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[发明专利]半导体器件及包括其的半导体系统-CN201910506870.9有效
发明人：崔善明 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及包括其的半导体系统。半导体系统包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件将错误校验使能信号、输入时钟信号和输入数据输出到第二半导体器件。第一半导体器件从第二半导体器件接收错误校验信号。第二半导体器件基于错误校验使能信号和输入时钟信号来对输入数据执行错误校验操作，以产生错误校验信号，该错误校验信号在输入数据中出现错误时被使能。
半导体器件包括半导体系统

[发明专利]用于三维半导体器件的数据保护系统及其方法-CN202011406828.9在审
发明人：毅格艾尔卡诺维奇;阿姆农帕纳斯;喻珮;叶力垦;方勇胜;林圣伟;黄智强;谭竞豪;陈卿芳 -专利权人：创意电子股份有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：公开一种用于处置错误命令的数据保护系统及数据保护方法。数据保护系统包括主器件以及从器件。主器件被配置成发送命令。从器件耦合到主器件。从器件被配置成从主器件接收命令。主器件包括主接口。从器件包括从接口。主接口与从接口通过一个或多个结合件和/或硅穿孔进行电连接且被配置成在主器件与从器件之间进行接口功能。错误命令代表具有奇偶性错误或其他错误的命令。从器件还被配置成接收错误命令且根据读取操作或写入操作对错误命令作出响应。
用于三维半导体器件数据保护系统及其方法

[发明专利]具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统-CN201711368165.4有效
发明人：张战刚;雷志锋;李沙金;黄云;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件辐射效应领域，特别是涉及一种具备EDAC功能SRAM的软错误率预计方法与系统，通过获取具备EDAC功能SRAM器件的原始软错误率；获取所述具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率与所述原始软错误率的关联关系；根据所述原始软错误率和所述关联关系获取所述目标软错误率。在本方案中，可以根据所述SRAM器件的原始软错误率以及目标软错误率与所述原始软错误率之间的关系，获得具备EDAC功能SRAM器件的目标软错误率，可以提高具备EDAC功能SRAM器件空间软错误率预计结果的准确度
具备 edac 功能 sram 错误率预计方法系统

[发明专利]一种被测器件软错误甄别方法、装置及计算机设备-CN201910461576.0在审
发明人：张战刚;雷志锋;彭超;何玉娟;肖庆中;黄云;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种被测器件软错误甄别方法、装置和计算机设备，在出现软错误的情况下，所述方法对被测器件进行器件异常恢复操作，并再次进行软错误检测，根据检测结果确定软错误是否来自于被测器件，从而区分被测器件与其他设备中发生的辐射效应，获得被测器件软错误率，方法简便易行。
被测器件计算机设备软错误检测检测结果软错误率异常恢复辐射

[发明专利]测试多端口器件的端口错误值反馈系统和方法-CN201310505004.0有效
发明人：李雨凡;莫保章 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试多端口器件的端口错误值反馈系统，应用于WAT测试中，包括：WAT测试机台，错误类型判断装置，赋值装置，错误值记录装置，循环判断装置，计算装置以及显示装置。本发明还还公开了一种测试多端口器件的端口错误值反馈方法，包括如下步骤：提供一多端口器件，设定标准错误值；测试所述多端口器件的端口，判断错误类型；进行端口错误值赋予；显示所述端口错误值，或者选择性记录所述端口错误值；循环判断所述多端口器件的所有端口是否均完成测试；计算选择性记录的所有端口错误值之和，并显示所述输出结果。通过本发明的系统和方法，能够清晰简单地判断出多端口器件测试出现问题的所有端口以及这些端口出现问题的原因。
测试多端口器端口错误反馈系统方法

[发明专利]电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质-CN202110052566.9在审
发明人：张战刚;雷志锋;黄云;彭超;何玉娟;肖庆中;路国光 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件可靠性技术领域，公开了一种电子器件的加固设计方法、计算机设备和存储介质，包括获取电子器件的软错误率指标；根据电子器件的模拟辐照试验，获取电子器件发生各种单粒子翻转类型的软错误率，单粒子翻转类型包括单位翻转和多位翻转；根据所有单粒子翻转类型软错误率之和、部分单粒子翻转类型软错误率之和与软错误率指标，确定电子器件的待加固类型；根据待加固类型，对电子器件进行加固纠正。通过获取发生各种单粒子翻转类型的软错误率，以实际应用环境下的软错误率指标为导向，选择合适的加固方式对电子器件进行加固纠正，以保证电子器件在达到软错误率指标的同时避免过度加固，以降低加固带来的资源消耗和性能下降
电子器件加固设计方法计算机设备存储介质

[发明专利]半导体器件及包括其的半导体系统-CN201810937766.0有效
发明人：金昌铉;金溶美 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-08-17 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及包括其的电子系统。半导体系统包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件根据包括与错误发生次数有关的信息的错误代码的逻辑电平组合来产生第一错误清洗控制信号和第二错误清洗控制信号。第二半导体器件在刷新操作期间响应于第一错误清洗控制信号而在第一周期时间执行存储区的错误清洗操作，以及在刷新操作期间响应于第二错误清洗控制信号而在第二周期时间执行存储区的错误清洗操作。
半导体器件包括半导体系统

