专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]测量产品的变形阈值-CN202080057583.5在审
  • S·纳斯奇茨 - 米加尔加利利研究所有限公司
  • 2020-07-01 - 2022-04-26 - G01N3/08
  • 一种包括测试设备的系统包括:探头,其被配置为被推进以接合相对于测试设备定位的产品项目;以及至少一个传感器,其被配置为测量产品项目对推进的抵抗力;至少一个硬件处理器;以及非暂时性计算机可读存储介质,其上存储有程序指令,该程序指令可由至少一个硬件处理器执行以:操作测试设备以连续推进探头以接合产品项目的表面同时测量抵抗力,当抵抗力停止由于推进而增加时中断推进,并确定在推进期间测量的最高抵抗力,其中最高抵抗力指示产品项目的硬度值。
  • 测量产品变形阈值
  • [发明专利]阈值跟踪上电复位电路-CN202080086007.3在审
  • D·考尔;R·乔汉 - 德克萨斯仪器股份有限公司
  • 2020-12-14 - 2022-08-05 - H03K17/22
  • NFET分支(302)包括:具有第一阈值电压(Vthn)的n沟道场效应晶体管(NFET)(310、312);以及耦合在电源端子(VDD)与NFET(310、312)之间的第一静态偏置电流源(304)。PFET分支(306)包括:具有第二阈值电压(Vthp)的p沟道场效应晶体管(PFET)(316、318);以及耦合在接地端子与PFET(316、318)之间的第二静态偏置电流源(308)。POR电路(800)被配置为基于第一阈值电压(Vthn)或第二阈值电压(Vthp)中的较大者和电压裕度(Vmargin)在输出端子(816、818、820)处提供POR信号。
  • 阈值跟踪复位电路
  • [发明专利]基于阈值的IDA排除列表-CN202080072489.7在审
  • L·L·伯顿 - DH科技发展私人贸易有限公司
  • 2020-09-22 - 2022-06-10 - H01J49/00
  • 首先,对不包括代谢物的对照样本的质量范围执行MS扫描(601),从而产生背景前体离子的背景峰m/z和强度值(602)。为排除列表选择背景峰并且在排除列表中包括每个背景峰的m/z值和强度值(604)。接下来,对包括代谢物的实验样本执行质量范围的MS扫描(610),从而产生前体离子的峰m/z和强度值(612)。为峰列表选择峰并且在峰列表中包括每个峰的m/z值和强度值(614)。最后,从峰列表中排除峰列表中具有与排除列表的背景峰的m/z值和强度值对应的m/z值和强度值的每个峰(616)。
  • 基于阈值ida排除列表
  • [发明专利]阈值产生电路、芯片和装置-CN202310779853.9在审
  • 刘康;苏晶 - 上海极海盈芯科技有限公司;珠海极海半导体有限公司
  • 2023-06-28 - 2023-09-12 - H03K5/24
  • 本发明涉及电子技术领域,尤其涉及一种阈值产生电路、芯片和装置。阈值产生电路包括存储单元,用于存储多个基准阈值;计时电路,用于计时;控制电路,用于根据计时电路的计时信息在存储单元中获取基准阈值并将获取的基准阈值发送至阈值生成电路;阈值生成电路,用于每接收到一个基准阈值则生成与当前基准阈值相关联的比较阈值;控制电路,还用于将生成的比较阈值发送至开关电路;开关电路,用于接收控制电路发送的开关信号,根据开关信号控制开关的通断,以发送不同的阈值信号至比较器。通过设置阈值产生电路根据每个基准阈值生成与其相关联的多个比较阈值,可有效节省存储器的存储空间,降低了芯片成本。
  • 阈值产生电路芯片装置
  • [发明专利]SOI动态阈值晶体管-CN201410675314.1有效
  • 陈静;吕凯;罗杰馨;柴展;何伟伟;黄建强;王曦 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 2014-11-21 - 2015-02-18 - H01L29/06
  • 本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管,包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔;栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。当器件处于截止状态时,器件阈值较高,泄露电流低,当器件处于开启状态时,由于体效应的影响,器件阈值电压降低,电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流,同时,器件工作电压低,十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法,可以改善寄生电阻电容,在射频应用领域具有一定的应用价值。
  • soi动态阈值晶体管
  • [发明专利]多数据点阈值检测方法-CN201010527612.8有效
  • 刘文洁 - 西北工业大学
  • 2010-10-28 - 2011-02-09 - G06F11/34
  • 本发明公开了一种多数据点阈值检测方法,用于解决现有的自律计算系统性能分析方法决策效率低的技术问题。技术方案是通过划分性能数据的统计区间,对设备的性能指标在一个统计区间内,进行连续的阈值检测,当整个时间段内的多次检测值均超过边界值时,才认为性能故障发生,从而避免了无效决策所导致的系统开销,提高了自律系统的决策效率
  • 多数据点阈值检测方法
  • [发明专利]门限阈值确定方法及装置-CN201810421678.5有效
  • 于超敏;葛丽娜;黄燕;宋明 - 科大讯飞股份有限公司
  • 2018-05-04 - 2020-12-08 - G06Q10/06
  • 本发明实施例提供一种门限阈值确定方法及装置,属于验证识别领域。该方法包括:获取第一门限阈值,第一门限阈值是基于第二门限阈值及门限阈值评价曲线所确定的,门限阈值评价曲线是基于当前场景下影响场景验证结果的评价指标所生成的,第二门限阈值是基于sigmoid函数以及门限阈值评价曲线所确定的;对第一门限阈值及第二门限阈值进行加权平均,将求和结果作为最终的门限阈值。由于在确定最终的门限阈值过程中可将sigmoid函数与门限阈值评价曲线进行结合,从而可使得输出结果唯一。与此同时,通过将第一门限阈值及第二门限阈值进行加权平均,可提高最终的门限阈值的准确性和鲁棒性。
  • 门限阈值确定方法装置

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