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[发明专利]大口径KDP晶体最佳相位匹配角测量系统及其测量方法-CN202210109674.X有效
发明人：胡东霞;裴国庆;叶朗;徐旭;周海;张朗;独伟锋;李珂;林春刚 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01B11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种大口径KDP晶体最佳相位匹配角测量系统及其测量方法，包括依次设置的激光器、整形器、标准镜、凹透镜和CCD相机，激光器出射激光经整形器整形后垂直入射到凹透镜，从而产生从多个角度入射到待测KDP晶体表面的激光，CCD相机用于接收并记录由待测KDP晶体出射的激光；所述测量系统还包括激光自准直仪、晶体自准直仪和图像处理模块，激光自准直仪用于对标准镜及激光器出射激光进行准直，晶体自准直仪用于准直待测KDP晶体，图像处理模块能够读取CCD相机获取的图像并计算出对应的相位匹配角。本发明能够实现KDP晶体相位匹配角度的精确测量，具有自动化程度高，操作方便，测量准确等优点。
口径 kdp 晶体最佳相位配角测量系统及其测量方法

[发明专利]一种基于AFM的KDP晶体表层微纳缺陷检修装置、系统及方法-CN202310603520.0在审
发明人：程健;徐文才;赵林杰;陈广;陈明君;丁雯钰;雷鸿钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于AFM的KDP晶体表层微纳缺陷检修装置、系统及方法，属于KDP晶体缺陷检修技术领域。为了解决现有KDP晶体在修复时主要采用微机械修复，但会在晶体表面残留修复痕迹，多次修复后会造成损伤；且检测精度有限，无法检测20μm以下缺陷的问题。包括双工位检测装置和AFM装置，利用双工位检测装置进行粗定位和精定位，二者的结合既能实现精准定位又能提高检测速度；利用AFM装置进行修复，相对于微机械修复来说，不会对KDP晶体表面造成机械损伤，可进行重复多次的修复
一种基于 afm kdp 晶体表层缺陷检修装置系统方法

[发明专利]可用于KDP晶体抛光加工的确定性局部物理潮解加工装置及其抛光加工方法-CN201210266674.7有效
发明人：戴一帆;彭小强;关朝亮;沈新民;彭文强;李圣怡 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可用于KDP晶体抛光加工的确定性局部物理潮解加工装置，包括工件装配台和设有喷嘴的运动平台，喷嘴通过液体输送管道与储液罐相连通，液体输送管道上设有可将储液罐中的反应液输送至喷嘴处的蠕动泵，该加工装置对KDP晶体进行抛光加工的方法包括以下步骤：首先在工件装配台上固定待抛光加工的KDP晶体；以纯水作为潮解反应剂，在蠕动泵的作用下将其输送到喷嘴处，将KDP晶体潮解去除限制在喷嘴接触的区域内，以乙醇挥发得到的温度梯度来消除KDP晶体表面的反应剂残留，同时通过真空发生器实现的负压使反应剂从喷嘴处回收。
用于 kdp 晶体抛光加工的确定性局部物理潮解装置及其方法

[发明专利]一种横向调制KDP型电光Q开关-CN202011598774.0有效
发明人：商继芳;郝好山;杨金凤;陈铃;苏丽霞 -专利权人：河南工程学院
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01S3/115 文献下载
摘要：本发明提供了一种横向调制KDP型电光Q开关，其特征在于：将两块相同的KDP型晶体组合，所述KDP型晶体切型为，其中x、z代表KDPDEST_PATH_IMAGE004.JPG" imgContent="drawing" imgFormat="JPEG" orientation="portrait" inline="yes" />，所述KDP
一种横向调制 kdp 电光开关

[发明专利]一种易潮解KDP功能晶体局部凹凸表面的等材修平方法-CN202011271636.1在审
发明人：程健;程旭盟;彭恩鸿;王景贺;陈明君;赵林杰;杨浩;刘启;谭超;武文强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：一种易潮解KDP功能晶体局部凹凸表面的等材修平方法，属于工程光学领域，用以解决由于现有表面微机械处理方法的局限性而导致的不能实现KDP功能晶体局部凹凸表面的平整化处理的问题。该方法的技术要点在于基于KDP晶体材料的易潮解特性，不增加或减少晶体材料，通过控制晶体元件加工环境的湿度，使晶体处于高湿度环境下，在微探针与KDP晶体表面形成水半月板，利用水溶剂的介入作用，对晶体表面局部凹凸形貌进行等材修平以实现晶体元件表面局部凹凸形貌的平整化处理
一种潮解 kdp 功能晶体局部凹凸表面平方

