[发明专利]快闪存储器单元的制造工序无效
| 申请号： | 02125184.3 | 申请日： | 2002-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1391267A | 公开（公告）日： | 2003-01-15 |
| 发明（设计）人： | 阿瑟·H·Y·王;彼得·拉布金;弗兰克·钱 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8239;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种快闪存储器单元的制造工序。在本发明中，利用共扩散步骤制造了一突变的漏极结和一渐变的源极结，其中，该共扩散步骤用于形成漏极结和源极结两者。一层氧化物隔衬在共扩散步骤之前出现在栅极叠上的情况下，共扩散步骤得以完成，导致更快的源极扩散和渐变的源极结，而漏极区中的较慢扩散导致突变的漏极结。该氧化物隔衬使漏极结更加远离栅极叠，以允许更大的单元密度。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 制造 工序 | ||
【主权项】：
1.一种制造晶体管的方法，包括步骤：在衬底上形成一个栅极结构；在衬底的源极区注入第一源极掺杂剂；用一种介电材料遮盖该栅极结构，以形成一介电隔衬；在衬底的漏极区中注入漏极掺杂剂，所述漏极掺杂剂的扩散系数比第一源极掺杂剂的扩散系数低；以及通过扩散驱进源极掺杂剂和漏极掺杂剂，以在衬底中形成源极结和漏极结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