[发明专利]部分三模冗余SRAM型FPGA的单粒子翻转特性的测试方法-CN201210355797.8有效
发明人：于庆奎;罗磊;张大宇;刘迎辉;唐民;祝名 -专利权人：中国空间技术研究院
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： G01R31/317 文献下载
摘要：本发明提供一种部分三模冗余SRAM型FPGA的单粒子翻转特性的测试方法，包括：在设定的注量率下辐照被测器，当器件输出特性不正确且停止粒子束辐照T1时间内器件功能未恢复正常，则记录1次单粒子错误，多次重复后计算单粒子错误截面；使粒子注量率不断降低，直到单粒子错误截面趋于稳定；提供另一不进行三模冗余加固的对比器件，在对比注量率下，辐照对比器件并计算单粒子错误截面算对比器件的单粒子错误截面与被测器件的单粒子错误截面的比值。
部分冗余 sram fpga 粒子翻转特性测试方法

[发明专利]一种便于器件故障敏感度测试的故障注入系统及方法-CN201310121467.7无效
发明人：周婧;陈雷;王硕;文治平;李学武;刘增荣;陈勋;齐畅;孙雷;陶娟娟 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： G01R31/3185 文献下载
摘要：一种便于器件故障敏感度测试的故障注入系统及方法，注入系统包括控制芯片、待测器件和对比器件，待测器件与对比器件为相同的FPGA芯片且均与控制芯片连接，控制芯片包括待测器件故障注入模块、运行激励模块、结果比较模块和错误信息上传模块控制芯片通过翻转配置码流的方式将故障注入进待测芯片中，同时运行待测器件和对比芯片，之后对比两者的运行结果，如果结果相同，证明待测器件没有发生错误，对该位错误不敏感，反之，证明待测器件发生错误，该位为错误敏感位本发明可以方便的检测可编程逻辑器件的故障敏感度。
一种便于器件故障敏感度测试注入系统方法

[发明专利]单粒子错误处理方法、系统及装置-CN202210062985.5有效
发明人：邱家齐;刘勇;王洋;田胜金;程文倩;李珩田 -专利权人：浙江吉利控股集团有限公司;浙江时空道宇科技有限公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G06F11/07 文献下载
摘要：本申请提供一种单粒子错误处理方法、系统及装置，应用于计算系统，计算系统包括处理器、可编程器件和至少一个具备EDAC功能的外部SRAM，处理器分别连接可编程器件和外部SRAM，可编程器件连接外部SRAM上的错误指示管脚该方法包括：可编程器件对错误指示管脚的电平值进行采样，根据错误指示管脚的电平值确定外部SRAM是否发生单粒子错误，响应于外部SRAM发生单粒子错误，锁存错误指示管脚的电平值，并向处理器发送中断信号；处理器响应于中断信号，基于锁存的错误指示管脚的电平值对外部SRAM发生的单粒子错误进行处理。从而，利用可编程器件，实现处理器对外部SRAM的单粒子错误的检测和处理。
粒子错误处理方法系统装置

[发明专利]半导体存储器件及其检验与使用方法-CN99103028.1无效
发明人：森屋隆昭 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-03-19 - 公布日： 2003-08-20 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：提供一种半导体存储器件、以及检验该半导体存储器件的一种方法和使用它的方法，它简化了操作的普通模式和操作测试模式之间的转换，缩短了用于错误检测和错误校正的测试时间。根据本发明的半导体存储器件包括：存储电路，代码标识单元(写数据寄存器和错误校正码发生电路)，错误处理单元(错误检测电路和错误校正电路)，和转换电路。
半导体存储器件及其检验使用方法

[发明专利]半导体器件和分析系统-CN201910706163.4在审
发明人：太田直矢;竹内干;土屋文男;岛田将树;小西信也;押田大介 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-08-01 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及半导体器件和分析系统。一种半导体器件包括：具有预定功能的模块；用于获取关于模块中发生的错误的错误信息的错误信息获取电路；用于获取应力累积值作为施加到半导体器件的应力的累积值的应力获取电路；用于存储分析数据作为用于分析半导体器件的状态的数据的分析数据存储装置，错误发生时的错误信息和应力累积值彼此相关联。
半导体器件分析系统

[发明专利]数据处理系统及其操作方法-CN201811582225.7在审
发明人：沈应辅 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：一种数据处理系统包括：多个存储板，其包括多个存储器件和错误管理控制器，该错误管理控制器基于分别从多个存储器件中的每个存储器件接收的多条第一错误信息而产生第二错误信息；以及存储器错误分析设备，其分析从存储板接收的第二错误信息
数据处理系统存储器件错误信息错误管理控制器存储板存储器错误分析申请分析

[发明专利]半导体芯片-CN201910995433.8在审
发明人：崔善明;朴珉秀 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G11C7/24 文献下载
摘要：一种半导体芯片包括第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件包括错误检测电路。第二半导体器件与第一半导体器件层叠并且经由第一穿通电极和第二穿通电极电连接到第一半导体器件。第一半导体器件和第二半导体器件被配置为根据操作模式而经由第二穿通电极来接收或输出第一数据和第二数据，并且被配置为使用错误检测电路来检测第一数据的错误和第二数据的错误。
半导体芯片

[发明专利]一种电子器件软错误率评估方法及装置-CN201811357663.3有效
发明人：彭超;雷志锋;张战刚;何玉娟;黄云;恩云飞 -专利权人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子器件软错误率评估方法和装置，所述方法通过根据10B同位素的含量判断所述电子器件对热中子是否敏感后，在不同的海拔高度处多次测试同一电子器件的总软错误率，达到分离高能中子、热中子和α粒子软错误率的目的。所有的软错误率都是根据真实大气环境下测试得到的软错误率计算出来的，结果更加可信。另外本发明避免了高能中子、热中子和α粒子软错误率的单独测量，从而规避了热中子和α粒子软错误率不易测量的缺点，大大降低了电子器件软错误率评估的复杂度和成本。
一种电子器件错误率评估方法装置

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