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[发明专利]旋转式多靶材磁控溅射阴极-CN202011536381.7在审
发明人：李伟 -专利权人：长沙元戎科技有限责任公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及磁控溅射技术领域，提出了旋转式多靶材磁控溅射阴极，包括阳极及磁铁组件，所述阳极上开设有溅射孔，所述磁铁组件与所述阳极之间设置有靶材支架及一组靶材，所述溅射孔与所述靶材之间形成溅射区，所述靶材设置在所述靶材支架上，所述靶材与所述磁铁组件大小适配，任一所述靶材借助所述靶材支架旋转至所述溅射区，只有旋转到磁铁组件正上方的靶材会发生磁控溅射，其他靶材因所处位置处磁场极弱、溅射气流不足，无法起辉溅射，解决了现有技术中一个溅射阴极只能固定一个靶材及无法同一位置溅射不同材料的问题
旋转式多靶材磁控溅射阴极

[实用新型]旋转式多靶材磁控溅射阴极-CN202023140752.8有效
发明人：李伟 -专利权人：长沙元戎科技有限责任公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型涉及磁控溅射技术领域，提出了旋转式多靶材磁控溅射阴极，包括阳极及磁铁组件，所述阳极上开设有溅射孔，所述磁铁组件与所述阳极之间设置有靶材支架及一组靶材，所述溅射孔与所述靶材之间形成溅射区，所述靶材设置在所述靶材支架上，所述靶材与所述磁铁组件大小适配，任一所述靶材借助所述靶材支架旋转至所述溅射区，只有旋转到磁铁组件正上方的靶材会发生磁控溅射，其他靶材因所处位置处磁场极弱、溅射气流不足，无法起辉溅射，解决了现有技术中一个溅射阴极只能固定一个靶材及无法同一位置溅射不同材料的问题
旋转式多靶材磁控溅射阴极

[发明专利]真空状态下靶材厚度的检测方法-CN201811307206.3在审
发明人：张诚 -专利权人：三河市衡岳真空设备有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： G01B7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种真空状态下靶材厚度的检测方法，该检测方法包括：制定自检溅射工艺，其中溅射功率和工艺气体压强被设置为固定值；溅射设备和靶材首次配合使用时，启动溅射设备执行自检溅射工艺对靶材进行溅射直至靶材被击穿，记录执行过程中电压电流参数和靶材的厚度之间的对应关系，若靶材是导电靶材则电压电流参数是溅射电压和/或溅射电流，若靶材是不导电靶材则电压电流参数是射频溅射工艺产生的直流偏压；在溅射设备和靶材再次配合使用的过程中，当需要对靶材的厚度进行检测时启动溅射设备执行自检溅射工艺，在获得稳定的电压电流参数后根据电压电流参数和对应关系确定靶材的厚度。实施本发明可以在真空状态下快速准确地检测出靶材的厚度。
靶材电压电流参数溅射设备溅射真空状态检测自检对靶压强导电靶材工艺气体关系确定溅射电压溅射功率射频溅射直流偏压不导电击穿记录制定

[发明专利]一种靶材组件及靶材组件制作方法-CN202111183196.9有效
发明人：姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;王少平 -专利权人：宁波江丰电子材料股份有限公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造领域，特别涉及一种靶材组件及靶材组件制作方法。本发明通过对喷砂区位置靠近靶材溅射面边缘一侧的靶材侧壁进行螺纹处理，使得靠近靶材溅射面边缘一侧的靶材侧壁凹凸不平，为后续的反溅射层附着提供粗糙面。虽然靠近靶材溅射面边缘一侧的靶材侧壁积累的反溅射材料较少，但长期积累还是容易产生一定厚度的反溅射层，且因为靠近靶材溅射面边缘一侧，无法在该区域形成熔射层(以避免熔射层材料被溅射)，因此在靠近靶材溅射面边缘一侧的靶材侧壁形成螺纹层，为后续的反溅射层附着提供粗糙面。
一种组件制作方法

