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[实用新型]一种功率放大器电路-CN202220930988.1有效
发明人：温丽旋 -专利权人：广州昌钰行信息科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率放大器电路，包括PA、功率控制电路、偏置电路、偏置提升电路、地线、PFIN和PFOUT，功率控制电路包括：Vcon、R1、R2、HBT1和HBT2，R1一端与电源Vcon相连，R1另一端分别与HBT1的基极、HBT2的发射极相连，HBT1的集电极与线性化偏置电路的输入端口相连，HBT1的发射极分别与HBT2的基极、R2一端相连，HBT2的集电极、R2另一端、地线相连，R3一端分别与电源V bias、HBT5集电极相连，R3另一端分别与HBT 5基极、C1一端、HBT3集电极、HBT3基极和功率控制电路的输出端口相连，C1另一端接地线，HBT3发射极、HBT4基极、HBT4集电极相连，HBT4发射极接地线，HBT5发射极与功率放大器的输入端口相连；本一种功率放大器电路具有降低耗能、结构简单的优点的优点。
一种功率放大器电路

[发明专利]小型非线性异质结双极晶体管阵列-CN03164998.X无效
发明人：托马斯·A·温斯洛 -专利权人： M/A－COM公司
申请日： 2003-09-30 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开一种HBT阵列中，其中的HBT构成为非线性、即交错排列，因此减少了阵列中的相邻HBT之间的热耦合冲击并避开了用于线性HBT阵列所需的最小集电极－集电极间隔设计规则。采用这种非线性结构，相邻HBT彼此不对准。在优选实施例中，阵列中的相邻HBT构成为角对角排列，并且在更优选实施例中，相邻HBT的集电极对准或公用，即一个HBT的集电极与相邻HBT的集电极公用。在最优选实施例中，HBT以发射极镇流/基极镇流图形的形式(称为“混合镇流”或“双镇流”)被镇流。
小型非线性异质结双极晶体管阵列

[发明专利]高频半导体器件-CN01806367.5有效
发明人：森一富;新庄真太郎;前村公正;紫村辉之;中原和彦;高木直 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-05-11 - 公布日： 2003-05-07 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：本发明的高频半导体器件用于抑制多路HBT的电流集中，同时改善噪声特性的恶化、增益的降低、及功率效率的降低，在构成放大器(10)的初级及输出级的多路HBT中，构成该初级多路HBT(12)的基本HBT(14)由HBT(14a)和与该HBT(14a)的发射极连接的发射极电阻14b构成，构成输出级的多路HBT(16)的基本HBT(18)由HBT(18a)和与该HBT(18a)的基极连接的基极电阻(18c)构成
高频半导体器件

[发明专利]一种带使能控制的放大器偏置电路-CN202110540675.5在审
发明人：许欢;冷益平;余锐 -专利权人：芜湖麦可威电磁科技有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种带使能控制的放大器偏置电路，包括使能信号输入电路、参考电压输入端、晶体管HBT3、晶体管HBT4、晶体管HBT5、晶体管HBT6，所述使能信号输入电路连接HBT3的基极；参考电压输入端VREF经电阻R5连接至晶体管HBT3的集电极；晶体管HBT3的发射极分别连接晶体管HBT4的集电极、HBT4的基极、晶体管HBT6的基极；晶体管HBT4的发射极分别连接HBT5的集电极和基极；晶体管HBT5的发射极接地；晶体管HBT6的集电极连接参考电压输入端VREF；晶体管HBT6的发射极引出端子用于输出偏置电流以控制放大器的开闭。
一种带使能控制放大器偏置电路

[实用新型]带使能控制的放大器偏置电路-CN202121061534.7有效
发明人：许欢;冷益平;余锐 -专利权人：芜湖麦可威电磁科技有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带使能控制的放大器偏置电路，包括使能信号输入电路、参考电压输入端、晶体管HBT3、晶体管HBT4、晶体管HBT5、晶体管HBT6，所述使能信号输入电路连接HBT3的基极；参考电压输入端VREF经电阻R5连接至晶体管HBT3的集电极；晶体管HBT3的发射极分别连接晶体管HBT4的集电极、HBT4的基极、晶体管HBT6的基极；晶体管HBT4的发射极分别连接HBT5的集电极和基极；晶体管HBT5的发射极接地；晶体管HBT6的集电极连接参考电压输入端VREF；晶体管HBT6的发射极引出端子用于输出偏置电流以控制放大器的开闭。
带使能控制放大器偏置电路

