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[发明专利]一种提高深层高脆性页岩气裂缝复杂性的方法及应用-CN202011140298.8在审
发明人：蒋廷学;李奎为;封卫强;王海涛;吴春方;孙海成;周林波;刘世华 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司石油工程技术研究院
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： E21B43/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高深层高脆性页岩气裂缝复杂性的方法及应用，所述方法包括：先进行二氧化碳压裂液泡沫混合液造缝施工，再进行多次高密度支撑剂注入施工，并且，在每次高密度支撑剂注入施工后进行压裂液注入施工。本发明针对目前高脆性深层页岩气中，压裂裂缝形态以单一的主裂缝为主，而造成压后初产低，且递减快的问题，本发明研究提出一种能大幅度提高深层高脆性页岩气裂缝复杂性及改造体积的二氧化碳泡沫滑溜水空化压裂技术，通过创新的泵注工艺流程实现主裂缝内滑溜水多次空化效应，叠加二氧化碳泡沫作用，增加从近井到远井不同深度处的裂缝复杂性，从而提高深层脆性页岩气的压裂改造效果。
一种提高深层脆性页岩裂缝复杂性方法应用

[发明专利]基于高深宽比二氧化硅微纳结构的光学调制器的制备方法-CN202210723630.6在审
发明人：朱敏杰;杜晓辉;刘帅;刘丹;王麟琨 -专利权人：机械工业仪器仪表综合技术经济研究所
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种基于高深宽比二氧化硅微纳结构的光学调制器的制备方法，包括：对硅晶圆正面进行刻蚀，形成硅微纳结构阵列；对硅晶圆背面进行刻蚀或腐蚀，完全释放出硅微纳结构阵列，同时在硅微纳结构阵列的外围形成支撑结构本公开利用刻蚀结合热氧化工艺，实现了高深宽比的二氧化硅微纳结构阵列的制备，进而得到高深宽比的光学调制器。
基于高深二氧化硅结构光学调制器制备方法

[发明专利]高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法-CN200710178845.X有效
发明人：王喆垚;宋崇申;陈倩文;蔡坚;刘理天 -专利权人：清华大学
申请日： 2007-12-06 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了属于半导体制造技术和微型传感器制造技术领域的一种高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法。扩散阻挡层以及电镀种子层；将该半导体圆片电镀面与辅助圆片临时键合，并对该半导体圆片背面减薄使DRIE深孔从背面露出；背面淀积绝缘层、扩散阻挡层以及电镀种子层；进行自底向上的电镀过程，将DRIE深孔填满形成高深宽比三维垂直互连本发明降低了填充高深宽比通孔的工艺难度。简化了制造过程，保证了成品率。
高深三维垂直互连三维集成电路实现方法

[发明专利]玻璃材料高深宽比微结构二次约束流动刻蚀方法-CN200910097056.2无效
发明人：谢海波;郑毅;傅新;杨华勇 -专利权人：浙江大学
申请日： 2009-03-30 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种玻璃材料高深宽比微结构二次约束流动刻蚀方法。再将经过紫外光表面活性处理的PDMS薄膜与带有微流道的平板玻璃键合成微流控芯片，将刻蚀剂注入位于中间的刻蚀剂入口，隔离剂从位于刻蚀剂入口两侧的隔离剂入口注入，通过控制三路流体的流量比，能在已经成型的平板玻璃微流道中刻蚀出高深宽比的二次微结构本发明在原有微流道的基础上进行二次刻蚀从而在原有微流道内部形成具有高深宽比的二次微结构。只需改变隔离剂与刻蚀剂的流量比即可控制刻蚀宽度，定时改变刻蚀剂和隔离剂的流量即可实现对二次微结构形貌的控制。
玻璃材料高深微结构二次约束流动刻蚀方法

[实用新型]一种高速深耕刀具-CN201920668926.6有效
发明人：刘华民 -专利权人：邯郸市远华机械制造股份有限公司
申请日： 2019-05-10 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： A01B33/08 文献下载
摘要：第一插座和第二插座内均加工插槽，本实用新型，采用插槽分别对第一刀片和第二刀片定位，并由锁紧螺栓与定位孔配合，将第一插座和第二插座分别与第一刀片和第二刀片连接固定，结构强度更高，并且通过第一刀片和第二刀片交错配合，提高深耕效率，同时提高深耕过程的稳定，降低顿挫，提高设备的使用寿命；采用卡槽与第一刀片和第二刀片的短杆端配合，并由安装孔与定位孔配合，即可通过锁紧螺栓将破土刀与第一刀片和第二刀片连接固定，结构更稳定，另由破土刃进行破土，提高深耕效率。
一种高速深耕刀具

[实用新型]与铝基板复合的高深宽比泡沫金属微通道相变冷却装置-CN201921304518.9有效
发明人：张东辉;徐海洋;陈一;王雷青;曹薇;江卫玉;宋丹;雷淑雅 -专利权人：江苏科技大学
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种与铝基板复合的高深宽比泡沫金属微通道相变冷却装置，包括热沉室、冷凝器、储液罐和微型泵，热沉室、冷凝器、储液罐和微型泵通过管路依次连接形成闭合回路，所述的热沉室包括泡沫金属微通道，所述的泡沫金属微通道采用若干并列排布的槽道本实用新型将高深宽比微通道与泡沫金属结合起来，并与铝基板复合，泡沫金属可大大增加换热面积，增加汽化核心密度，并可在沸腾换热时通过其毛细力有效供液，而不致发生干涸，高深宽比微通道可以使气泡上排。
铝基板复合高深泡沫金属通道相变冷却装置