[发明专利]KDP晶体一维往复运动生长方法-CN202110284799.1在审
发明人：李明伟;周思佳;刘杭;周川;尹华伟;胡志涛;宋洁 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本项目涉及一种KDP晶体一维往复运动生长方法，具有两大优势。一是避免了传统转晶法、二维和三维运动方法存在的极易形成包裹物的三种流动区域：迎流滞止区、背流对流涡胞区和侧壁边界层下游区；二是充分利用KDP晶体的一维对称性，靠往复运动实现可逆剪切流，可逆剪切流具备极佳的生长高质量晶体的水动力学条件该方法有利于实现快速的高质量KDP晶体生长，为惯性约束激光核聚变(ICF)激光装置所需的大尺寸和高质量KDP晶体提供较好的解决方案。
kdp 晶体往复运动生长方法

[发明专利]一种KDP晶体表层微纳缺陷光学成像粗检与AFM扫描精检的双工位检测装置及检测方法-CN202310603247.1在审
发明人：程健;徐文才;赵林杰;陈广;陈明君;丁雯钰;雷鸿钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种KDP晶体表层微纳缺陷光学成像粗检与AFM扫描精检的双工位检测装置及检测方法，属于KDP晶体缺陷检测技术领域。为了解决现有KDP晶体检测时难以对20μm以下的缺陷进行精准定位，利用更为精细的检测装置时检测效率较低的问题。通过双工位检测装置能够实现对缺陷的粗定位和精细定位，相对于仅粗定位来说，检测到的缺陷更精确，相对于仅精细定位来说，检测效率更佳，二者的结合既能实现精准定位又能提高检测速度；本装置能够实现KDP晶体表面2μm
一种 kdp 晶体表层缺陷光学成像 afm 扫描双工检测装置方法

[发明专利]KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法-CN201810620203.9有效
发明人：齐红基;陈端阳;邵建达;谢晓义;范永涛;王斌;王虎 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：一种KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，包括晶体生长槽、位于晶体生长槽内部的载晶架，载晶架通过载晶架连杆与位于晶体生长槽外部的旋转电机相连，晶体生长槽的侧壁开有观察窗，载晶架连杆上安装有编码器该用于KDP类晶体生长参数的实时测量系统及其测量方法，可以实时准确得到晶体的尺寸、生长速度以及过饱和度，有利于科研人员掌握KDP类晶体的生长规律，优化KDP类晶体生长工艺和提高晶体质量，助力ICF装置的顺利完工
kdp 晶体生长参数实时测量系统及其测量方法

[发明专利]一种利用电光晶体实现OCDMA编解码的方法与装置-CN200910232692.1无效
发明人：许国良;姚伟 -专利权人：南京大学
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：利用电光晶体实现OCDMA编解码的方法，采用电光偏转器、波长转换器、电光开关、信号处理模块、保偏光纤构成OCDMA编解码器，电光开关利用具有电光效应的KDP晶体构造；电光开关利用一对垂直的偏振器中间设有KDP晶体的半波片开关构成，半波片开关利用KDP晶体γ63的横向电光效应构造，外加电场满足半波电压Vπ：此时KDP晶体相当于一个半波片，使光束的偏振面旋转90度，实现开关的功能。
一种利用电光晶体实现 ocdma 解码方法装置

[发明专利]一种基于ABAQUS的各向异性KDP功能晶体材料微铣削加工过程的三维仿真方法-CN202210905554.0在审
发明人：程健;雷鸿钦;陈明君;赵林杰;王景贺;刘启;刘志超;王健;许乔 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于ABAQUS的各向异性KDP功能晶体材料微铣削加工过程的三维仿真方法，属于光学元件计算机辅助设计与加工技术领域。为解决现有的仿真方法无法从三个维度精确预测各向异性KDP材料微铣削加工过程的问题。包括：步骤一、构建加工过程的三维装配模型；步骤二、设置分析步时间总长和半自动质量缩放以及设置输出变量；步骤三、构建工件的各向异性本构模型；步骤四、对铣刀和KDP晶体元件分别进行网格划分；步骤五、模拟铣刀与元件的接触状态本发明方法能够全方位精确描述向异性KDP晶体材料微铣削加工过程。
一种基于 abaqus 各向异性 kdp 功能晶体材料铣削加工过程三维仿真方法

