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[发明专利]一种钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202010326200.1在审
发明人：庞利霞;周陈;周迪;刘卫国;张磊;王欣;纪红芬;邓立儿 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法和应用，属于储能陶瓷材料技术领域。本发明提供的钛酸锶钡基陶瓷材料，化学组成为(1‑x)Ba0.8Sr0.2TiO3钛酸锶钡基陶瓷材料具有高储能密度和储能效率。实施例的结果显示，本发明提供的钛酸锶钡基陶瓷材料具有高的介电弛豫性和抗击穿电场，可以获得细长的电滞回线；在250kV/cm的外加电场下，本发明中钛酸锶钡基陶瓷材料的有效储能密度为2.028J/cm3，同时储能效率达到96.8％。
一种钛酸锶钡基陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高储能钛酸锶钡/PVDF基聚合物复合材料及其制备方法-CN202210954637.9在审
发明人：胡欣;陆春华;张慧;朱宁;房正刚;方亮;李旸 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C08L51/00 文献下载
摘要：发明公开了一种高储能钛酸锶钡/PVDF基聚合物复合材料及其制备方法。钛酸锶钡填料包括钛酸锶钡纳米颗粒与钛酸锶钡纳米线，以硅烷偶联剂KH550改性，在钛酸锶钡表面引入氨基，使之同时具有高介电填料与交联剂功能。PVDF基聚合物通过无金属有机催化原子转移自由基聚合反应，引入聚甲基丙烯酸缩水甘油酯链段。将含端氨基的改性钛酸锶钡与具有PGMA链段的PVDF基聚合物进行复合，形成交联网络状结构，得到的复合材料产生电子势阱，可以有效抑制材料漏导电流、提高击穿场强，同时抑制介电损耗，介电损耗可降低至0.05左右
一种高储能钛酸锶钡 pvdf 聚合物复合材料及其制备方法

[发明专利]一种聚偏氟乙烯基钛酸锶钡纳米复合材料及其制备方法-CN202011359699.2有效
发明人：王卓;易志辉;孔梦蕾;李妍欣;王佳 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明一种聚偏氟乙烯基钛酸锶钡纳米复合材料及其制备方法，所述方法包括步骤1，将二水合草酸、去离子水、乙醇和钛酸四丁酯混合均匀，之后调节pH至4.5‑5.5；步骤2，加入硝酸钡和硝酸锶的混合液水热处理，之后陈化后将沉淀物过滤后洗涤、干燥得到钛酸锶钡前驱体；步骤3，在800‑900℃下进行煅烧处理，之后冷却至室温，得到钛酸锶钡纳米粉体，在聚偏氟乙烯溶液中加入钛酸锶钡纳米粉体混合均匀；步骤4，采用流延法流延在基板上后先进行常压干燥，之后进行真空干燥，得到复合物，将复合物在冰水中进行淬火处理后干燥，在基板上形成的聚偏氟乙烯基钛酸锶钡纳米复合材料应用于相对较低的击穿场强下具有高的储能密度。
一种聚偏氟乙烯基钛酸锶钡纳米复合材料及其制备方法

[发明专利]钛酸锶钡布拉格反射镜及制备方法-CN200610026936.7无效
发明人：胡古今;洪学鵾;戴宁 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡布拉格反射镜及制备方法，反射镜包括：钛酸锶单晶衬底，在钛酸锶基片上由致密钛酸锶钡层及疏松钛酸锶钡层交替排列形成多个周期的钛酸锶钡反射膜堆。钛酸锶钡反射膜片采用溶胶—凝胶法生长，溶剂为冰醋酸，稳定剂为己酰丙酮，增稠剂为聚乙烯吡咯烷酮。溶质为醋酸钡、醋酸锶、正丁醇钛。本发明的优点是：所用设备简单，操作方便，能大面积制备多层膜系。同时，通过选择工艺参数，溶液浓度等手段，可以得到具有较大带宽，高反射率，并且峰值反射率中心波长位置可调的布拉格反射镜片。
钛酸锶钡布拉格反射制备方法

[发明专利]钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法-CN200710121834.8无效
发明人：符汪洋;周岳亮;曹玲柱;汪宏 -专利权人：中国科学院物理研究所;西安交通大学
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料，包括至少一层钛酸锶钡层和至少一层铌酸锌铋层，其中，所述钛酸锶钡层为锰掺杂的钛酸锶钡层。本发明的钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料有机地结合了钛酸锶钡材料的高介电可调性与铌酸锌铋材料的低介电损耗特性，通过使用锰掺杂钛酸锶钡层，以及有目的地调控锰掺杂钛酸锶钡和铌酸锌铋层各自的厚度和生长条件，得到了一种同时具有高介电可调率和低介电损耗特性的锰掺杂钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料。
钛酸锶钡铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法

