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[发明专利]一种金刚石膜片制作装置及其制作方法-CN202211585385.3在审
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种金刚石膜片制作装置及其制作方法，包括石英玻璃室，所述石英玻璃室上端设有真空泵，且石英玻璃室的左右两侧中心位置均密封连接波导管，所述波导管相互远离的一端连接有微波发生器，且波导管上下端分别设有通气管道，所述通气管道密封连接石英玻璃室，且所述石英玻璃室内侧上端设有伸缩台，其内侧下端设有基片夹持台，整个装置能在基片的两端进行金刚石膜片的沉积，效率更高，而且夹持基片稳定还能确保控制基片表面的温度，原理简单，效率加倍。
一种金刚石膜片制作装置及其制作方法

[实用新型]一种导热高的金刚石膜散热片-CN202222880410.2有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种导热高的金刚石膜散热片，包括底基片，所述底基片上端设有过渡层，所述过渡层上端为金刚石层，所述底基片和过渡层均为C字形结构，且底基片上端两侧均设有限位片，所述限位片固定连接在底基片上，且限位片下端设有L型块，所述L型块设置在底基片相互靠近的内侧两端，整个散热片导热率高，结构稳定，成本低廉，工艺简单，适合推广使用。
一种导热金刚石散热片

[发明专利]一种用于MPCVD金刚石的制备装置-CN202110454697.X有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石制备技术领域，且公开了一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底座，底座的底面设置基底物预处理机构，基底物预处理机构包括固定杆、弧片一、弧片二、圆环和连杆，固定杆为实心圆柱体，固定杆的上端面与底座底面固定连接，通过各个弧片一的闭合推动各个弧片二的闭合进而使得各个弧片一和弧片二闭合形成一个类似花骨朵形状空间，固定杆上升的过程中，各个弧片一和弧片二内从容器底部取得的基底物在上升过程中从弧片一和弧片二之间的间隙洒落，使得容器内的液体底层和顶层的基底物的含量趋于相同，减少基底物堆积在容器底部的情况，增大基底物与酸洗液接触的频率以及面积，使得基底物与酸洗液充分接触，酸洗效果更优。
一种用于 mpcvd 金刚石制备装置

[实用新型]一种CVD金刚石精准磨削设备-CN202222899898.3有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种CVD金刚石精准磨削设备，包括支架座，所述支架座上端固定连接底座，所述底座四个侧边连接有相同的固定片，且底座上端设有调节固定台，所述调节固定台后侧设有调节磨削机构；调节固定台，所述调节固定台中设有两个相同的滑道底座，所述滑道底座上端均滑动连接有滑块，所述滑块上端固定连接有固定台底座，所述固定台底座中心位置开设有圆孔，所述圆孔内放置有动力组，且固定台底座上端前后两侧固定连接有第二滑道，所述第二滑道上端滑动连接滑轮，所述滑轮活动连接支撑板，所述支撑板上端固定连接固定物料台，整个磨削设备磨削效果更精准，灵活度更高。
一种 cvd 金刚石精准磨削设备

[发明专利]一种基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法-CN202010238063.6有效
发明人：赵芬霞;刘宏明 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及光电子技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，包括以下装置：CVD钻石、透射电子显微镜、计算机、单色激光器、液氦制冷装置和透镜组，所述CVD钻石的表面经过光刻的处理，所述CVD钻石的表面经过特殊加工处理，且所述CVD钻石的表面分布有间距10微米，直径100纳米的半球结构，所述单色激光器的型号为400‑532纳米型单色激光器，所述透射电子显微镜的型号为TEM型透射电子显微镜；包括以下步骤：步骤一：使用所述TEM型号的透射电子显微镜在所述CVD钻石表面的半球内注入浓度1ppb的氮原子；步骤二：对所述CVD钻石进行一千摄氏度的退火。该基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，便于675纳米相干光源的制造。
一种基于 cvd 钻石相干光源装置及其制造方法

