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[发明专利]熔丝修调芯片的制造方法-CN201610798346.X有效
发明人：张楠;高瞻;周晶;王浩;温多武;范蓉;孙贵鹏;郭术明;张威彦;肖金玉;杨晓寒;李达 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种熔丝修调芯片的制造方法，该方法包括：获取多个能够代表待修调熔丝修调芯片的测试熔丝修调芯片；对各测试熔丝修调芯片分别施加一不同的修调电压，确定各测试熔丝修调芯片是否成功修调，获取能成功修调的最低修调电压；基于待修调熔丝修调芯片的标称修调电压与所述最低修调电压，获取所述待修调熔丝修调芯片的电阻的最大波动范围；进行工艺控制监控使待修调熔丝修调芯片的电阻的实际波动范围处于所述最大波动范围之内。本发明提供的方法能够计算待修调熔丝修调芯片的电阻随工艺波动而允许产生的最大波动范围，从而能够通过工艺控制监控使待修调熔丝修调芯片的电阻的实际波动范围处于允许的最大波动范围之内，提高熔丝修调的可靠性。
熔丝修调芯片制造方法

[发明专利]一种芯片修调电路及修调方法-CN202110623480.7有效
发明人：请求不公布姓名 -专利权人：成都利普芯微电子有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种芯片修调电路及修调方法，包括：1个修调引线端，作为芯片的修调PAD；n+1个修调单元，与修调引线端连接共用同一个修调PAD；n+1个控制单元，其中n个控制单元受控于使能信号输出修调控制信号CO[n:1]，1个控制单元输出修调控制信号CO[0]；n个修调单元根据CO[n:1]执行熔断或不熔断对应修调熔丝的操作；1个修调单元根据CO[0]执行熔断对应修调熔丝的操作，该修调熔丝的熔断状态作为使能信号控制CO[n:1]；n+1个修调熔丝检测电路，用于检测修调熔丝的熔断状态，修调熔丝熔断后输出电平翻转；1个修调单元的修调熔丝熔断后，CO[n:1]被置为固定状态，n个修调单元始终执行不熔断修调熔丝的操作，各修调单元共用同一个修调
一种芯片电路方法

[发明专利]一种基于SPI串行接口的数字熔丝修调系统及方法-CN202111548957.6有效
发明人：李雪;袁兴林;田德鑫;陈敏华;袁伟;杨威;陈建波;何柯 -专利权人：贵州振华风光半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G06F30/32 文献下载
摘要：一种基于SPI串行接口的数字熔丝修调系统及方法，属于半导体集成电路领域。所述修调系统及方法利用接口作为复用引脚，减小了修调引脚，同时灵活的增加修调单元数量；所述系统包括模式切换单元MCTR，串行接口寄存器单元，数字熔丝修调单元FUSECTR；所述修调方法包括试写熔丝、试读熔丝、熔丝固化、熔丝固化值、熔丝固化值运行、熔丝固化值并行输入串行读取等过程。解决了现有修调技术中电路复杂，不能实现快速地、完成封装后、多修调位宽的成品修调，不能对实际修调值进行预修调操作，造成理论修调值和实际修调值存在偏差的问题。本发明广泛应用于基于串行接口半导体集成电路的数字熔丝修调系统及其他相关领域。
一种基于 spi 串行接口数字熔丝修调系统方法

[发明专利]修调熔丝读取电路-CN202011508363.8在审
发明人：王欢;于翔;谢程益 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种修调熔丝读取电路，包括：修调熔丝状态读取单元，包括第一支路和第二支路，第一支路通过第一电阻与电源端连接，第二支路通过修调熔丝与电源端连接，修调熔丝状态读取单元还接收熔丝读取信号，用于在熔丝读取信号有效时基于第一电阻判断修调熔丝的熔断状态；偏置电流产生单元，用于向修调熔丝状态读取单元提供偏置电流。该修调熔丝读取电路能够确保在修调熔丝未完全熔断的状态下也能够进行正常的读取，且修调熔丝的熔断状态的读取受电源电压的影响较小。
修调熔丝读取电路

[发明专利]芯片外围反熔丝预修调电路及其修调方法-CN202110304645.4有效
发明人：毛晓峰;黄朝刚;李剑 -专利权人：泉芯电子技术（深圳）有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H03K19/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片外围反熔丝预修调电路及其修调方法。修调方法包括：根据熔烧前测试的电参数初始值和电参数目标值用公式计算粗略预修调值，转换得粗略预修调的反熔丝组合；根据粗略预修调反熔丝组合对反熔丝进行粗略虚拟熔烧并测试出粗略电参数值；用设计的电参数的修调步长和粗略电参数值以及电参数目标值计算出预修调值偏差；根据预修调值偏差确定精准预修调范围，按精准预修调范围内的每个反熔丝修调组合对反熔丝进行虚拟熔烧并测试出对应的电参数预修调值，当在某个反熔丝组合下，测试到的电参数值和目标值最接近时，得到精准反熔丝组合；按照精准反熔丝组合对反熔丝进行熔烧，测试验证电参数最终值和目标值之间的误差是否满足要求。
芯片外围反熔丝预修调电路及其方法

