专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种往复式料造粒机-CN202121673754.5有效
  • 肖俊山;王彬 - 安徽晋煤中能化工股份有限公司
  • 2021-07-22 - 2021-12-31 - B29B9/02
  • 本实用新型公开了一种往复式料造粒机,包括工作台、料机构以及挡料机构,所述工作台顶部设有支撑架和落料管,而其内部安装有往复电机,所述往复电机上端连接着由往复轮及料盘行星轮式连接形成的料机构,所述往复轮通过料齿轮杆向上设置有卡位装置,位于所述料机构下方连接有料板且在与料板对应位置上设有由挡料轴、挡料板构成的挡料机构。该往复式料造粒机,设置有往复轮,通过往复轮的旋转将塑性材料颗粒轮流存储在多个舱室中,避免未完全固化的塑性材料颗粒之间由于过量堆积,发生互相挤压而粘结的情况。
  • 一种往复式防结料造粒机
  • [实用新型]一种新型的婴儿纸尿裤-CN201420627998.3有效
  • 刘建钦 - 恒烨(福建)卫生用品有限公司
  • 2014-10-28 - 2015-02-25 - A61F13/496
  • 本实用新型涉及一种新型的婴儿纸尿裤,包含裤体,所述裤体包含前腰、吸收层和后腰,所述后腰设置在裤体的后端,所述裤体的左右两侧均设有边;所述吸收层主要是由贯穿吸收层全长的劲吸层组成,所述劲吸层是由弹力吸收珠珠和棉纤维交叉编织而成;所述边包含透气的第一边和透气的第二边,所述第一边设置在靠近吸收层内层的一侧,第一边的上边设有与婴儿肌肤接触的花边,所述花边的下方设有橡筋,所述第二边设置在第一边的外侧,所述第二边的上方设有橡筋;所述后腰的左右两侧均设有一无胶腰贴。本实用新型设计的纸尿裤吸水后具有超强的定型性,有效防止纸尿裤因吸水后而团变形。
  • 一种新型婴儿纸尿裤
  • [发明专利]源漏结构及其制造方法-CN201410387740.5在审
  • 王成诚 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2014-08-07 - 2016-02-17 - H01L29/78
  • 其中,该源漏结构包括设置在衬底中的极区和源极区,极区包括轻掺杂超浅极重掺杂区,极区还包括:极-衬底,设置在轻掺杂超浅和衬底的靠近轻掺杂超浅的侧面与底面结合处的部位,极-衬底中的杂质离子与轻掺杂超浅中的杂质离子为反型离子通过本申请,形成了极-衬底,使得轻掺杂超浅的陡峭侧面结构变得平缓,将极-衬底的最大电场降到最低,减少了靠近沟道的离子运动,从而有效减少带间隧道效应激发热电子效应,进而达到了抑制极干扰的效果。
  • 结构及其制造方法
  • [发明专利]一种露涂料-CN201410809131.4无效
  • 姜云华 - 姜云华
  • 2014-12-23 - 2015-04-29 - C09D4/02
  • 本发明公开了一种露涂料,包括如下重量份的组分,苯乙烯100~140份,丙烯酸丁酯120~200份,丙烯酸40~120份,甲基丙烯酸甲酯80~100份,碳酸锌氨40~80份,二氧化钛45~60份,乙二醇单丙醚本发明提供的一种露涂料,制作简单,采用的生产原料选择无毒性的,涂料的使用效果好,环保,可形成坚韧涂层,具有持久的性和抗静电性。
  • 一种防结露涂料
  • [实用新型]一种料的造粒机-CN202020500096.9有效
  • 林杰;林继炎 - 浙江品诺新材料有限公司
  • 2020-04-08 - 2020-12-08 - B29B9/06
  • 本实用新型公开了一种料的造粒机,包括底座,所述底座的上表面固定有造粒机,所述造粒机的前侧料口处表面固定有弯管头,所述弯管头的下表面固定有横流风筒,所述横流风筒的后端外表面固定有风机,所述横流风筒的前侧下端表面开设有落料口,通过在造粒机料口处设置冷却管机构,配合二次风冷吹出塑料颗粒,提高冷却性能,落下时防止粘接料。
  • 一种防结料造粒机
  • [发明专利]SOI MOS器件的建模方法-CN201210248270.5有效
  • 卜建辉;毕津顺;罗家俊;韩郑生 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-07-17 - 2012-11-21 - G06F17/50
  • 本发明提供了一种SOI MOS器件的建模方法,其中该SOI MOS器件为源注入不到底的SOI MOS器件,该方法包括:a)建立包含模拟源注入到底的SOI MOS器件的初级MOS器件模型以及模拟源体PN底面电容的源体PN底面电容模型和模拟体PN底面电容的体PN底面电容模型的总体模型;b)对总体模型中的初级MOS器件模型和源体PN底面电容模型和体PN底面电容模型分别进行参数提取。本发明提供的建模方法考虑源注入不到底的SOI MOS器件中源体底面电容以及底面电容对于器件性能的影响,提高了模型的精确度,能够有效的运用于对器件的仿真设计。
  • soimos器件建模方法
  • [发明专利]磁阻式存储器结构-CN201910119591.7有效
  • 吴奕廷;吴祯祥;杨伯钧;谢咏淨;郑宗昇;陈健中;王荏滺;黄正同 - 联华电子股份有限公司
  • 2019-02-18 - 2023-05-12 - H10B61/00
  • 本发明公开一种磁阻式存储器结构,其具有第一磁阻式存储器组包含一第一晶体管,第一晶体管包含一第一栅极结构、一第一源极/极区和一第一共同源极/极区,一第二晶体管包含一第二栅极结构、一第二源极/极区和第一共同源极/极区,一第二磁性隧穿设置于第二晶体管之上,其中第一共同源极/极区电连接第二磁性隧穿,一第一磁性隧穿设置于第一晶体管之上,其中第一磁性隧穿和第二磁性隧穿的大小不同,第二磁性隧穿串联第一磁性隧穿,一位线电连接第一磁性隧穿以及一源极线电连接第一源极/极区和第二源极/极区。
  • 磁阻存储器结构

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