[发明专利]一种高精度CVD金刚石微细磨削工具-CN202210962018.4在审
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-11 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： B24B21/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种高精度CVD金刚石微细磨削工具，包括底座，底座下端设有四个相同的支架，且底座上表面左侧设有磨砂轮结构，上表面右侧设有观察收集台，底座上端连接有滑动机构；磨砂轮结构，磨砂轮结构包括磨砂带，磨砂带贯穿在底座表面，做正常转动，其电机设置在底座下端，磨砂带前后两端设有转轴，且磨砂带上端设有加固装置；滑动机构，滑动机构包括支撑金属架，支撑金属架上端设有滑道轨，滑道轨上端滑动连接滑块前端连接有控制磨削设备，且滑道轨上端设有电子显示屏，整个工具在磨削过程中磨砂带使用寿命更长，对金刚石粉末可以进行回收利用，磨削精度更高，而且能对低频震动进行隔离，实现空气洁净度，防止在磨削过程中因为产生大量的热量而使得整个磨砂带热变形，使其耐磨性更好，耐用度更高。
一种高精度 cvd 金刚石微细磨削工具

[发明专利]一种用CVD金刚石单晶检测偏振光的方法-CN202010238055.1有效
发明人：赵芬霞;刘宏明 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01J4/00 文献下载
摘要：本发明涉及偏振光检测技术领域，且公开了一种用CVD金刚石单晶检测偏振光的方法，包括如下步骤：S1.实验工具准备，准备合适尺寸大小的CVD金刚石单晶片、汇聚透镜、带偏压的硅光电探测器、可绕快轴旋转的半波片和可发射照射激光的激光发射器；S2.实验工具位置摆放，将激光发射器、CVD金刚石单晶片、汇聚透镜和硅光电探测器从左至右依次摆放。该用CVD金刚石单晶检测偏振光的方法，具备利用CVD金刚石单晶片在不同角度的偏振光下发出红色荧光强度的差异，能够快速检测处偏振光，且所使用的实验设备结构简单，便于搭建使用，能够有效解决偏振光检测手段受到具体实验条件限制的问题的优点。
一种 cvd 金刚石检测偏振光方法

[实用新型]一种自适应CVD金刚石生长载台-CN202123208569.1有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自适应CVD金刚石生长载台，包括反应腔体，反应腔体上端设有进气管道，且反应腔体下端右侧设有进料口，内侧设有放料托盘，放料托盘下端固定连接支撑杆，支撑杆下端固定连接升降装置，整个装置密封性强，实现放料托盘的自适应，确保晶体析出的稳定性和效率高。
一种自适应 cvd 金刚石生长

[实用新型]一种CVD金刚石生长散热冷却装置-CN202122860510.4有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B29/04 文献下载
摘要：本实用新型涉CVD金刚石生长设备领域，尤其涉及一种CVD金刚石生长散热冷却装置，包括真空腔体，真空腔体的顶部连通有微波发生器，其底部固定连接有样品台，其侧壁上连通有进气机构，微波发生器上固定有微波天线，微波天线通过第一连通管连通有冷却箱，冷却箱通过第二连通管连通有空气压缩机，真空腔体和微波发生器之间连通有真空排气机构，结构简单，能够在CVD金刚石生长设备使用的过程中，通过压缩空气对其进行很好的散热，从而对温度过高的设备进行冷却，保证真空腔体内的温度不会升至过高而影响金刚石的正常生长效率和质量，避免损失。
一种 cvd 金刚石生长散热冷却装置

[实用新型]一种CVD金刚石生长自动测温装置-CN202122937151.8有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种CVD金刚石生长自动测温装置，包括底座，底座上端左侧设有配重块，右侧设有固定杆，固定杆顶端固定连接刻度盘，刻度盘上端转动连接转动杆，转动杆顶端固定连接L型金属台，L型金属台上端内侧设有测温装置，整个装置稳定性好，转动方便，可以进行全方位角度调节，结构简单，测温方便，使用寿命长。
一种 cvd 金刚石生长自动测温装置