[发明专利]KDP晶体切削温度的测量方法-CN201810436044.7有效
发明人：安晨辉;冯可;许乔;雷向阳;张剑锋;张帅;苏文虎;张利平;王伟 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种飞切加工KDP晶体过程中测量晶体切削区域温度的方法，包括以下步骤：1)获取KDP晶体材料的参数；2)为仿真软件设置切削速度、切削深度和进给量；3)使用有限元仿真软件仿真KDP晶体切削过程；本发明结合有限元仿真分析和变色材料的KDP晶体切削温度测量方法，根据刀具上变色材料的变色情况结合有限元仿真结果，可以直接得到刀具前刀面的温度，结合仿真，间接地得到切削区域中的温度分布。
kdp 晶体切削温度测量方法

[发明专利]一种适用于大尺寸KDP晶体超精密高效抛光装置与方法-CN202210037263.4有效
发明人：高航;程志鹏;王宣平;朱祥龙;郭东明 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于大尺寸KDP晶体超精密高效抛光装置与方法，所述的抛光装置包括支撑单元、精密水平运动滑台、工件抛光夹持单元、多点浓度连续可调控抛光液供给单元、底座、精密回转工作台、抛光垫修整单元、在线测量单元、抛光残液连续吸除回收单元和设备控制系统单元；所述的抛光方法包括粗抛光加工、精抛光加工、超精密抛光加工三个阶段，每个加工阶段采用不同种类的抛光液，通过控制系统可实现大尺寸KDP晶体的全口径粗、精、超精密多工序一体化抛光加工本发明既能够实现大尺寸KDP晶体超精密抛光加工，又能提高加工效率，实现大尺寸KDP的高效、高质、近无损伤超精密加工。
一种适用于尺寸 kdp 晶体精密高效抛光装置方法

[发明专利]一种载晶架及KDP类晶体的生长方法-CN201910998686.0有效
发明人：郑国宗;胡子钰;林秀钦;李静雯 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C30B7/08 文献下载
摘要：本申请公开了一种载晶架及KDP类晶体的生长方法，本申请的载晶架包括下底板、上底板和支撑部；上底板与下底板之间通过支撑部形成空腔，下底板开设有通孔，上底板下表面开设有盲孔。本发明所提供的KDP类晶体的生长方法，使点籽晶在载晶架空腔与下底板下表面之上同时生长，空腔以保证晶体生长过程中不落入生长槽底部，可有效避免生长过程中杂晶对晶体的干扰，从而提高KDP类晶体的生产效率。
一种载晶架 kdp 晶体生长方法

[发明专利]一种KDP晶体表层微纳缺陷检测与修复用的三光源用可调夹具-CN202310603305.0在审
发明人：程健;徐文才;赵林杰;陈广;陈明君;丁雯钰;雷鸿钦 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本发明提供了一种KDP晶体表层微纳缺陷检测与修复用的三光源用可调夹具，属于KDP晶体检修技术领域。为了解决现有夹具无法使用背照光源，无法保证晶体样品的全范围扫描，会导致KDP晶体部分缺陷点检测与修复遗漏的问题。能够通过三种光源光照下不同的视野来比较和确定缺陷的准确位置；提高了夹具的适应性；可保证了KDP晶体元件表面缺陷外形轮廓的获取。
一种 kdp 晶体表层缺陷检测修复光源可调夹具

[发明专利]磷酸二氢钾孪晶的制备方法-CN200910198198.8有效
发明人：王燕;徐军;刘燕红;庞宛文;白丽华;张惠芳 -专利权人：上海大学
申请日： 2009-11-03 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： C01B25/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷酸二氢钾(KDP)孪晶的制备方法，它主是要是一种采用水溶液降温法人工培养孪晶的方法，属无机晶体材料制备工技术领域。本发明方法主要过程如下：将外形完整的磷酸二氢钾(KDP)单晶切掉两锥顶，剩下部分切取两段，按既定角度方向磨平，磨成大小相同的两段晶体，将磨出的大小相同的对应面相对接，再把上下两顶磨平；然后再把欲形成的孪晶界面在接触面沿对角线打磨，并进行抛光；然后将两段晶体的两锥面接触，使两锥面处在一条直线上；以YZ平为底竖直粘贴到有机玻璃板上；然后把粘好的晶体放入KDP饱和溶液中，控制生长条件，使晶体在其中生长，最后生成两共轴成40°的KDP
磷酸二氢钾孪晶制备方法