[发明专利]一种高储能密度钛酸锶钡-氧化锌复相陶瓷的制备方法-CN201511015937.7在审
发明人：吴勇军;邱维君;刘小强;陈湘明 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度钛酸锶钡-氧化锌复相陶瓷的制备方法，该方法首先将原料BaCO₃，SrCO₃和TiO₂按Ba_0.43粉料与ZnO粉末按质量比(100-x)：x进行配料，制得陶瓷粉料；最后将陶瓷粉料装入模具，利用放电等离子烧结系统在真空环境中1000℃进行烧结，制得陶瓷烧结体，热处理后制得高储能密度钛酸锶钡复相陶瓷本发明方法制备的具高储能密度的钛酸锶钡-氧化锌复相陶瓷，其储能密度提高，介电击穿场强大幅提高，可用于高密度储能电容器等元器件，在大功率和脉冲功率领域有着极大的应用价值。
一种高储能密度钛酸锶钡氧化锌陶瓷制备方法

[发明专利]一种基于相变调控提升温度稳定性的钛酸锶钡-钛酸铋钠基陶瓷材料的制备方法及其产品-CN202310012776.4在审
发明人：沈宗洋;石旭海;王竹梅;李志鹏;骆雯琴;宋福生;李月明 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于相变调控提升温度稳定性的钛酸锶钡‑钛酸铋钠基陶瓷材料的制备方法及其制得的产品，在钛酸锶钡‑钛酸铋钠基陶瓷材料中，通过掺杂的三价Bi3+取代ABO3钙钛矿型结构中的A位离子(二价Sr2+和Ba2+)，并且通过施加电场和升温的极化预处理实现不可逆相变过程，从而实现温度稳定性的大幅提升，并且保留钛酸锶钡‑钛酸铋钠基陶瓷的高介电常数和在低场强下的高储能特性，在高温陶瓷电容器领域具有良好的应用前景。本发明制备方法原料中不含铅、稀土和贵金属元素，降低了生产成本，并且满足环境友好型社会发展要求，适合于工业化生产，有利于促进新型无铅储能电介质陶瓷的进步和发展。
一种基于相变调控提升温度稳定性钛酸锶钡钛酸铋钠基陶瓷材料制备方法及其产品

[发明专利]一种高能量密度的钛酸锶钡基介电薄膜电容器及其制备方法-CN202011333923.0在审
发明人：娄晓杰;朱孝培 -专利权人：西安潜龙环保科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明涉及介电薄膜储能领域，具体公开的一种高储能密度的无铅钛酸锶钡基介电薄膜电容器，按照介电电容器的结构组成依次分为：薄膜沉积用衬底材料，厚度为20‑60nm的氧化物底电极过渡层材料，不同Ba/Sr比的本发明所采用的介电薄膜材料为环境友好型无铅BaxSr1‑xTiO3基材料，制备的钛酸锶钡基介电薄膜电容器储能密度高，击穿强度大，具有优异的温度稳定性和耐疲劳特性，原材料价格低廉易得，有利于大规模商业应用本发明还公开了上述无铅钛酸锶钡基介电薄膜电容器的制备方法。
一种高能量密度钛酸锶钡基介电薄膜电容器及其制备方法

[发明专利]一种高温低损耗钛酸锶钡基储能陶瓷及其制备方法-CN201510069795.6有效
发明人：沈宗洋;汪羽;李月明;王竹梅;骆雯琴;洪燕;宋福生 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温低损耗钛酸锶钡基储能陶瓷，以通式BaxSr1‑xTiO3+y熔块表示，其中x表示Ba组成元素的摩尔分数，0≤x≤0.5，y表示熔块对BaxSr1‑xTiO3的质量百分比，0＜y≤15此外，还公开了上述高温低损耗钛酸锶钡基储能陶瓷的制备方法。本发明不仅实现了低温烧结，使得储能陶瓷耐压强度显著提高，而且与此同时其高温条件下的介电损耗显著降低，从而大大拓展了钛酸锶钡基储能陶瓷在高温高压极端条件下作为固态储能介质材料领域的应用，有利于促进高储能密度陶瓷技术的应用和发展
一种高温损耗钛酸锶钡基储能陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种利用铝硅复合氧化物包覆纳米钛酸锶钡介质储能材料及其制备方法-CN201110418864.1有效
发明人：翟继卫;徐超;沈波 -专利权人：同济大学
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡纳米颗粒材料，所述钛酸锶钡纳米颗粒的表面包覆有硅铝复合氧化物；所述硅铝复合氧化物为Al2O3和SiO2的复合，所述硅铝复合氧化物占所述钛酸锶钡重量的1.0wt%～10.0wt%。本发明的有益效果是：（1）较低的制备温度，相比固相合成钛酸锶钡纳米粉体材料的1100℃，80℃的反应温度大大降低了。（3）在外加高压直流电场作用下，该介质储能陶瓷材料具有稳定的介电常数，适用于电容器等介质储能器件等的设计开发。
一种利用复合氧化物纳米钛酸锶钡介质材料及其制备方法

