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[发明专利]一种基于非晶硅超构表面的轻量化红外制导镜头-CN202111066595.7在审
发明人：赵峰;姜明勇;徐碧洁;王昊月;陈向宁 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队航天工程大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于非晶硅超构表面的轻量化红外制导镜头，包括：衬底层；亚波长光栅，所述亚波长光栅为多个，且多个所述亚波长光栅以阵列形式设置于所述衬底层的同侧表面；所述亚波长光栅呈圆柱状，每一所述亚波长光栅的尺寸由第一方法确定，以使所述基于非晶硅超构表面的轻量化红外制导镜头能够对3μm‑5μm波长的中红外光施加传输相位。公开提供的一种基于非晶硅超构表面的轻量化红外制导镜头，可实现同一单元结构对中红外0到2π范围内任意的相位调制，并且保持较高的透射率或反射率。本公开用非晶硅超表面实现中红外光的聚焦成像，使得实时、高效率、集成化的红外制导模块成为可能，且结构简单。
一种基于非晶硅超构表面量化红外制导镜头

[发明专利]一种在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法-CN201310159378.1有效
发明人：汪远昊 -专利权人：深圳市万业隆太阳能科技有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银的方法，包括以下步骤：将醋酸银与草酸溶解，配制成含有醋酸银与草酸的前驱体溶液，其中，所述醋酸银和草酸的质量比为(3.2～13.1)：(0.1～0.5)；将所述前驱体溶液涂覆在非晶硅薄膜表面；将涂覆处理后的非晶硅薄膜在200～300℃进行热处理，在非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银。通过上述方法在非晶硅薄膜表面原位诱导生长微晶银颗粒，且微晶银颗粒之间互相作用，呈不规则排列并形成空隙，因此该微晶银颗粒在微观上形成织构化结构，提高了非晶硅薄膜的光吸收效率。
一种非晶硅薄膜表面形成织构化微晶银方法

[发明专利]一种光伏电池-CN201310500099.7有效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池，自下而上依次包括：基板、第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层；N型非晶硅半导体层；第二非晶碳薄膜层、第二透明导电层以及电极。其中超晶格P型半导体层由非晶硅材料层与非晶碳材料层在水平方向上相互间隔形成，所述非晶硅材料层与非晶碳材料层的宽度相等，厚度相同；非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层所组成的三明治结构用于提高光伏电池的电特性与产生空穴
一种电池

[发明专利]一种基于激光微织构的非晶合金功能化表面制备方法-CN202111256257.X在审
发明人：程杨洋;王青华;王慧鑫 -专利权人：佛山市南海区广工大数控装备协同创新研究院;东南大学
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： B23K26/352 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于激光微织构的非晶合金功能化表面制备方法，所述制备步骤主要包括：1)清洗基底：对非晶合金基底进行清洗；2)激光表面微织构：利用紫外纳秒激光束在非晶合金基底表面加工微纳结构；3)低温热处理：将步骤2)处理后的非晶合金基底在真空干燥箱中进行低温热处理；本发明通过紫外激光加工与低温热处理共同作用，制备的非晶合金表面展现出了表面微纳结构与表面化学的改变，从而实现了超亲水向超疏水特性的转变，激光微织构非晶合金表面的显微硬度也得到了显著提升
一种基于激光微织构合金功能表面制备方法

[发明专利]一种基于四纳米柱耦合振子的可调超窄带吸收体-CN201910406347.9有效
发明人：董士奎;赵磊;贺志宏;帅永;冯颖;孟夏莹 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于四纳米柱耦合振子的近红外波段线性热光可调超窄带吸收体，属于超构材料吸收体技术领域。该吸收体包括多个周期性结构单元，每个周期性结构单元均为三层结构，底层为金属薄膜，中间层为电介质薄膜，顶层为由四个纳米柱耦合而成的振子，且振子的材料为非晶硅。该吸收体通过采用四纳米柱耦合非晶硅振子能在近红外波段形成一个超窄吸收带，成功实现了近红外波段线性热光可调超窄吸收体的设计。本发明吸收体可应用于微型光学开关，光学调节器和红外伪装。
一种基于纳米耦合可调窄带吸收体