[发明专利]一种修调电阻及其制造方法-CN201210576025.7有效
发明人：杨彦涛;陈文伟;刘慧勇;韩健;江宇雷;雷辉 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，形成在熔丝修调形状和介质层上，钝化层有对应修调结构的修调窗口和分别有对应连接垫的压点窗口。本发明还提供修调电阻的制造方法，利用熔丝修调形状在熔断区域中具有改变电流密度大小的修调结构，使修调结构处的熔丝有效横截面积偏小，电流密度偏大，熔断位置固定，熔断区域较小，同时使熔丝上的修调窗口开孔较小，以降低修调电阻上的修调窗口过大所导致的金属残留和化学残留等所引起的可靠性风险。
一种电阻及其制造方法

[实用新型]一种修调电阻-CN201220728878.3有效
发明人：杨彦涛;陈文伟;刘慧勇;韩健;江宇雷;雷辉 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2012-12-25 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；修调熔丝，由熔丝淀积形成于介质层上，修调熔丝有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在修调熔丝的两端分别有连接垫；钝化层，形成在修调熔丝和介质层上，钝化层有对应修调结构的修调窗口和分别有对应连接垫的压点窗口。本实用新型还提供修调电阻的制造方法，利用修调熔丝在熔断区域中具有改变电流密度大小的修调结构，使修调结构处的熔丝有效横截面积偏小，电流密度偏大，熔断位置固定，熔断区域较小，同时使熔丝上的修调窗口开孔较小，以降低修调电阻上的修调窗口过大所导致的金属残留和化学残留等所引起的可靠性风险。
一种电阻

[发明专利]一种熔丝修调电路-CN202310196294.9有效
发明人：王善喜;向明亮 -专利权人：无锡市晶源微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路修调技术领域，具体公开了一种熔丝修调电路，包括：熔丝修调控制单元、误修调保护单元和修调位控制单元，熔丝修调控制单元用于根据第一熔丝烧写控制信号在修调时段生成第一修调开启信号，以及在非修调时段生成第一修调关断信号；修调位控制单元用于根据第二熔丝烧写控制信号在修调时段生成第二修调开启信号，以及在非修调时段生成第二修调关断信号，并能够在修调时段时根据所述第一修调开启信号和第二修调开启信号进行修调；误修调保护单元用于根据误修调控制信号在修调时段生成数据读取关断信号，以及在非修调时段生成数据读取开启信号，数据读取开启信号小于所述第一修调开启信号。本发明提供的熔丝修调电路能够防止误修调。
一种熔丝修调电路

[发明专利]减少熔丝尖刺的修调结构及其制造方法-CN201310252078.8有效
发明人：杨彦涛;赵金波;王铎;李云飞;肖金平 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，过渡区中具有减少修调电阻熔丝尖刺的修调刻开区；形成在修调熔丝和介质层上的钝化层中分别具有修调刻开区处的释放窗口、修调电阻处和探针接触垫处的压点窗口。本发明还提供减少熔丝尖刺的修调结构的制造方法，利用金属的电迁移特性，使修调刻开区可以改善电迁移和温度引起的熔丝尖刺异常现象，并由此减少后道工艺水汽、聚合物残留，解决由此熔丝尖刺导致的封装失效，机械应力问题
减少尖刺结构及其制造方法

[发明专利]修调电路和芯片-CN201810909503.9有效
发明人：张利地;张海冰 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本申请公开了一种修调电路和芯片，修调电路包括：控制模块，用于根据修调信号和参考电压信号生成熔丝选择信号和熔丝信号；熔丝单元，包括排列成阵列的多个熔丝结构，每个所述熔丝结构包括连接在所述熔丝信号输入端与地之间的熔丝和开关管；选择模块，用于按预定顺序扫描所述多个熔丝结构的所述开关管，根据所述熔丝选择信号选通至少一个所述开关管；其中，所述修调信号至少包括第一电平和第二电平，所述修调信号为第一电平时，所述控制模块生成所述熔丝选择信号；所述修调信号为第二电平时，所述控制模块生成所述熔丝信号，用于在所述开关管导通时，在所述熔丝上施加所述熔丝信号。既能提高修调精度，又不需要在芯片上设置特定的修调引脚。
电路芯片