[发明专利]磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法-CN200910105321.7无效
发明人：田小智;姜翠宁;黄启耀 -专利权人：田小智
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法，该磁控溅射镀膜系统中提高平面靶材利用率的方法包括如下的步骤：a.测试磁控溅射镀膜系统中所用的平面靶材溅射区域的宽度；b.根据磁控溅射用平面靶材的溅射区域的宽度设置新靶材的宽度尺寸，该新靶材的宽度尺寸比磁控溅射用的平面靶材溅射区域的宽度尺寸略大；c.在磁控溅射用平面靶材的非溅射区设置旧靶材。此方法在不影响生产工艺、产品质量，以及在不需要任何设备改进的前提下，能够立竿见影的节省新靶材的使用量，从而提高平面靶材的利用率。
磁控溅射镀膜系统提高平面利用率方法

[发明专利]溅射沉积设备和方法-CN202080088594.X在审
发明人： M.伦德尔;R.格鲁尔 -专利权人：戴森技术有限公司
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本文所述的某些示例涉及一种溅射沉积设备，该设备包括基底保持器件、靶装载器件、用于产生等离子体的等离子体源和磁体布置。基底保持器件用于将基底定位在溅射沉积区中，以用于在使用中将靶材料从第一靶溅射沉积到基底。靶装载器件用于将第二靶从靶启动区移动到溅射沉积区，以便在使用中将靶材料从第二靶溅射沉积到基底。磁体布置配置为将等离子体在设备内限制到靶启动区和溅射沉积区。在靶启动区内，相应靶在使用中暴露于等离子体。溅射沉积区提供靶材料的溅射沉积。
溅射沉积设备方法

[发明专利]靶材的剩余溅射时间的获得方法-CN201410520148.8有效
发明人：姚力军;潘杰;相原俊夫;大岩一彦;王学泽;喻洁;钱红兵 -专利权人：合肥江丰电子材料有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：一种靶材的剩余溅射时间的获得方法，包括：提供一个已知初始厚度的靶材；将所述靶材进行部分溅射，并记录溅射时间；测量部分溅射后的靶材的剩余厚度获得最小剩余厚度，并根据所述最小剩余厚度获得最大溅射厚度；根据所述初始厚度与所述溅射时间的乘积、所述乘积与所述最大溅射厚度的比值来获得靶材的剩余溅射时间。采用本发明中的靶材的剩余溅射时间的获得方法，可以降低磁控溅射成本。
剩余溅射时间获得方法

[实用新型]离子溅射仪溅射靶-CN201220093483.0有效
发明人：袁玫;黄耀生 -专利权人：南京南大仪器厂
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本实用新型公开的离子溅射仪溅射靶，包括上盖板，所述上盖板上侧设有接线柱，其中，所述上盖板下侧设置靶头，所述靶头为圆形，所述靶头直径为50mm～60mm，所述靶头外表面设有溅射层，所述溅射层涂有溅射材料；所述靶头外侧设有压盖；所述上盖板和靶头通过螺栓固定连接。本实用新型提供的离子溅射仪溅射靶，安装简单，使用方便，减少了靶头的面积，仅需靶头正面涂覆溅射材料，节约了材料，降低了后期使用成本。
离子溅射

[发明专利]一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法-CN201310549471.3无效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-07 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外屏蔽功能薄膜的制备方法，包括：交流溅射硅铝旋转靶，在玻璃基板上磁控溅射Si3N4层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷，在Si3N4层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；交流溅射硅铝旋转靶，在AZO层上磁控溅射Si3N4层。
一种红外屏蔽功能薄膜制备方法

[发明专利]溅射系统-CN201710861105.X有效
发明人：王辰;王一鸣;王光东;胡力凡;潘敏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2017-09-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种溅射系统，包括：溅射腔室；设置于所述溅射腔室内的靶材固定件，所述靶材固定件具有用于将溅射用的气体导入所述溅射腔室内的靶材侧进气孔，所述靶材固定件用于固定靶材；气体供给装置，所述气体供给装置与所述靶材侧进气孔相连通，所述气体供给装置用于供给溅射用的气体。本发明的溅射系统，与现有技术相比，解决了现有的溅射系统因靶材周围的溅射用的气体补充的较慢导致的溅射的膜的均匀性不良的技术问题。
靶材溅射系统溅射气体供给装置固定件溅射腔进气孔室内溅射腔室气体补充固定靶均匀性