[发明专利]一种超掺杂硅薄膜HJT电池及其制备方法-CN202310323681.4在审
发明人：温才;杨洪旺;刘德雄;戴祺又 -专利权人：西南科技大学;四川省普照光新能源有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种超掺杂硅薄膜HJT电池及其制备方法，其中，所述制备方法包括：对晶体硅衬底进行湿法清洗制绒；在晶体硅衬底两侧表面沉积形成本征非晶硅薄膜；在本征非晶硅薄膜远离晶体硅衬底的两侧的表面分别沉积形成P型与N型非晶硅薄膜；在P型非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜远离本征非晶硅薄膜的两侧表面形成P+型超掺杂硅薄膜和N+型超掺杂硅薄膜所述超掺杂硅薄膜HJT电池采用上述制备方法制备得到。本发明的有益之处在于，电池加工步骤简单，电池光电转换效率高。
一种掺杂薄膜 hjt 电池及其制备方法

[发明专利]一种织构炭包覆的纳米硅复合粉体及其制备方法以及应用-CN202210175315.4在审
发明人：于杰;艾顺;苑甫;王恩哥 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本申请涉及锂离子电池技术领域，具体而言，涉及一种织构炭包覆的纳米硅复合粉体及其制备方法以及应用。织构炭包覆的纳米硅复合粉体包括内芯以及包覆于内芯表面的织构炭包覆层；内芯包括纳米级硅粉；织构炭包覆层包括热解非晶碳和多个间隔分布的石墨烯纳米片；每个石墨烯纳米片均与纳米级硅粉表面连接且沿纳米级硅粉的径向延伸；热解非晶碳填充于相邻两个石墨烯纳米片的间隙内。相比非晶碳层包覆纳米级硅粉制备的复合粉体，本申请提供的织构炭包覆的纳米硅复合粉体具有更高的强度和导电性；当其用于制备锂离子电池负极材料时，能够显著抑制纳米级硅粉的体积膨胀，具有较高的结构稳定性，可以提高负极材料的导电性以及电化学循环稳定性
一种织构炭包覆纳米复合及其制备方法以及应用

[发明专利]一种基于激光微织构的兼具超疏水性与耐蚀性的铁基非晶合金涂层及其制备方法-CN202310534949.9在审
发明人：魏先顺;廖宗艺;张玲珑;梁严 -专利权人：同济大学
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C21D1/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于激光微织构的兼具超疏水性与耐蚀性的铁基非晶合金涂层及其制备方法。本发明利用皮秒脉冲激光将预处理后的铁基非晶合金涂层进行激光微织构扫描，表面形成分级微纳复合结构，后续使用低表面能的全氟丙烯酸酯聚合物溶液进行表面化学改性后，即可快速得到具有超疏水性能的铁基非晶合金涂层材料，且涂层的耐蚀性能到很大提高；由于皮秒脉冲激光对涂层的烧蚀作用，经过多次扫描后在涂层堆积出分级微纳复合结构，表面化学改性后在激光织构的涂层再形成一层很薄的低表面能高分子膜，使涂层获得十分优异的超疏水性和耐蚀性本方法获得的兼具超疏水性和优异耐蚀性的铁基非晶合金涂层，在航空航天及海洋防腐等领域具有广阔的应用前景。
一种基于激光微织构兼具疏水耐蚀性铁基非晶合金涂层及其制备方法

[发明专利]一种超浅结的制备方法-CN201710523885.7有效
发明人：康晓旭 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种超浅结的制备方法，其包括：步骤01：提供一硅衬底；步骤02：在硅衬底表面生长氧化薄膜；步骤03：在氧化薄膜表面低温生长掺杂非晶硅层；步骤04：采用释放工艺去除非晶硅层，非晶硅层中的杂质成分保留在氧化薄膜表面；步骤05：高温退火，驱使氧化薄膜表面的杂质扩散进入硅衬底表层并在硅衬底表层被激活；步骤06：去除氧化薄膜和未进入硅衬底表层的杂质。本发明打破了现有的制备超浅结需要低能量注入且均匀性较差的问题，可以在低温下制备掺杂非晶硅介质，并不需要高温，从而避免高温下杂质在掺杂非晶硅介质生长时扩散到硅衬底表层，导致超浅结形成较难的问题。
一种超浅结制备方法

[发明专利]准直超透镜及设计方法、基于准直超透镜的准直系统-CN202310881304.2在审
发明人：刘爽;胡敬佩;杨增辉;曾爱军;黄惠杰 -专利权人：上海镭望光学科技有限公司
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：准直超透镜及设计方法、基于准直超透镜的准直系统，其中，基于准直超透镜的准直系统，包括：VCSEL阵列和准直超透镜阵列；VCSEL阵列包括若干个VCSEL单元；准直超透镜阵列包括若干个准直超透镜，若干个准直超透镜与若干个VCSEL单元一一对应设置，对VCSEL单元的发射光束进行准直；准直超透镜由不同半径的非晶硅圆柱排布组成，其中，各非晶硅圆柱的半径根据准直超透镜各位置的位置相位来确定，以使不同半径的非晶硅圆柱根据准直超透镜的位置相位分布来排布通过采用特定相位分布的准直超透镜设计方法来突破传统曲率半径加工的限制，通过特定半径尺寸非晶硅圆柱的排布代替传统光学凸透镜的曲面分布，基于高精度的微纳加工工艺，提高准直性能。
准直超透镜设计方法基于系统