[发明专利]一种GaAsHBT功率器件-CN201610172324.2在审
发明人：周佳辉;郭嘉帅;钱永学;孟浩 -专利权人：上海翰微电子技术有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明提供一种GaAs HBT功率器件，所述GaAs HBT功率器件包括多个并联的HBT晶体管，所述GaAs HBT功率器件的衬底隔离区开设有背孔，所述GaAs HBT功率器件的衬底有源区在所述HBT晶体管的背面位置开设有背孔，所述HBT晶体管的发射极通过布线金属与衬底隔离区的背孔金属相连。本发明能够有效改善GaAs HBT功率器件由于自热和热耦合引起的电流增益崩塌现象，提高工作效率。
一种 gaashbt 功率器件

[发明专利]RF功率放大器-CN03811490.9无效
发明人： R·科斯特;J·J·胡格;N·克拉默;R·M·希尔雷斯 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2003-05-19 - 公布日： 2005-08-17 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：根据本发明的RF功率放大器包括连接到电源的多个并联输出晶体管(HBT，1，1到HBT，1，N)。提供用于输出晶体管(HBT，1，1到HBT，1，N)的多个基极电阻器(Rb，1，1到Rb，1，N)和多个输入电容器(Cb，1到Cb，N)，每个输入电容器并联耦合以便接收RF信号输入并经至少一个附加无源部件连接到每个对应输出晶体管(HBT，1，1到HBT，1，N)的输入端。从输出晶体管(HBT，1，1到HBT，1，N)的并联接点获得用于RF输出信号的输出。晶体管(HBT，1，1到HBT，1，N)是异质结双极晶体管。
rf 功率放大器

[发明专利]一种高输出功率高效率的功率放大器-CN201811101359.2在审
发明人：马建国;魏世哲;傅海鹏;马凯学 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种高输出功率高效率的功率放大器，采用基于SiGe工艺的HBT堆叠结构，由三层HBT串联堆叠组成；包括二号HBT晶体管、三号HBT晶体管、四号HBT晶体管和电阻分压网络；二号HBT晶体管发射极接地，集电极连接三号HBT晶体管发射极，基极分别连接二号隔直电容和一号扼流电感；三号HBT晶体管集电极连接四号HBT晶体管发射极，基极连接三号偏置电阻和二号接地电容，三号HBT晶体管基极和发射极之间连接二号电感和三号隔直电容；四号HBT晶体管基极和发射极间连接三号电感和四号隔直电容；四号HBT晶体管基极连接二号偏置电阻和三号接地电容；四号HBT晶体管集电极连接一号电阻、二号扼流电感和五号隔直电容。
隔直电容晶体管发射极晶体管基极晶体管晶体管集电极电感高输出功率功率放大器扼流电感接地电容偏置电阻发射极高效率电阻分压网络集电极连接堆叠结构基极连接接地电阻堆叠三层串联

[发明专利]功率放大器的量子阱热感测-CN201880033125.0在审
发明人：陶耿名;李夏;杨斌 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L29/15 文献下载
摘要：一种异质结双极性晶体管(HBT)热感测器件，包括作为HBT子集电极和HBT基底之间的层的阱结构。在一个实例中，该HBT子集电极接触HBT热感测器件的发射极、集电极和基极。该HBT热感测器件还包括与量子阱结构电接触的第一侧电极和与量子阱结构电接触的第二侧电极。
热感量子阱结构子集电极侧电极电接触异质结双极性晶体管发射极集电极阱结构基底

[发明专利]一种柔性InP HBT器件及其制备方法-CN201911053381.9有效
发明人：吴立枢;戴家赟;程伟;王元;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性InP HBT器件及其制备方法，器件包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上键合有键合层，所述键合层上结合有停止层，所述停止层上设置有InP HBT器件。制备方法为首先在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构，然后在该InP HBT外延片上完成器件及电路制备，再在临时载片正面旋涂可逆临时键合材料，将完成电路工艺的InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合，对InP衬底背面进行选择性去除直至停止层，在InP HBT外延层背面制作键合材料，将InP HBT外延层背面与柔性衬底进行键合，最后将InP HBT外延层与临时载片分离，得到柔性InP HBT器件。
一种柔性 inp hbt 器件及其制备方法

