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[发明专利]InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法-CN201110433466.7无效
发明人：李美成;赵宇;熊敏 -专利权人：华北电力大学
申请日： 2011-12-21 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了属于光电器件制备技术领域的一种InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法。具体采用先制备锑含量低GaAsSb合金薄层，然后生长InAs量子点的分子束外延生长工艺制备应力自组装GaAs基InAs/GaAsSb量子点；该方法的生长过程由热力学参数决定，制得的GaAsSb合金受工艺条件影响小，成分容易控制，获得了密度可控的InAs/GaAsSb量子点，为锑化物合金基InAs量子点的在太阳能电池、光电探测器等领域的应用奠定基础。
inas gaassb 量子分子外延生长方法

[发明专利]一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法-CN201810039796.X有效
发明人：魏志鹏;唐吉龙;方铉;亢玉彬;王登魁;房丹;王新伟;贾慧民;王晓华;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该方法通过在GaAs纳米线外包覆GaAsSb外壳，利用GaAs和GaAsSb之间晶格失配产生的应力使GaAs纳米线晶体结构由WZ/ZB(纤锌矿/闪锌矿)结构转变为ZB(闪锌矿)纯相结构，解决现有GaAs本发明中GaAs材料是在优化的生长温度、V/III束流比条件下通过V‑L‑S(气‑液‑固)生长机制获得，在进行GaAsSb生长时保持GaAs材料的生长温度及V/III束流比，加入V族元素Sb完成V‑S(气‑固)机制生长的GaAsSb包覆层，在轴向利用GaAsSb和GaAs两种合金由于晶格失配存在的应力实现GaAs纳米线由混相转变为纯相，实现纯ZB结构GaAs纳米线制备，为高质量、高性能GaAs纳米线器件奠定材料基础
一种利用应力调控实现 gaas 纳米制备方法

[发明专利]光电二极管及其制造方法-CN201280017393.6无效
发明人：藤井慧;石塚贵司;秋田胜史 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2012-04-04 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明的光电二极管特征在于提供有定位在InP衬底（1）上并具有II型多量子阱结构的光接收层（3），InGaAs层（3a）和GaAsSb层（3b）在II型多量子阱结构中交替层叠，并且具有使得InGaAs或GaAsSb的带隙能量在各个InGaAs层或各个GaAsSb层内朝向顶表面或底表面降低的在厚度方向上的组分梯度。
光电二极管及其制造方法

[发明专利]GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器-CN201110401751.0有效
发明人：王琦;贾志刚;郭欣;任晓敏;黄永清 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本发明通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中补偿In、Sb并入GaAs导致的晶格常数变大，从而实现对晶格失配度的调控；通过将B并入到InGaAs或GaAsSb中降低高应变InGaAs或GaAsSb的表面能，从而进一步拓展InGaAs/GaAs和GaAsSb/GaAs高应变量子阱的发光波长；通过对含B高应变阱层进行应变补偿，从而提高量子阱的光学质量。
gaas 应变量子及其制备方法半导体激光器

[发明专利]具有反射层的铟镓砷光电探测器及其制备方法-CN201910572210.0在审
发明人：吴作贵;朱忻;托马斯·盖德 -专利权人：张家港恩达通讯科技有限公司
申请日： 2019-06-27 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：具体涉及一种具有反射层的铟镓砷光电探测器及其制备方法，旨在解决现有技术中光电探测器的材料厚度大、光生载流子的自由程高、器件的量子效率和工作效率低，其技术要点在于包括通过MOCVD制得的外延结构，所述外延结构包括依次设置的InP衬底、InP缓冲层、GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射层、InGaAs吸收层，InP窗口层；其中，所述GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射层用以反射入射波段的光子。本发明在铟镓砷光电探测器中增加了GaAsSb/AlGaAsSb DBR反射层，使更多穿透吸收层的光子反射回来重新吸收，可以在较薄吸收层的情况下，获得较强的光吸收，减少光生载流子的自由程，提高器件的量子效率和工作速度
具有反射层铟镓砷光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管-CN201510490490.2有效
发明人：韩根全;张春福;彭悦;汪银花;张进城;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于InAsN‑GaAsSb材料的交错型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑V族材料制备场效应晶体管开态电流较低的问题。源极采用N组分为(0,0.05]的InAsN复合材料；沟道和漏极均采用Sb组分为[0.35,0.65]的GaAsSb复合材料；在衬底上，源极、沟道、漏极形成自下而上竖直分布。本发明通过源极InAsN与沟道GaAsSb两种材料相互接触，形成交错型异质隧穿结，进而有效降了低隧穿势垒高度，增大隧穿几率和隧穿电流，提了器件的整体性能，可用于制作大规模集成电路。
基于 inasn gaassb 材料交错型异质结隧穿场效应晶体管

[发明专利]基于GaAsN‑GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管-CN201510490482.8有效
发明人：韩根全;张春福;彭悦;汪银花;张进城;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaAsN‑GaAsSb材料的II型异质结隧穿场效应晶体管，主要解决现有III‑V族材料制备隧穿场效应晶体管性能差的问题。源极和漏极均采用N组分为(0,0.03]的GaAsN复合材料；沟道采用Sb组分为[0.35,0.65]的GaAsSb复合材料；在衬底上，源极、沟道、漏极自下而上竖直分布，绝缘电介质与栅电极包裹在沟道外部本发明通过GaAsN与GaAsSb两种材料相互接触形成II型异质隧穿结使得隧穿势垒高度降低，隧穿几率和隧穿电流增大，器件整体性能提升，可用于制作大规模集成电路。
基于 gaasn gaassb 材料 ii 型异质结隧穿场效应晶体管

