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[发明专利]基于压差法的粉尘采样单元、采样系统及采样方法-CN202310250887.9在审
发明人：惠立锋;邓勤;刘国庆;吴付祥;赵政;焦敏;张强;王杰;陈建阁;李征真;罗小博;李岳;陈涛;王宇廷;李彦筑;齐灵紫;邓仕靓 -专利权人：中煤科工集团重庆研究院有限公司
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01N1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于压差法的粉尘采样单元、采样系统及采样方法，属于煤矿技术领域。所述采样管沿流体运动方向依次包括入口端、压缩气接口段、收缩段、喉管段、扩散段、出口段；所述喉管段上设置第一取压口，所述出口段上设置第二取压口；所述入口端及所述收缩段之间设有压缩气接口；采样系统还包括供气系统及传感系统；本发明通过粉尘在采样管内由于流体流通直径的变化产生气固两相间的相互作用产生压差反应粉尘浓度本发明可以实现煤矿高浓度粉尘的连续自动监测，利用压缩气自清洁检测流道，连续运行时间长，无二次污染。
基于压差法粉尘采样单元采样系统方法

[发明专利]一种低温等离子处理高浓度污水的工艺和方法-CN201610295560.3在审
发明人：魏星;方廷勇;苗春光;胡浙平;魏翰林;韦迪 -专利权人：魏星
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： C02F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温等离子处理高浓度污水的工艺和方法，高浓度污水经过滤后送入污水存储池，高浓度污水经加压后送入雾化喷嘴由混合气雾化后喷入电极的放电区域，高压脉冲发生器发生的高压脉冲电压在电极处放电，使电子加速，形成无需屏蔽的高能自由电子，高能自由电子使高浓度污水中的水分子发生激发裂解和电离，生成羧基自由基·OH、O3、H2O2，羧基自由基·OH、O3、H2O2 轰击高浓度污水中有机物的C‑C键和不饱和键，使高浓度污水中的有机物断键和开环，使高浓度污水中有机物的大分子变成小分子，实现高浓度污水的净化。
一种低温等离子处理浓度污水工艺方法

[发明专利]一种栅约束NPN三极管型ESD器件及其实现方法-CN202110209122.1在审
发明人：朱天志;黄冠群;陈昊瑜;邵华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅约束NPN三极管型ESD器件及其实现方法，将现有栅约束硅控整流器中高浓度P型掺杂(20)右侧的所有结构全部去除，只保留所述高浓度P型掺杂(20)和左侧的高浓度N型掺杂(28)以及覆盖高浓度P型掺杂(20)和高浓度N型掺杂(28)之间第一低压N阱(60)上方的第一N型栅极(40)，以构成栅约束P‑i‑N二极管，然后将该栅约束P‑i‑N二极管以所述高浓度P型掺杂(20)为中轴线左右对称折叠而构成栅约束NPN三极管，并将所述高浓度P型掺杂(20)两侧的N型栅极分别与其两侧的高浓度N型掺杂连接在一起构成该栅约束NPN三极管型ESD器件的阳极和阴极。
一种约束 npn 三极管 esd 器件及其实现方法

[发明专利]半导体设备及其制造方法-CN201110165559.6有效
发明人：一条尚生;A.阿伯托;成濑一史 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-06-20 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：根据本发明的半导体设备包括：形成在半导体层上的第二传导类型的第一扩散区；形成在第一扩散区中的第一传导类型的第二扩散区；形成在第二扩散区中的第二传导类型的第一高浓度扩散区和第一传导类型的第二高浓度扩散区；第一扩散区中的与第二扩散区分隔开给定距离的第二传导类型的第三高浓度扩散区；以及形成在第一高浓度扩散区和第三高浓度扩散区上方并且处于二者之间的栅极电极，其间插入有栅极绝缘膜，其中所述栅极电极被形成为与第一高浓度扩散区重叠，并且所述栅极电极在相同电位下与第一高浓度扩散区和第二高浓度扩散区电连接。
半导体设备及其制造方法