[发明专利]一种磁控溅射装置-CN201510493704.1有效
发明人：孙建明;牛犇;王治;周翔 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种磁控溅射装置，属于磁控溅射技术领域，其可解决现有的磁控溅射装置无法连续、均匀、任意比例掺杂元素的问题。本发明的磁控溅射装置，包括至少两个靶，分别用于放置向同一基板的成膜区进行溅射的靶材；与每个靶分别对应的磁场产生装置，用于控制靶溅射的粒子的方向。本发明的磁控溅射装置包括至少两个靶，每个靶分别对应磁场产生装置，通过使用至少两个靶溅射，每个靶的靶材都是掺杂了不同的元素的透明导电氧化物，调整两种靶材的比例，实现均匀掺杂不同的元素的目的，通过控制磁场产生装置调节靶材的磁场，从而控制靶材的溅射速度，进而实现靶材任意比例掺杂的目的。本发明的磁控溅射装置适用于制备各种透明导电氧化物薄膜。
一种磁控溅射装置

[发明专利]一种磁性溅射靶材-CN201510723496.X在审
发明人：张瑞丽;任瑞 -专利权人：杭州立昂微电子股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性磁控溅射靶材，所述磁性溅射靶材能够与非磁性靶材共用磁控溅射系统，其中非磁性靶材为圆形平面靶材，包括溅射靶和背板。所述磁性靶材通过将非磁性靶材1）减薄溅射靶；2）将溅射面及其背面由平面改成球面，以及背板的焊接面也由平面改为内球面，且与溅射靶的背面完全贴合；或者进一步从背板主体部分的冷却面方向减薄背板等；得到形变后的磁性靶材，该磁性靶材使用与非磁性靶材可共用的溅射系统进行溅射，所得溅射薄膜的厚度均匀性达到2.0%以内。
一种磁性溅射

[发明专利]一种ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜的制备方法-CN201810560530.X在审
发明人：彭寿;沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜的制备方法，包括以下步骤：清洗衬底，去除衬底表面的油污和杂质；采用磁控溅射设备，以ZnS靶与ZnO靶为溅射靶材，ZnS靶与ZnO靶的靶座均与水平面呈45º夹角，使ZnS靶与ZnO靶的延长线相交于一点，衬底置于ZnS靶与ZnO靶的相交点上；S3、通入工作气体氩气，首先使ZnS靶溅射功率45W、ZnO靶溅射功率150W，进行共溅射25min；然后ZnS靶溅射功率增大至100W、ZnO靶溅射功率减小至80W进行共溅射3min；最后关闭ZnO靶、ZnS靶溅射功率增大至150W，溅射2min，得到ZnS包覆ZnO纳米核壳结构复合薄膜；ZnS禁带宽度与ZnO非常接近，两者之间不会由于晶格常数相差太多造成薄膜应力过大的问题
纳米核壳结构复合薄膜靶溅射包覆功率增大溅射功率共溅射衬底制备磁控溅射设备工作气体氩气衬底表面复合体系溅射靶材晶格常数相交点延长线油污靶座减小溅射禁带去除薄膜相交清洗

[实用新型]一种磁性靶材-CN201520855329.6有效
发明人：张瑞丽;任瑞 -专利权人：杭州立昂微电子股份有限公司
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种磁性靶材，所述磁性靶材能够与非磁性靶材共用磁控溅射系统，其中非磁性靶材为圆形平面靶材，包括溅射靶和背板。所述磁性靶材通过将非磁性靶材1）减薄溅射靶；2）将溅射面及其背面由平面改成球面，以及背板的焊接面也由平面改为内球面，且与溅射靶的背面完全贴合；或者进一步从背板主体部分的冷却面方向减薄背板等；得到形变后的磁性靶材，该磁性靶材使用与非磁性靶材可共用的溅射系统进行溅射，所得溅射薄膜的厚度均匀性达到2.0%以内。
一种磁性

[发明专利]一种超高透高性能低辐射膜的制备方法-CN201310567790.7有效
发明人：陈路玉 -专利权人：中山市创科科研技术服务有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种超高透高性能低辐射膜的制备方法，包括：A、直流溅射Bi平面靶，在玻璃基板上磁控溅射Bi2O3层；B、直流溅射Nb平面靶，在Bi2O3层上磁控溅射Nb2O5层；C、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Nb2O5层上磁控溅射AZO层；D、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；E、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；F、直流溅射银平面靶，在AZO层上磁控溅射Ag层；G、交流溅射掺铝氧化锌陶瓷旋转靶，在Ag层上磁控溅射AZO层；H、交流溅射ZnSn合金旋转靶，在AZO层上磁控溅射ZnSnO3层。
一种超高性能辐射制备方法

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