[发明专利]一种芯片参数修调电路-CN202111267487.6在审
发明人：韩艳丽;李胜男;刘华 -专利权人：上海岭芯微电子有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片参数修调电路，该电路包括：修调引脚：用于输入修调脉冲信号；逻辑控制单元：连接修调引脚，输出修调逻辑信号；修调控制单元：设置n组，根据修调逻辑信号分别输出n路修调控制信号；熔丝修调单元：设置n组，与n组修调控制单元一一对应连接，分别基于修调控制信号执行熔断或不熔断对应修调熔丝的操作；修调状态输出单元：设置n组，与n组熔丝修调单元一一对应连接，基于熔丝修调单元执行的熔断或不熔断对应修调熔丝的操作输出对应的修调状态与现有技术相比，本发明修调精度高，可以实现多种方案的修调，并不增加芯片过多面积，解决了芯片面积和修调精度需要折衷考虑的问题。
一种芯片参数电路

[实用新型]减少熔丝尖刺的修调结构-CN201320363042.2有效
发明人：杨彦涛;赵金波;王铎;李云飞;肖金平 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本实用新型提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，过渡区中具有减少修调电阻熔丝尖刺的修调刻开区；形成在修调熔丝和介质层上的钝化层中分别具有修调刻开区处的释放窗口、修调电阻处和探针接触垫处的压点窗口，以利用金属的电迁移特性，使修调刻开区可以改善电迁移和温度引起的熔丝尖刺异常现象，并由此减少后道工艺水汽、聚合物残留，解决由此熔丝尖刺导致的封装失效，机械应力问题，减少成品测试和使用中芯片功能失效和封装等可靠性风险。
减少尖刺结构

[发明专利]一种高灵活度的熔丝修调电路及其使用方法-CN201710389026.3在审
发明人：方海燕 -专利权人：北京伽略电子股份有限公司
申请日： 2017-05-26 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明提供一种高灵活度的熔丝修调电路，所述熔丝修调电路包括修调控制电路、熔丝控制电路、电流熔断熔丝、输出驱动器和SRAM静态存储单元；所述熔丝控制电路由熔断电流控制管M1和恒流源I1构成，恒流源I1连接芯片电源与电流熔断熔丝；修调控制电路的另一个输出端与SRAM静态存储单元连接；输出驱动器由多路选择器构成，其输入端分别连接SRAM静态存储单元的输出端和所述电流熔断熔丝。本发明的熔丝修调电路通过SRAM静态存储单元的设置，实现在模拟修调阶段以SRAM输出代替熔丝动作，实现多次编程，有效提高修调电路灵活性和修调精度。
一种灵活熔丝修调电路及其使用方法

[实用新型]低关断功耗多目标电压熔丝烧断修调器-CN201520494920.3有效
发明人：俞德军;李昌红;于臻;彭丽;李玉凤 -专利权人：成都智芯恒远电子科技有限公司
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：一种低关断功耗多目标电压熔丝烧断修调器，包括电流产生电路板、修调控制电路板、熔丝修调主电路板、选择器及精准电压输出；所述电流产生电路板与修调控制电路板及熔丝修调主电路板连接，所述熔丝修调主电路板与修调控制电路板及选择器连接通过电流产生电路板产生参考电流与参考电压，在修调信号输入与参考电压比较结果为正时开启熔丝修调主电路板，并产生稳定的修调信号输出，然后通过选择器进行内部所需精准电压的微调，同时能使熔丝烧断电流产生电路板彻底关断后将修调信号连接到固定电位，而不是浮空，从而保证电路的低关断功耗与多目标电压修调。
低关断功耗多目标电压熔丝烧断修调器

[发明专利]熔丝单元电路及模数转换器-CN202310754107.4在审
发明人：胡永菲;雷郎成;詹勇;金森磊;万俊珺;廉鹏飞 -专利权人：重庆吉芯科技有限公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明提供一种熔丝单元电路及模数转换器，所述熔丝单元电路包括熔丝、熔断模块、熔丝状态读取模块及输入输出逻辑模块；在本发明中，基于“熔丝+熔断模块+熔丝状态读取模块+输入输出逻辑模块”设计熔丝单元电路，在输入输出逻辑模块内部，将数据信号的读写通路与熔丝状态信号的输出通路相分离，电路结构简单，对应控制逻辑简单；基于数据信号的读写可进行预修调，通过预修调找到最好的修调方案之后，再进行真实修调熔断，有利于减小熔丝单元电路的应用复杂度，提高了修调的灵活性和可靠性，降低了修调成本；修调完成后，可进行熔丝状态信号的输出，便于熔丝实际状态与理想状态的对比验证，进一步提高了修调的可靠性。
单元电路转换器

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