[实用新型]一种CVD金刚石生长设备气体过滤装置-CN202123280362.5有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型涉CVD金刚石生长设备领域，尤其涉及一种CVD金刚石生长设备气体过滤装置，包括包括真空腔体，真空腔体的顶端连通有微波发生器，其底部固定连接有样品台，样品台的顶面中间位置处固定连接有晶种托盘，真空腔体的侧壁上连通有进气管，进气管上连通有气体过滤装置，气体过滤装置包括箱体外壳，箱体外壳的内部固定连接有曲线状管，曲线状管的两端连通有进气管，其内部固定连接有过滤板，能够对反应气体中的灰尘和水进行彻底地过滤，在过滤的同时也对反应的气体进行了充分地混合，一举两得，最终大大提高了金刚石生长的质量，同时也大大提高了金刚石的生长效率。
一种 cvd 金刚石生长设备气体过滤装置

[实用新型]一种改善微波透过率的CVD窗口-CN202123070799.6有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种改善微波透过率的CVD窗口，包括微波进口，微波进口一端下方固定连接微波发生装置，微波发生装置下端固定连接反应腔体，反应腔体右侧偏下端固定连接放料口，整个装置微波透过率高，安装方便，密封性强，使用寿命长。
一种改善微波透过 cvd 窗口

[发明专利]一种MPCVD金刚石高效合成工艺及其装置-CN202110307373.3有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： B01J3/06 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石技术领域，且公开了一种MPCVD金刚石高效合成工艺及其装置，包括基座、施压机构、输送机构、侧压机构和支撑机构，基座的顶面开设有合成槽，基座在合成槽下方的内部开设有冷却槽，合成槽和冷却槽内设置有输送机构，输送机构包括两个螺旋杆，冷却槽内设置有两个插筒，插筒内壁固定连接有插杆，两个螺旋杆上端外壁通过扭簧连接有输送环，输送环顶面固定连接有夹环，夹环套入有连接带，两个连接带远离螺旋杆的一端固定连接一个夹环，通过输送机构的设置，使容器能够在合成槽外部进行放置和取出，得合成工艺中的容器放置和取出更加方便，另外避免使用者身体对装置的探入，从而避免装置故障误启动导致的安全问题，提高了装置的安全性。
一种 mpcvd 金刚石高效合成工艺及其装置

[发明专利]一种MPCVD金刚石打磨装置-CN202110302396.5有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B24B19/22 文献下载
摘要：本发明涉及金刚石加工技术领域，且公开了一种MPCVD金刚石打磨装置，包括底座，底座的右侧面设有矩形凸起且固定安装有转动电机，转动电机的传动轴固定连接有砂轮盘，底座的背侧顶面开设有槽且槽内固定安装有十字导轨，十字导轨的传动轴固定连接有移动杆，移动杆的外壁套入有插柱，移动杆的顶面固定连接有磁铁且对应插柱产生吸力，插柱的前侧外壁固定连接有转动轴承且转动轴承的底面通过万向球连接有连接轴，连接轴的底面固定连接有连接板，连接板的底面固定连接有固定筒，通过固定筒的设置，通过按压操作可实现对固定状态下金刚石的移动，免除繁琐的拆装固定操作，从而提高加工效率，且达到自动移动金刚石的功能，具备方便使用等效果。
一种 mpcvd 金刚石打磨装置

[实用新型]一种改善气体分布的CVD金刚石生长设备-CN202123315751.7有效
发明人：刘宏明;林琳 -专利权人： 湖州中芯半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C01B32/26 文献下载
摘要：本实用新型涉CVD金刚石生长设备领域，尤其涉及一种改善气体分布的CVD金刚石生长设备，包括一种改善气体分布的CVD金刚石生长设备，包括生长腔体，生长腔体的顶端固定连接有中空的环形块，环形块的内壁均匀地分布有一圈通气孔，其外壁连通有U型连通管，U型连通管的底部通过第一连通管与气体过滤器的一端相连通，气体过滤器的另一端通过第二连通管连通有气体进气管，通过环形块内壁通气孔的设置以及U型连通管的设置，改善了生长腔体内的反应气体分布，同时也对多种反应气体进行了充分的混合，大大提高了金刚石的生长效率，同时保证了金刚石成品的质量，取得了理想的效果。
一种改善气体分布 cvd 金刚石生长设备

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