[发明专利]图像数据的处理方法和装置-CN202111329386.7在审
发明人：陈腾;隋伟;谢佳锋;张骞;黄畅 -专利权人：北京地平线信息技术有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： G06T7/55 文献下载
摘要：得到单应性矩阵；根据所述单应性矩阵，确定第一图像特征的映射图像特征；对所述映射图像特征和所述第二图像特征进行融合，得到融合图像特征；利用第二神经网络对所述融合图像特征进行处理，得到所述第二图像的第一像素高深比本公开实施例可以得到稠密且准确的像素高深比，进而可以辅助进行3D场景建模。
图像数据处理方法装置

[发明专利]一种超结器件的制备方法-CN201410623747.2有效
发明人：王代利 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件的制备方法，通过在N型漂移区顶部刻蚀形成沟槽后，在沟槽底部和侧壁制备一层P型外延层，之后进行离子注入将沟槽底部的P型外延层反型为N型外延层，之后再回填N型外延层将沟槽进行填充并进行退火处理，形成高深宽比的本发明不需要通过多次外延和离子注入工艺，也无需刻蚀形成刻蚀高深宽比的沟槽，有效减小了器件的晶胞尺寸并降低导通电阻，本发明工艺简单，成本较低。
一种器件制备方法

[发明专利]用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法-CN201510593234.6有效
发明人：罗特莎娜·李玛丽;斯蒂芬·希拉德 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及用牺牲支撑材料无塌陷干燥高深宽比结构的系统和方法。在分别使用湿法蚀刻流体和/或湿法清洗流体中的至少一种来对包括多个高深宽比(HAR)结构的衬底进行湿法蚀刻和/或湿法清洗中的至少一种且不干燥该衬底之后，执行用于干燥该衬底的系统和方法。
牺牲支撑材料塌陷干燥高深结构系统方法

[发明专利]TEM样品的制备方法-CN201310165226.2有效
发明人：陈强;高林 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明公开了TEM样品的制备方法，通过在制备TEM样品的过程中，在预备截面上沉积填充层，从而避免了当制作具有高深宽比结构或者孔洞结构的半导体结构的TEM样品时，由于金属保护层未能完全填充高深宽比结构或者孔洞结构
tem 样品制备方法

[发明专利]高深宽比表面微结构的倒退式振动切削加工方法及系统-CN202210070821.7有效
发明人：王健健;冯平法;李志伟;张建富;郁鼎文;吴志军 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B23B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高深宽比表面微结构的倒退式振动切削微结构加工方法及系统，其中的方法包括：基于加工微结构的刀具的顶点建立直角坐标系；基于预设的刀具运行轨迹，在直角坐标系内求取与刀具运行轨迹相对应的刀具运行参数信息；基于刀具运行参数信息及外部驱动装置，通过运行方式为倒退式进给的刀具对加工工件的表面进行高深宽比的微结构加工。
高深比表面微结构倒退振动切削加工方法系统

[发明专利]一种消除金属间隙填充物中空洞的方法-CN200910056553.8无效
发明人：朱骏 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种消除金属间隙填充物中空洞的方法，通过构图刻蚀金属层形成高深宽比的金属间隙，填充该金属间隙并在填充过程中，金属间隙的填充物内产生空洞，随后构图刻蚀填充物，至暴露出所述空洞，然后淀积绝缘材料将空洞填满，从而很好的解决了填充高深宽比的金属间隙时产生空洞的问题，避免了因空洞导致的金属之间的击穿电压降低，以及在后续的工序如湿法清洗、化学机械抛光中产生缺陷的可能，提高了产品的合格率。
一种消除金属间隙填充物空洞方法

[实用新型]一种提高深长通孔加工精度的研磨工具-CN201220495104.0有效
发明人：曾金龙;舒勇东;刘洪文;彭志虹 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请日： 2012-09-26 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B24B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提高深长通孔加工精度的研磨工具。为了解决传统加工手法难以使深长通孔的内壁粗糙度和孔径尺寸精度要求的问题，所述提高深长通孔加工精度的研磨工具包括芯轴和套装在芯轴上的套筒；所述芯轴具有锥度，所述套筒的外壁沿套筒轴向方向上开有多条变形槽，当套筒沿着芯轴轴向移动时变形槽可以调整套筒的外径
一种提高深长加工精度研磨工具

[实用新型]一种深基坑支护结构-CN202120631149.5有效
发明人：赵正龙 -专利权人：赵正龙
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： E02D17/04 文献下载
摘要：本实用新型通过改变支护结构的组成构件，提高深基坑支护结构的灵活性，在保证深基坑的支护性能的同时，有效提高深基坑支护机构的施工效率。
一种基坑支护结构

[实用新型]一种高深预埋灯桶管件-CN202123128452.2有效
发明人：徐良伟 -专利权人：江山市亚派塑料科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： F21V21/02 文献下载
摘要：一种高深预埋灯桶管件，其特征在于：包括灯桶管，所述灯桶管为顶部开口且内部中空的圆柱体形结构，沿所述灯桶管外侧边缘设有至少一组圆形管件和至少一组矩形管件。该高深预埋灯桶管件通过设置圆形管和矩形管结构简单，安装方便，圆形管用于连接接线管，矩形管用于放置灯桶的弹簧扣，并且设计两组矩形管件具有不同的高度，能够用于安装不同高度的灯桶的弹簧扣，方便灯桶的安装。
一种高深预埋灯桶管件