[发明专利]一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202110815592.2有效
发明人：陈树鹏;刘红侠;王树龙;张浩 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于准断带异质结的高性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法，该晶体管包括P+GaAsSb源区、i‑InGaAs第一抑制层、i‑InGaAs第二抑制层、n+InGaAs第一漏区、n+InGaAs第二漏区、i‑InGaAs隧穿层、栅极介质层和凹型栅极；P+GaAsSb源区远离i‑InGaAs隧穿层的一侧设置有源极，n+InGaAs第一漏区设置有第一漏极，n+InGaAs第二漏区上设置有第二漏极。本发明通过引入凹型栅结构、隧穿层、抑制层、高k栅极介质以及GaAsSb/InGaAs异质结，提高了晶体管开态电流，降低了晶体管亚阈值摆幅与工作电压，可用于超低功耗集成电路器件。
一种基于准断带异质结性能凹栅型隧穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]半导体元件、光学传感器装置和半导体元件制造方法-CN201180004431.X有效
发明人：藤井慧;秋田胜史;石塚贵司;中幡英章;猪口康博;稻田博史;永井阳一 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2011-05-19 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。
半导体元件光学传感器装置制造方法

[发明专利]单晶InP基化合物半导体材料薄膜的外延结构-CN201210137829.7有效
发明人：高汉超;尹志军;程伟;李忠辉;朱志明 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：基化合物半导体材料薄膜的外延结构，在半绝缘单晶InP衬底生长InP缓冲层；在InP缓冲层上生长重n型掺杂InP次集电极层；在重n型掺杂InP次集电极层上生长轻n型掺杂InP集电极层；在轻n型掺杂InP集电极层上生长重p型掺杂GaAsSb基极层；在GaAsSb基极层上生长n型掺杂的GaAsSb/InP超晶格过渡层；在超晶格结构层上生长n型InP发射极；在InP发射极上生长重掺杂n型InP接触层。
inp 化合物半导体材料薄膜外延结构

[发明专利]磷化铟异质结双极晶体管及其制作方法-CN202211028037.6在审
发明人：黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种磷化铟异质结双极晶体管，所述磷化铟异质结双极晶体管的基区采用P型的InGaAs/GaAsSb超晶格结构。本发明还公开了一种磷化铟异质结双极晶体管的制作方法。本发明采用InGaAs/GaAsSb超晶格结构制作基区，其导带高度可以通过超晶格材料的厚度调节，从而实现理想的电子输运，同时避免了传统InGaAsSb四元合金基区所面临的相分离、组分不均匀和重复性差等问题
磷化铟异质结双极晶体管及其制作方法

[发明专利]一种半导体太阳电池的制作方法-CN200910095139.8无效
发明人：郝瑞亭;申兰先;杨培志;邓书康;涂洁磊;廖华 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-05-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：具体过程包括：在580℃下，在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层，生长p+GaAsSb/n+GaAsSb隧穿结，在450℃下，生长GaSb层，生长p+GaSb/n+InAsSb隧穿结，在430℃下，生长InGaAsSb
一种半导体太阳电池制作方法

[发明专利]红外探测器及其制作方法-CN202311180186.9在审
发明人：黄勇 -专利权人：苏州晶歌半导体有限公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：提供了一种红外探测器，其包括P型势垒层（12）、P型吸收层（13）以及P型过渡层（14），其中，所述P型势垒层（12）为P型InGaAsP材料，所述P型吸收层（13）为P型InGaAs/GaAsSb超晶格该红外探测器采用了P型InGaAs/GaAsSb超晶格吸收层结合P型InGaAsP形成的三明治结构，如此可以很好的提高红外探测器的量子效率，抑制红外探测器的暗电流以及帮助少子输运，从而使红外探测器的性能更好
红外探测器及其制作方法

[发明专利]CaAsSb/InP双异质结晶体三极管及其制备方法-CN01115034.3无效
发明人：徐现刚;崔得良;白玉俊;郝霄鹏 -专利权人：山东大学
申请日： 2001-06-06 - 公布日： 2001-10-17 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明涉及一种GaAsSb/InP双异质结晶体三极管以及金属有机化学气相沉积技术制备三极管材料的方法。本发明晶体三极管由以下三部分组成集电区、基区和发射区，衬底采用半绝缘的InP单晶片，集电区由生长在衬底之上的N+－InGaAs和低掺杂的N－－InP组成，基区由P+－GaAsSb组成，发射区由N－－InP
caassb inp 双异质结晶体三极管及其制备方法

[发明专利]一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构及其制备方法-CN202110427659.5在审
发明人：王晓东;包怡迪;刘雯;赵永强;魏磊;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/054 文献下载
摘要：本公开提供了一种适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池的陷光结构，该陷光结构包括：若干个陷光单元；陷光单元包括：四棱锥台和若干纳米线；若干纳米线位于上述四棱锥台的上表面；若干纳米线为弯曲状态，每一个纳米线与上述四棱锥台的上表面相接触的一端的弯曲角度小于远离上述四棱锥台上表面的一端的弯曲角度本公开的陷光结构在制备时无需复杂的半导体工艺，无需接触非常危险的化学试剂；本公开陷光结构主要适用于InAs/GaAsSb量子点太阳能电池以及大部分的III‑V族太阳能电池。
一种适用于 inas gaassb 量子太阳能电池结构及其制备方法

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