[实用新型]一种高浓度甲醛溶液的吸收塔-CN202223518461.7有效
发明人：郭宪杰 -专利权人：濮阳市华昌石化机电设备有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B01D53/18 文献下载
摘要：本实用新型属于甲醛技术领域，尤其是一种高浓度甲醛溶液的吸收塔，针对现有的稳定性差，支撑面小的问题，现提出如下方案，其包括高浓度甲醛溶液吸收塔，所述高浓度甲醛溶液吸收塔的底部栓接有底箱；底箱内部顶端的两侧均转动套接有小齿轮，小齿轮的底部栓接有主锥形齿轮，主锥形齿轮的齿牙啮合有副锥形齿轮，副锥形齿轮侧面的轴心处栓接有蜗杆，维护人员登上扶手梯对高浓度甲醛溶液吸收塔顶部进行维护时，通过稳定架对高浓度甲醛溶液吸收塔进行支撑稳定，增强高浓度甲醛溶液吸收塔的稳定性，在遇到恶劣天气或高浓度甲醛溶液吸收塔重心不稳时，扶手梯反向转动落地，对高浓度甲醛溶液吸收塔进行支撑，增强稳定性。
一种浓度甲醛溶液吸收塔

[发明专利]一种工业旋风除尘器-CN202111496058.6在审
发明人：卢有荣 -专利权人：卢有荣
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： B04C5/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种工业旋风除尘器，其结构包括除尘塔身、管道壳套、吊环、支脚、加强筋，除尘塔身侧边设有管道壳套并与其相互连通，本发明具有的效果：将经过螺旋蜗管降温后的粉尘进行集中并向底部的灰斗输送，通过热气流上升的原理在顶端位置设有出风蜗壳制成的管道并引导热气向上向外排出，避免了传统水冷方式与粉尘直接接触造成粉尘湿度增加的弊端产生，从而解决现有旋风除尘器处理高浓度或磨损性大的粉尘时，入口处和锥体部位都容易损坏且无法直接处理高温粉尘的问题。
一种工业旋风除尘器

[实用新型]污水处理场臭气生物处理装置-CN201420135745.4有效
发明人：赵力;韩立斌;何琳娜;李忠鑫 -专利权人：北京沃太斯环保科技发展有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： B01D53/84 文献下载
摘要：其特征在于：高浓度风机(1)出口与一级高浓度滴滤装置(2)和二级高浓度滴滤装置(3)相连，一级高浓度滴滤装置(2)和二级高浓度滴滤装置(3)内有介质和喷淋装置，二级高浓度滴滤装置(3)与排出风机(6)进口相连，排出风机(6)出口与烟囱相连；低浓度风机(4)出口与低浓度滴滤装置(5)相连，低浓度滴滤装置(5)内有介质，低浓度滴滤装置(5)内有喷淋装置，低浓度滴滤装置(5)与排出风机(6)进口相连通。
污水处理臭气生物处理装置

[发明专利]半导体装置-CN201480040051.5有效
发明人：山下胜重;西村兼一;山本敦也;青木成刚 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2014-07-02 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置具有：硅基板，具有包含第一导电型杂质的高浓度层；低浓度成，形成在高浓度层之上，包含第一导电型杂质；第一电极以及第二电极，形成在低浓度层之上；纵型半导体元件，在第二电极与高浓度层之间流过电流；以及第一沟槽部，使第一电极与高浓度层之间电导通。第一多晶硅形成为将低浓度层贯通并到达高浓度层，第一多晶硅和扩散层的第一导电型杂质浓度在从低浓度层至高浓度层的方向上是一定的。
半导体装置

[发明专利]利用高浓度臭氧水对织物进行氧化褪色处理的装置-CN201010145488.9无效
发明人：刘志国 -专利权人：刘志国
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： D06B3/10 文献下载
摘要：利用高浓度臭氧水对织物进行氧化褪色处理的装置，包括洗涤装置，所述洗涤装置设有内腔，内腔内设有滚筒，还包括高浓度臭氧水发生装置、臭氧水浓度控制装置和臭氧吸收装置，所述高浓度臭氧水发生装置设有吸水管和出水管，吸水管和出水管分别与内腔连接，所述臭氧水浓度控制装置与高浓度臭氧水发生装置连接，臭氧水浓度控制装置上设有臭氧水浓度探头，臭氧水浓度探头设于内腔内，所述臭氧吸收装置与内腔连接。
利用浓度臭氧织物进行氧化褪色处理装置

[实用新型]利用高浓度臭氧水对织物进行氧化褪色处理的装置-CN201020157271.5无效
发明人：刘志国 -专利权人：刘志国
申请日： 2010-04-09 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： D06F39/00 文献下载
摘要：利用高浓度臭氧水对织物进行氧化褪色处理的装置，包括洗涤装置，所述洗涤装置设有内腔，内腔内设有滚筒，还包括高浓度臭氧水发生装置、臭氧水浓度控制装置和臭氧吸收装置，所述高浓度臭氧水发生装置设有吸水管和出水管，吸水管和出水管分别与内腔连接，所述臭氧水浓度控制装置与高浓度臭氧水发生装置连接，臭氧水浓度控制装置上设有臭氧水浓度探头，臭氧水浓度探头设于内腔内，所述臭氧吸收装置与内腔连接。
利用浓度臭氧织物进行氧化褪色处理装置

