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[发明专利]一种水溶性KDP晶体元件表面微缺陷DPN修复过程液桥全范围计算方法-CN202310241690.9在审
发明人：程健;陈广;陈明君;赵林杰;王景贺;丁雯钰;徐文才;侯家锟;雷鸿钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种水溶性KDP晶体元件表面微缺陷DPN修复过程液桥全范围计算方法，属于微纳制造技术领域。本发明将AFM针尖模型构建为针尖球头和锥形本体根据探针针尖、KDP晶体元件和液桥形貌曲线的几何关系，构建液桥形貌曲线的参数化常微分方程及探针针尖复合轮廓的几何方程；采用粗寻根和精寻根两个步骤，并结合二分法对液桥形貌曲线进行求解本发明方法更适用于高环境湿度条件下水溶性KDP晶体元件DPN修复过程液桥形貌的计算。
一种水溶性 kdp 晶体元件表面缺陷 dpn 修复过程液桥全范围计算方法

[发明专利]一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架及生长方法-CN201210102338.9有效
发明人：胡章贵;涂衡 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于大截面KDP类晶体生长的载晶架，包括上横板、下横板、两个侧柱以及籽晶杆，两个侧柱与上、下横板围成“口”字形结构，从侧柱方向看为“工”字形，籽晶杆固定于所述上横板外表面的中间位置。本发明还提供了一种大截面KDP类晶体的生长方法，采用本发明提供的载晶架进行晶体的生长。本发明提供的KDP类晶体生长方法可以提高晶体的利用率，减少了晶体加工环节。与传统生长方法相比，具有利用率高、节约生长原料、周期短、降低成本消耗等优点。
一种用于截面 kdp 晶体生长载晶架生长方法

[发明专利]KDP晶体水溶解微纳加工系统及加工方法-CN201710180473.8有效
发明人：高航;刘子源;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-03-23 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B24B57/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种KDP晶体水溶解微纳加工系统及加工方法，所述的系统包括抛光液性能连续实时调控装置、抛光装置和夹持装置，所述的夹持装置将KDP晶体工件压在夹持装置上，所述的抛光液性能连续实时调控装置位于抛光装置的一侧本发明利用材料本身所具备的水溶解特性这一客观自然规律，创造性的采用一系列具备不同温度和质量百分比浓度的磷酸二氢钾溶液实现KDP晶体的超光滑表面高效创成。
kdp 晶体溶解加工系统方法

[发明专利]一种氧化石墨烯/磷酸二氢钾复合膜的制备方法-CN202010028131.6有效
发明人：张宇锋;黄煌;费子琪;穆瑞 -专利权人：厦门大学
申请日： 2020-01-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01M8/124 文献下载
摘要：1)将KDP晶体加入去离子水中，配置KDP盐溶液；2)对KDP盐溶液进行超声处理，同时加入GO水溶液，得混合溶液；3)将步骤2)所得混合溶液离心；4)提取步骤3)离心后的上层溶液，将其中一部分溶液滴注在光滑平面
一种氧化石墨磷酸二氢钾复合制备方法

[发明专利]超高介电常数的钛酸钡复合材料及其柔性电容器制备方法-CN202210109857.1有效
发明人：夏瑶;于天池;齐建全;赵颖洁;刘一麟;朱航;陈子坤;李歆;王佳贤;王恒昌;孙佑辰;刘鹤;朱翰泽;韩秀梅;翟燕 -专利权人：东北大学秦皇岛分校
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：当钛酸钡复合材料作为大容量固态电容时，该材料相对介电常数可以106，通过原位生长法将KDP、BaTiO3和PVDF复合，使BaTiO3、PVDF和KDP之间形成面接触，产生大量界面，产生界面电荷，以提高材料介电常数，有效填补BaTiO3同时，KDP是环境友好型铁电材料，其中的钾、磷元素能够有效地缓解电容器报废对土壤环境污染问题。
超高介电常数钛酸钡复合材料及其柔性电容器制备方法