[发明专利]超白非晶铝硅氧化物材料-CN202310436524.4在审
发明人：古丛彬;宫汝华;李树晨;伍静;穆美强;王海雄;黎展宏;宋茜 -专利权人：湖南旗滨电子玻璃股份有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C03C3/11 文献下载
摘要：本申请涉及非晶无机氧化物材料，公开了一种超白非晶铝硅氧化物材料。本申请的超白非晶铝硅氧化物材料，首先通过控制原材料中铁含量小于120ppm，再通过加入适宜的化学脱色剂和物理脱色剂并使物理脱色剂符合一定比例关系，由此保证了超白非晶铝硅氧化物材料的透光率大于92.0％，
超白非晶铝硅氧化物材料

[发明专利]一种超浅结均匀性的改善方法-CN201210544419.4在审
发明人：李超波;邹志超;窦伟 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种超浅结均匀性的改善方法，包含：将硅基片的表面进行预非晶化；从被预非晶化的表面对所述硅基片进行离子注入，得到P型硅基片或N型硅基片；修复所述硅基片表面由于所述预非晶化造成的晶格损伤。本发明提供的超浅结均匀性的改善方法，与直接用掺杂离子进行注入相比，预先用氦离子对硅基片的表面进行离子注入，破坏硅基片表面晶格结构以达到预非晶化，然后再进行所需要的离子注入，最后进行退火处理恢复被破坏的表面晶格，形成超浅结，故本发明可有效提高离子注入后，硅基片的注入离子剂量的均匀性，从而提高后续在硅基片上制备MOS器件的电学性能。
一种超浅结均匀改善方法

[发明专利]一种光伏电池的制造方法-CN201310500100.6有效
发明人：丛国芳 -专利权人：溧阳市东大技术转移中心有限公司
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池的制造方法，依次包括如下步骤：（1）提供基板；（2）在基板上依次形成第一透明导电层、非晶硅薄膜层、超晶格P型半导体层、第一非晶碳薄膜层、本征非晶硅半导体层；N型非晶硅半导体层；第二非晶碳薄膜层
一种电池制造方法

[发明专利]异质接面太阳能电池及其电极-CN201210080696.4有效
发明人：陈建勋;范佳铭;吴建良;萧睿中;吴德清;林景熙 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-03-20 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种异质接面太阳能电池及其电极，该电池包括：一晶体硅基板，为第一导电型，具有彼此相对的一第一表面及一第二表面，该第一表面为一第一织构表面；一掺杂非晶硅层，共形地配置于该第一表面上，该掺杂非晶硅层为第二导电型；一第一电极层，配置于该掺杂非晶硅层上，具有一第二织构表面，该第一电极层的材料为掺杂氧化锌，该第一电极层的X光绕射图形的最大绕射峰为(10-11)峰；一背面电场层为第一导电型，配置于该第二表面上；一第二电极层基板具有第一织构表面，掺杂氧化锌层配置于基板的第一织构表面上，具有第二织构表面，且掺杂氧化锌层的X光绕射图形的最大绕射峰为(10-11)峰。
异质接面太阳能电池及其电极

[发明专利]超白非晶铝硅氧化物材料及其制备方法以及金属镀膜制品-CN202310101929.2有效
发明人：古丛彬;宫汝华;李树晨;伍静;穆美强;王海雄;黎展宏;宋茜 -专利权人：天津旗滨节能玻璃有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C03C3/11 文献下载
摘要：本申请涉及非晶无机氧化物材料及其金属镀膜制品领域，公开了一种超白非晶铝硅氧化物材料及其制备方法以及金属镀膜制品。本申请的超白非晶铝硅氧化物材料，首先通过控制原材料中铁含量小于120ppm，再通过加入适宜的化学脱色剂和物理脱色剂并使物理脱色剂符合一定比例关系，由此保证了超白非晶铝硅氧化物材料的透光率大于92.0%，
超白非晶铝硅氧化物材料及其制备方法以及金属镀膜制品

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