[发明专利]一种基于电流复用技术的高输出功率高增益的功率放大器-CN201710028388.X在审
发明人：马建国;郭思成;傅海鹏;赵升 -专利权人：天津大学（青岛）海洋工程研究院有限公司
申请日： 2017-01-16 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： H03F3/19 文献下载
摘要：一种基于电流复用技术的高输出功率高增益的功率放大器，电路使用基于SiGe工艺的异质结双极晶体管（HBT）堆叠结构，由4层HBT的集电极发射极相连堆叠组成，每个HBT均偏置在AB类，供电电压VCC通过串联的电阻为每层堆叠的HBT提供合适的静态工作点；堆叠结构中使用电流复用结构，上层HBT的基极通过串联的共面波导（CPW）与电容连接到底层HBT的集电极，并且上层HBT的发射极与底层HBT的集电极通过串联的CPW相连，这种电路结构在降低电路复杂程度
功率放大器串联高输出功率电流复用堆叠结构高增益集电极异质结双极晶体管上层电流复用结构集电极发射极静态工作点电路成本电路结构电路使用电容连接供电电压共面波导输出功率层堆叠发射极电阻堆叠偏置电路

[发明专利]一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法-CN202010617051.4有效
发明人：吴立枢;戴家赟;程伟;孔月婵;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积柔性衬底InP HBT器件及其制备方法，制备方法包括：在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构；完成器件及电路制备；InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合；对InP衬底背面选择性去除直至停止层；通过滚轴压印的方法实现InP HBT外延层背面与柔性衬底贴合；通过加热的方法加强InP HBT外延层背面与柔性衬底的贴合；将InP HBT外延层与临时载片分离，得到柔性衬底InP HBT器件。本发明通过外延层剥离和滚轴压印的方式，实现大面积柔性衬底InP HBT器件的制备，该制备方法能够与现有化合物半导体工艺和微纳加工工艺兼容，具备批量化制备潜力。
一种大面积柔性衬底 inp hbt 器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件制作方法和SiGe HBT晶体管制作方法-CN201110103110.7有效
发明人：孙涛;陈乐乐 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：一种半导体器件制作方法和SiGe HBT晶体管制作方法，其中SiGe HBT晶体管制作方法包括：提供包括HBT集电区的衬底；在HBT集电区上依次形成栅介电层、多晶硅栅层、氧化层和阻挡层；去除HBT集电区上的部分阻挡层及其下的氧化层、多晶硅栅层和栅介电层，形成露出HBT集电区上表面的沟槽；在沟槽中形成SiGe层，作为基区；在基区上形成多晶硅发射区；去除HBT集电区两端上的部分阻挡层及其下的氧化层，至露出HBT集电区两端上的部分多晶硅栅层的上表面将上述两种晶体管的制作工艺进行了兼容，节省了成本；抬高了CMOS晶体管的源/漏区；使SiGe HBT晶体管实现了基区与发射区的自对准。
半导体器件制作方法 sige hbt 晶体管

[实用新型]GaAs基HBT工艺MMIC手机射频功率放大器及线性化偏置电路-CN202123063998.4有效
发明人：张莽;郭嘉帅 -专利权人：深圳飞骧科技股份有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种GaAs基HBT工艺MMIC手机射频功率放大器及线性化偏置电路，包括：第一晶体管HBT1、第二晶体管HBT2、第三晶体管HBT3、第二电容C2、以及第二电阻R2；第二晶体管HBT2发射极与第三晶体管HBT3的基极相连，第三晶体管HBT3发射极接地设置，第三晶体管的集电极串联所述第二电阻R2并连接至第一电源，用以输入第一电压Vbias；第二晶体管HBT2基极分别与第二电容C2一端、第一晶体管基极相连，第二电容C2的另一端接地设置，第一晶体管HBT1集电极、第二晶体管HBT2的集电极连接至第二电源，用以输入相同的第二电压Vdd；所述放大电路包括第一电容C1和第零晶体管HBT0，所述第一晶体管的发射极连接至所述第零晶体管HBT0的基极。
gaas hbt 工艺 mmic 手机射频功率放大器线性化偏置电路

[发明专利]半导体装置-CN201880048522.5在审
发明人：黑川敦 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：半导体装置(100)由HBT、与HBT的发射极电极(6)连接，并覆盖HBT的发射极布线(14)、在俯视时在HBT上具备开口(13)的钝化膜(15)、经由开口(13)与发射极布线(14)连接，并由高熔点金属形成为厚度UBM层(17)作为应力缓和层发挥作用，缓和构成HBT的各层的GaAs系的材料与柱状凸块(20)的热膨胀率之差对HBT的应力。
半导体装置

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