[发明专利]一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法-CN202310690364.6在审
发明人：蒋书文;叶东瑾;聂鹏昊;张万里 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明属于功能材料技术领域，提供一种低损耗的外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法，用以作为介质薄膜变容器的介质层材料。本发明基于磁控溅射方法在低失配衬底上以较高的衬底温度、较低生长速率制备得到钛酸锶钡薄膜，实现薄膜与衬底之间的外延生长关系，得到外延钛酸锶钡薄膜材料；所述外延钛酸锶钡薄膜材料具有(001)外延结构，比多晶结构的钛酸锶钡薄膜具有更大的介电常数；并且，外延钛酸锶钡薄膜材料具有缺陷少、外延质量高的优点；同时，外延钛酸锶钡薄膜材料在高频下具有低损耗特性；另外，本发明中外延钛酸锶钡薄膜材料的外延制备工艺采用射频磁控溅射工艺，能够实现钛酸锶钡薄膜的大面积和大批量制备
一种损耗外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法

[发明专利]钛酸锶钡-钛酸镁陶瓷的制备方法-CN201010122374.2无效
发明人：樊慧庆;柯善明 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-03-11 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡-钛酸镁陶瓷的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的钛酸锶钡-钛酸镁陶瓷材料湿敏响应滞后、高湿环境中易潮解的技术问题，其技术方案是将碳酸钡，碳酸锶和二氧化钛粉体混合后，在丙酮中球磨，然后煅烧制备钛酸锶钡粉体；钛酸锶钡粉体与六水和氯化镁在玛瑙研钵中研磨混合制备钛酸锶钡-钛酸镁粉体；然后烧结得到钛酸锶钡-钛酸镁陶瓷。由于利用钙钛矿相的A位原子对湿度的敏感性，通过其他元素取代A位原子，提升了其对湿度的敏感性。
钛酸锶钡钛酸镁陶瓷制备方法

[发明专利]钛酸锶钡厚膜材料的制备方法-CN201010117949.1有效
发明人：樊慧庆;符云飞 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡厚膜材料的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的带有基底的钛酸锶钡厚膜材料电学性能差的技术问题，其技术方案是将醋酸钡、氢氧化锶、钛酸四正丁酯、冰醋酸、乙二醇甲醚、乙酰丙酮进行配料，制备出BST胶体，所得BST胶体进行流延成型后，进行高温烧结，得到钛酸锶钡厚膜材料。由于采用流延法制备出了无基底的钛酸锶钡厚膜材料，钛酸锶钡厚膜材料的介电损耗由大约0.02降低到0.02以下，提高了钛酸锶钡厚膜材料的电学性能，而且钛酸锶钡厚膜材料的致密度高、粒度均匀。
钛酸锶钡厚膜材料制备方法

[发明专利]一种高储能密度钛酸锶钡基无铅弛豫铁电陶瓷及其制备方法-CN201811179291.X有效
发明人：董显林;黄伟;陈莹 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明涉及一种高储能密度钛酸锶钡基无铅弛豫铁电陶瓷及其制备方法，所述钛酸锶钡基无铅弛豫铁电陶瓷材料的化学组成为：(1‑x)(Ba0.55Sr
一种高储能密度钛酸锶钡基无铅弛豫铁电陶瓷及其制备方法

[发明专利]钛酸锶钡陶瓷靶的制备方法-CN03116802.7无效
发明人：张汝冰;杨春生;冯洁 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2003-05-08 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： C04B35/465 文献下载
摘要：一种钛酸锶钡陶瓷靶的制备方法属于材料领域。方法如下：先将四氯化钛、氯化锶、氯化钡分别配制成水溶液；将上述水溶液加入草酸水溶液中进行合成反应，控制pH值得到白色草酸氧钛酸锶钡沉淀；将沉淀洗涤、过滤、烘干后进行热分解即得钛酸锶钡复合粉粉末；将得到的钛酸锶钡粉末经预处理后按化学计量比配料，经球磨机球磨粉碎后，放于硅碳棒炉中预烧；将预烧好的粉末经球磨机再粉碎后，由液压机压成块材，并进行等静压成型；放于硅碳棒炉中最终烧结，得到钛酸锶钡陶瓷靶。本发明制备合成的钛酸锶钡粉体，具有高纯、超细、高均匀性和高活性，较好完全满足射频磁控溅射的要求，因此，本发明的钛酸锶钡陶瓷靶是一种很有应用前景的新型靶材。
钛酸锶钡陶瓷制备方法

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