[发明专利]一种分流式双系统污泥减量膜生物反应器及其使用方法-CN201110126880.3有效
发明人：李方 -专利权人：东华大学
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种分流式双系统污泥减量膜生物反应器及其使用方法，该反应器包括：高浓度系统和低浓度系统；其使用方法包括：将进水清浊分流得到高浓度进水和低浓度进水，然后使高浓度进水和低浓度进水分别进入高浓度系统和低浓度系统，其中高浓度系统利用水解酸化和好氧膜生物反应器处理高浓度进水，处理后可排放；低浓度系统利用厌氧膜生物反应器和曝气生物滤池处理低浓度废水，处理后可作为中水回用，或进一步制作纯净水。本发明利用清污分流避免废水中盐类对中水回用的影响，解决了低浓度系统因有机负荷过小而不能维持较高污泥浓度的矛盾，减小污泥处理费用，降低运行费用；本发明的工艺特别适用于染整、酿酒企业等工业污水处理和中水回用
一种分流双系统污泥减量膜生物反应器及其使用方法

[发明专利]半导体集成装置-CN200510113528.0无效
发明人：森下泰之 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2005-10-17 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：还有，在p型阱(12a)的表面上形成了高浓度n型区域(15a)，在p型阱(12b)的表面上形成了高浓度n型区域(15b)，分别接地。再有，与高浓度n型区域(15a)相对而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度p型区域(14a)，与高浓度n型区域(15b)相对而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度p型区域(14b)，分别与I/O焊盘连接并且，被高浓度p型区域(14a)和高浓度p型区域(14b)夹着而在n型阱(11)的表面上形成了高浓度n型区域(13)，与触发元件连接。施加在I/O焊盘上的冲击通过左右的SCR构造而向接地端子释放。
半导体集成装置

[发明专利]一种利用高浓度碱性机能水进行农作物增产的方法-CN201610272452.4在审
发明人：李文秀;努民 -专利权人：北京建元天地环保科技有限公司
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： A01G7/06 文献下载
摘要：本发明公开一种利用高浓度碱性机能水进行农作物增产的方法，包括以下步骤1)使用多功能流水式电解设备(专利申请号201510270727.6)生成pH值为13.0(±0.2)的高浓度强碱性机能水。2)使用稀释后的高浓度强碱性机能水对种植前的土壤进行一次喷淋。3)种植前使用稀释后的高浓度强碱性机能水对种子进行浸种。4)使用稀释后的高浓度强碱性机能水喷淋于农作物的叶面、茎和果实部。5)使用稀释后的高浓度强碱性机能水对农作物的根部进行喷淋。
一种利用浓度碱性机能进行农作物增产方法

[发明专利]一种高浓度哌啶酮生产废水的处理方法-CN201611087568.7有效
发明人：孙承林;孙文静;卫皇曌;李先如 -专利权人：大连科铎环境科技有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： C02F9/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种高浓度哌啶酮生产废水处理方法，属于高浓度难降解有机废水处理领域。该水处理方法为催化湿式氧化系统和生化系统的组合工艺。本发明提供的高浓度哌啶酮生产废水处理方法占地面积小、有机物降解率高、运行成本低、工艺流程简单，出水符合GB5084‑2005《农田灌溉水质标准》中的要求可用于农业灌溉。该高浓度哌啶酮生产废水处理方法为高浓度哌啶酮生产废水及高浓度难降解废水的处理提供了经济、可靠、高效的方案。
一种浓度哌啶生产废水处理方法

[发明专利]一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备工艺-CN202310461968.3在审
发明人：朱袁正;杨卓;黄薛佺;朱晨凯 -专利权人：无锡新洁能股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种沟槽型碳化硅MOSFET器件及其制备工艺，MOSFET器件包括高浓度N型漏极及漏极金属，在高浓度N型漏极上设有低浓度的N型外延层，在N型外延层上方设有P型阱区，在P型阱区表面设有高浓度N型源极和高浓度P型源极，在N型外延层远离高浓度N型漏极的一端表面设有纵向沟槽，纵向沟槽内部设有多晶硅，且多晶硅外围被栅氧化层包裹，在纵向沟槽底部正下方区域的N型外延层中还设有P型掺杂区，P型掺杂区向靠近高浓度N型漏极方向延伸，高浓度N型源极和高浓度P型源极表面还设有接触孔和介质层。
一种沟槽碳化硅 mosfet 器件及其制备工艺