[发明专利]磷酸二氢钾孪晶的制备方法-CN200710042739.9无效
发明人：王燕;余岢;岳桢干 -专利权人：上海大学
申请日： 2007-06-26 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： C01B25/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属晶体材料制备技术领域。本发明制备步骤如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切割成大小相同的两段，选择两个要相对粘贴的锥面，将该两锥面用细砂纸磨大并磨成相同大小；然后将两段晶体粘贴到有机玻璃板上，磨大的两个锥面互相平行且间隔；将上述粘贴好的晶体放在事先配制好的饱和磷酸二氢钾溶液中，控制晶体生长的温度条件，并按设计的程序降温，使晶体在溶液中良好生长，整个生长温度区域为50～40℃，最后温度降至室温，最终制得两光轴成90°的KDP
磷酸二氢钾孪晶制备方法

[实用新型]一种高温LD泵浦正交波罗棱镜偏振耦合输出腔-CN201621176219.8有效
发明人：赵虎;贾海旭;李磊 -专利权人：天津东方锐镭科技有限责任公司
申请日： 2016-11-03 - 公布日： 2017-04-19 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本实用新型属于激光器技术领域，具体涉及一种高温LD泵浦正交波罗棱镜偏振耦合输出腔，包括水平波罗棱镜、λ/2波片、第一YAG晶体、第二YAG晶体、第一高温LD泵浦、第二高温LD泵浦、第一45°偏振片、KDP晶体、第二45°偏振片和竖直波罗棱镜，水平波罗棱镜和竖直波罗棱镜正交，第一45°偏振片和第二45°偏振片正交，水平波罗棱镜与λ/2波片光连接，第一45°偏振片与KDP晶体光连接，KDP晶体与第二45°偏振片光连接
一种高温 ld 正交波罗棱镜偏振耦合输出

[发明专利]KDP调Q开关-CN201510892593.1在审
发明人：尚旭川;董涛;唐刚锋 -专利权人：中国航空工业集团公司洛阳电光设备研究所
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明涉及激光器件，尤其涉及一种KDP调Q开关。KDP调Q开关包括外壳，外壳中设有KD*P晶体，在沿光路方向上，KD*P晶体的两侧设有密封光窗，在垂直光路方向上，KD*P晶体与外壳之间由内向外依次设有晶体支架、加热套和加热丝，加热丝固定在加热套上，加热套将加热丝和晶体支架隔离开
kdp 开关

[发明专利]一种离子束弹性域刻蚀提升激光损伤阈值的方法-CN201510660694.6在审
发明人：戴一帆;陈少山;胡皓;石峰;解旭辉;彭小强;周林 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： B24B13/00 文献下载
摘要：本发明提供一种离子束弹性域刻蚀提升激光损伤阈值的方法，利用非水基磁流变进行KDP晶体的抛光，对抛光后的晶体表面进行离子束弹性域刻蚀抛光。其能保证清除晶体表面残留的有机醇和铁粉，并能确保在清除铁粉的过程中表面不出现划痕、不破坏表面质量，同时通过弹性域刻蚀去除超精密车削过程中引入的在磁流变抛光没有完全去除的亚表面缺陷，从而有效的提升KDP晶体的抗激光损伤能力
一种离子束弹性刻蚀提升激光损伤阈值方法

[发明专利]KDP类晶体生长过程中载晶架上杂晶的消除装置和方法-CN201910299107.3有效
发明人：齐红基;陈端阳;邵建达;王斌;范永涛 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种KDP类晶体生长过程中载晶架上杂晶的消除装置和方法，可以在载晶架上产生杂晶的情况下，通过计算机图像识别杂晶的位置，自动发送指令通知控制器控制杂晶位置下面加热片发热，从而在杂晶所在的区域形成一个局部的高温本发明可以在不影响晶体正常生长的情况下溶解载晶架上的杂晶，提高KDP类晶体生长的成功率。
kdp 晶体生长过程中载晶架上消除装置方法

