专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]质膜反射镜-CN202222874482.6有效
  • 吴茂;杨建文 - 伯恩光学(惠州)有限公司
  • 2022-10-28 - 2023-03-24 - G02B5/08
  • 本实用新型涉及光学薄膜技术领域,具体公开了一种质膜反射镜,包括基底及堆叠设置在基底上并包括交替堆叠设置的若干全质低折射率层和若干全折射率层的反射,全质低折射率层的折射率小于1.55,全折射率层的折射率大于2,单个全质低折射率层和单个全折射率层的厚度分别为2‑200nm,反射的厚度为1300‑3000nm。上述质膜反射镜采用质低折射率层和折射率层交替堆叠设置,光束在各层界面反射回前表层的光产生相长干涉,反射率提高;各层均由全质材料成型,不含单质金属层,避免了氧化和受潮问题,延长了质膜反射镜的使用寿命
  • 质膜反射
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201080066028.5有效
  • 时田裕文 - 瑞萨电子株式会社
  • 2010-03-30 - 2012-12-12 - H01L21/8244
  • 本发明提供了一种n沟道型HK/MG晶体管,其具有由含有La和Hf的第一形成的栅极绝缘、及由金属和多晶硅的层叠形成的栅电极,并形成在由形成在半导体衬底的主面上的由含有氧原子的绝缘形成的元件分离部围成的活性区域,其中,在跨过元件分离部的上述栅电极下方,代替第一,形成有La的含量比第一少的、含有Hf的第二
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]K-CN200480033499.0有效
  • 拉温德拉纳特·德鲁帕德 - 飞思卡尔半导体公司
  • 2004-10-22 - 2007-03-14 - H01L29/49
  • 一种层(14,22,24,32),由两个导体或导体(14,20,34)和衬底(12,26,30)之间形成的镧、镥和氧构成。在一个实施例中,层形成在衬底上,不需要额外的界面层。在另一个实施例中,层(22,42,46)渐次变化镧或镥的含量,或者还包括铝的含量。在另一个实施例中,绝缘层形成在导体或衬底和层之间,或者形成在导体和衬底以及层之间。层优选的由分子束外延来形成,但是也可以由原子层化学气相淀积、物理气相淀积、有机金属化学气相淀积或脉冲激光淀积来形成。
  • 介电膜

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