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[发明专利]SiGe HBT放大器S参数的计算方法及相关设备-CN202210925236.0在审
发明人：魏正华;叶小兰 -专利权人：长沙民政职业技术学院
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiGeHBT放大器S参数的计算方法及相关设备，方法包括：基于SiGeHBT放大器的T型小信号等效模型与S参数的关联关系，构建目标函数，T型小信号等效模型包括本征元件部分和非本征元件部分本征元件参数矢量包括多个本征元件；建立每个本征元件与温度的线性关系；分别针对每个本征元件，根据本征元件与温度的线性关系，计算在目标温度下每个本征元件的本征元件值；根据目标温度下的所有本征元件值，计算目标温度下SiGeHBT
sige hbt 放大器参数计算方法相关设备

[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法-CN201310632268.2有效
发明人：周伟;张伟;严利人;刘志弘;付军;周卫;王全 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;清华大学
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：因所选适当波长激光的能量只作用于第二多晶硅层的厚度范围内，而对位于第二多晶硅层下方的SiGe基区不作影响，所以其在有效激活第二多晶硅层中离子注入的N型杂质的前提下，避免了SiGe基区中硼的再扩散，进而防止了异质结势垒效应的发生，使SiGeHBT
一种锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]一种基于SOI SiGe HBT的应变Si BiCMOS集成器件及制备方法-CN201210244722.2无效
发明人：张鹤鸣;王海栋;胡辉勇;宋建军;宣荣喜;舒斌;戴显英;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：BiCMOS集成器件及电路制备方法，在衬底上生长N型Si外延，制备深槽隔离，形成集电极接触区，干法刻蚀形成氮化物侧墙，湿法刻蚀出基区窗口，选择性生长SiGe基区，光刻集电极窗口，去掉Poly-Si，形成SiGeHBT
一种基于 soi sige hbt 应变 si bicmos 集成器件制备方法

[发明专利]一种等温分布的介质槽隔离结构SiGeHBT阵列-CN201911128738.5有效
发明人：孙晟;金冬月;张万荣;吴玲;曹路明;贾晓雪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。
一种等温分布介质隔离结构 sigehbt 阵列

[发明专利]基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法-CN201010027231.3有效
发明人：陈帆;张海芳;徐炯 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于BiCMOS工艺的PIP电容形成方法，用CMOS晶体管的多晶硅栅极作为PIP电容的下极板，用进行SiGeHBT工艺前为保护CMOS晶体管部分所淀积的介质层作为PIP电容的介质，用SiGe
基于 bicmos 工艺 pip 电容形成方法

[发明专利]一种SiGe HBT器件结构及其制造方法-CN201110342684.X有效
发明人：刘冬华;段文婷;钱文生;胡君;石晶 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-03 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明还公开了一种SiGeHBT器件结构的制作方法。发明的SiGe HBT器件结构及其制造方法能减小SiGe HBT器件的基区电阻，能降低器件功耗，能提高器件最高振荡频率。
一种 sige hbt 器件结构及其制造方法

[发明专利]一种三多晶SOI SiGe HBT平面集成器件及制备方法-CN201210244429.6有效
发明人：张鹤鸣;周春宇;宋建军;胡辉勇;宣荣喜;王斌;王海栋;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明适用于半导体集成电路领域，提供了一种三多晶SOI SiGeHBT集成器件及制备方法，在SOI衬底上连续生长N-Si、P-SiGe、i-Si、i-Poly-Si，淀积介质层，制备浅槽隔离，光刻集电区浅槽隔离区域
一种多晶 soi sige hbt 平面集成器件制备方法

[发明专利]一种应变SiGe HBT垂直沟道BiCMOS集成器件及制备方法-CN201210244371.5无效
发明人：宋建军;胡辉勇;舒斌;王海栋;张鹤鸣;宣荣喜;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：器件源、漏；刻蚀虚栅，完成PMOS器件制备，形成BiCMOS集成器件及电路；本发明充分利用应变SiGe材料在垂直方向电子迁移率和水平方向空穴迁移率高于弛豫Si的特点，在低温工艺下，制造出性能增强的应变SiGeHBT
一种应变 sige hbt 垂直沟道 bicmos 集成器件制备方法

[发明专利]放大器中反馈电容的中和-CN200480008344.1无效
发明人： M·范德海登 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2004-03-25 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H03F1/34 文献下载
摘要：它可以对RF应用使用GaAs HBT或其他双极型技术(SiGeHBT，GaAs HBT，Si BJT)。
放大器反馈电容中和

[发明专利]基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法-CN201210458192.1有效
发明人：罗杰馨;陈静;伍青青;柴展;余涛;吕凯;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明的基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法利用高剂量的Si离子注入，在SOI的顶层硅膜与埋氧层交界的地方形成多晶硅，多晶硅层降低了集电极电阻，从而有效提高了基于SOI的SiGeHBT器件的截止频率
基于 soi 锗硅异质结双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种基于三多晶SiGe HBT的应变BiCMOS集成器件及制备方法-CN201210243689.1有效
发明人：宋建军;胡辉勇;李妤晨;宣荣喜;张鹤鸣;舒斌;戴显英;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三多晶SiGe HBT的应变BiCMOS集成器件及制备方法，首先利用自对准工艺在Si衬底片上制备三多晶SiGeHBT；接着在衬底NMOS器件和PMOS器件有源区上分别生长N型Si外延层
一种基于多晶 sige hbt 应变 bicmos 集成器件制备方法

[发明专利]SiGeHBT发射极与基极之间隔离的膜层结构及方法-CN201010280753.4无效
发明人：陈帆;陈雄斌;徐炯;周正良 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiGeHBT发射极与基极之间隔离的膜层结构及方法；所述硅锗异质结双极晶体管发射极与基极之间为复合膜层结构，自下而上分别为：二氧化硅，多晶硅与氮化硅。
sigehbt 发射极基极之间隔离结构方法

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