;杨春雷;童佩斐;李国啸 -专利权人：江苏度微光学科技有限公司
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于SnSe2半导体的多功能智能传感器及其制备方法，属于多功能传感器领域。本发明利用了SnSex二维材料在同一个基底上生长及多功能优势，使一个传感器能同时测量多个参数，这种多功能传感器不但体积小、功能强，而且采集的信息集中，便于处理，
一种基于 snse base sub

[发明专利]一种多晶SnSe₂低成本热电材料及其制备方法-CN201810072148.4在审
发明人：裴艳中;李文;吴怡萱 -专利权人：同济大学
申请日： 2018-01-25 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种多晶SnSe2低成本热电材料及其制备方法，其化学式为SnBrxSe2‑x，x＝0～0.05；该热电材料的制备方法以单质和SnBr2为原料，按所述的化学式的化学计量比进行配料，通过真空封装、
热电材料制备高热电性能低成本多晶热压化学计量比热处理淬火缓慢冷却块体材料热压烧结熔融反应真空封装真空高温研磨低导热淬火单质热电平行垂直探索

[发明专利]一种三维SnSe2-CN202310745408.0在审
发明人：冷德营;马小勇;杨明明;朱卓卓;吴雄雄;杨亮;杨延宁 -专利权人：延安大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底包括过滤层，过滤层上有多个滤孔，过滤层的上侧面固定设置有SnSe2纳米结构层，SnSe2纳米结构层由SnSe2纳米结构组成，SnSe2纳米结构为SnSe2纳米花，SnSe2纳米花覆盖过滤层，且SnSe2纳米花封堵过滤层上的滤孔。SnSe2纳米花结构中没有竖直贯穿的间隙，这使得SnSe2纳米花对光场的局域效果较好，从而提升拉曼信号增强因子。三维SnSe2表面增强拉曼散射衬底的制备方法包括如下步骤：S1，制备SnSe2纳米花；S2，制备SnSe
一种三维 snse base sub

[发明专利]一种p-n异质结构SnSe/SnSe2纳米复合材料及其制备方法和应用-CN201910296901.2有效
发明人：黄晓;黄维;刘瑶;王晓珊 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种SnSe/SnSe2复合材料的可控制备方法及应用。本发明设计一种新型的p‑n纳米复合材料，通过原料配比的调节，使用溶剂热的方法，一步合成了具有p‑n异质结构的SnSe(50％)/SnSe2纳米复合材料。同时，在室温下该材料对NO2显示出优异的气敏性能，相比于单一组分的SnSe和SnSe2,SnSe(50％)/SnSe2显示出更高的灵敏度(NO2，100ppb，20％)和选择性。在405nm激光照射下，SnSe(50％)/SnSe2得到了进一步的提升，响应值(NO2，100ppb，120％)比先前提升了将近
一种结构 snse snse2 纳米复合材料及其制备方法应用

[发明专利]SnSe2-CN202010589913.7有效
发明人：陈思繁;李向阳;赵焕成;朱海鸥 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：本申请公开了一种SnSe2量子点的制备方法及SnSe2量子点，该SnSe2量子点的制备方法包括：将SnSe2粉末进行破碎，以得到SnSe2微米颗粒；在聚乙二醇中加入SnSe2SnSe2量子点。通过上述制备方法制得的SnSe2量子点具有荧光特性。
snse base sub

[发明专利]二维SnSe-SnSe2-CN202010187667.2有效
发明人：周兴;翟天佑 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明属于纳米半导体材料领域，并具体公开了一种二维SnSe‑SnSe2 p‑n异质结及其制备方法，包括如下步骤：S1将碘化亚锡和硒粉混合获得前驱体，将该前驱体加热生成SnSe2晶体材料，通入载气将所述SnSe2晶体材料带至衬底处，使其在衬底上进行沉积，以此形成二维SnSe2晶体材料；S2将所述二维SnSe2晶体材料进行加热，使其在高温下部分分解原位得到SnSe‑SnSe2
二维 snse base sub

[发明专利]一种适用于Cu2SnSe3基热电元件的合金电极及该热电元件的制备工艺-CN201610058234.0有效
发明人：赵德刚;宁纪爱;左敏;王振卿 -专利权人：济南大学
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01L35/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种适用于p型Cu2SnSe3基热电材料相匹配的合金电极及该Cu2SnSe3基热电元件的制备工艺，该合金电极为Ti‑Ni合金，不仅电导率和热导率高，本发明提供的Ti‑Ni合金与Cu2SnSe3Cu2SnSe3基热电元件的制备是利用快速热压烧结(RHPS)技术直接将Cu2SnSe3基热电材料于Ti‑Ni合金电极烧制而成，不需要中间过渡连接层。烧结完毕后的电极界面结合非常稳定，且Cu2SnSe3/电极界面无明显的电阻跃迁。该制备工艺简单，非常适用于Cu2SnSe3基热电发电器件的制备，可用于大批量生产制备。
一种适用于 cu sub snse 热电元件合金电极制备工艺

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