[发明专利]一种晶体培养连续过滤自动控制方法-CN201210098340.3无效
发明人：潘丰;王凯;张相胜;李艳坡 -专利权人：江南大学
申请日： 2012-03-29 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体培养连续过滤自动控制方法，属于过程控制先进控制领域，适用于快速生长大尺寸KDP和DKDP晶体的培养，此方法涉及温度控制、流量联动控制、报警控制、历史数据存储与分析等方法。本发明在晶体培养过程中通过对生长溶液进行循环过滤，克服溶液自发结晶的影响，使杂晶与无关颗粒大量减少，提高了大尺寸晶体的生长速度和质量，保证KDP和DKDP晶体具有大尺寸、低错位度、高光学均匀性和高激光损伤阈值等特征
一种晶体培养连续过滤自动控制方法

[实用新型]一种新型的KDP类晶体的生长装置-CN200420013227.1无效
发明人：潘建国;曾金波;林秀钦;魏兆敏;林羽;林敢 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2004-12-28 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：一种新型的KDP类晶体的生长装置，涉及人工晶体生长领域。它是由主槽体6和育晶缸8两个部分组成。本实用新型的生长装置可用于磷酸二氢钾、磷酸二氯钾、磷酸二氢铵和磷酸二氘铵及同系列的KDP类晶体的生长。
一种新型 kdp 晶体生长装置

[发明专利]提升KDP类晶体飞秒激光诱导损伤阈值的装置及方法-CN202011508827.5在审
发明人：连亚飞;邵建达;赵元安;朱翔宇;陈美玲;李婷 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：一种提升KDP类晶体飞秒激光诱导损伤阈值的装置及方法，构成包括脉宽可调激光器、第一快门、第一波片、第一偏振片、第一凸透镜、第一楔形片、第一光束质量分析仪、第一光电探测器、第一反射镜、第二反射镜、电控位移台、待处理KDP类晶体、CCD相机、吸收池、飞秒激光器、第二快门、第二波片、第二偏振片、第一凹透镜、第二凸透镜、第三凸透镜、第二楔形片、第二光束质量分析仪、第二光电探测器、连续激光器、第三反射镜、第四反射镜和计算机，本发明不仅能够对飞秒激光器用KDP类晶体倍频元件进行大面积激光预处理，也能通过测量预处理前后样品损伤阈值变化情况评估预处理效果，为有效提升飞秒激光器的倍频能量输出提供解决方案。
提升 kdp 晶体激光诱导损伤阈值装置方法

[发明专利]一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法-CN202111211292.X在审
发明人：陈端阳;齐红基;邵建达;王斌 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C30B7/00 文献下载
摘要：一种长籽晶KDP类晶体的偏置式快速生长方法，将长籽晶置于远离载晶架底部托盘上表面中心的位置，使长籽晶在生长过程中绕载晶架旋转轴在生长槽中周期性正反交替旋转，所述的长籽晶的中心纵轴与所述的载晶架的旋转轴不重合本发明有利于改善长籽晶KDP类晶体生长初期长籽晶附近的流场状态，显著降低晶体生长初期白纹缺陷的产生几率，提高快速生长KDP类晶体的成功率和晶体元件的切割效率。
一种籽晶 kdp 晶体偏置快速生长方法

[发明专利]一种KDP类晶体生长载晶架及生长方法-CN201410186495.1有效
发明人：涂衡;胡章贵;岳银超;赵营 -专利权人：中国科学院理化技术研究所
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： C30B29/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种KDP类晶体生长载晶架，所述载晶架包括上横杆、两个侧杆、下横板以及籽晶杆；其中两个侧杆与上横杆、下横板围成“口”字形结构；所述籽晶杆固定于所述上横杆的中间位置。本发明还提供了一种KDP类晶体的生长方法，采用本发明提供的载晶架进行晶体的生长。本发明提供的KDP类晶体生长方法能有效提高晶体生长成功率，加快晶体生长速度，提高晶体质量。
一种 kdp 晶体生长载晶架生长方法